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公开(公告)号：CN109994474A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811601969.9
申请日：2018-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：在衬底上的位线结构；间隔物结构，所述间隔物结构包括与所述位线结构的侧壁直接接触的第一间隔物、与所述第一间隔物的外侧壁的一部分直接接触的第二间隔物以及与所述第一间隔物的上部直接接触且覆盖所述第二间隔物的外侧壁和上表面的第三间隔物，所述第二间隔物包括空气；以及接触插塞结构，所述接触插塞结构在基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上延伸，并且至少在所述第二间隔物的底表面的高度和顶表面的高度之间的高度处直接接触所述第三间隔物的外侧壁。
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公开(公告)号：CN1045349C
公开(公告)日：1999-09-29
申请号：CN94113737.6
申请日：1994-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李柱泳
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10823
Abstract: 覆埋数据线元件及其制备方法。该半导体器件包括：具有多个在其内形成的相互隔离开的第一柱体，在第一柱体之间有隔离的第一槽，且在后者之下有与第一柱体相连的第二柱体，且在第二柱体之间有隔离的第二槽；在第一槽内形成的第一隔离绝缘层，它被栅极绝缘层和包围第一柱体的栅电极所隔离；具有在第一和第二柱体上沿纵向形成的第一和第二掺杂区的掺杂区和位于其间的沟道区；在第二槽的底部和第二槽的侧壁上形成的数位线，它连接掺杂区；在第一槽的底部和第二槽内形成的第二隔离绝缘层；被第一隔离绝缘层隔离的字线，它连接输出电极。
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公开(公告)号：CN1099707C
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN97109795.X
申请日：1997-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L27/10814 , H01L27/10852
Abstract: 具有“金属上的电容器”的半导体器件的形成方法，包括形成连接有源区的位线。用第一绝缘材料形成第一覆盖层。用不同刻蚀率的第二绝缘材料形成第一层间介质膜。用第三绝缘材料形成第二覆盖层。依次形成连接有源区的第一接触孔和用于局部互连的第二接触孔。淀积金属充填第一和第二接触孔形成栓和布线层。用第四绝缘材料只在周边电路区内形成第二层间绝缘膜，其刻蚀率与第三绝缘材料不同。形成存储电极、介质膜及平板电极。
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公开(公告)号：CN109994474B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201811601969.9
申请日：2018-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：在衬底上的位线结构；间隔物结构，所述间隔物结构包括与所述位线结构的侧壁直接接触的第一间隔物、与所述第一间隔物的外侧壁的一部分直接接触的第二间隔物以及与所述第一间隔物的上部直接接触且覆盖所述第二间隔物的外侧壁和上表面的第三间隔物，所述第二间隔物包括空气；以及接触插塞结构，所述接触插塞结构在基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上延伸，并且至少在所述第二间隔物的底表面的高度和顶表面的高度之间的高度处直接接触所述第三间隔物的外侧壁。
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公开(公告)号：CN109994473A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811514995.8
申请日：2018-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底、字线、掺杂结、位线结构和埋式接触。所述衬底具有多个有源区。所述字线延伸跨越所述多个有源区。所述掺杂结具有杂质并且被布置在所述多个有源区，并且包括多个第一结和多个第二结，每个第一结被布置在所述多个有源区中的一个有源区的中心部，每个第二结被布置在所述多个有源区中的另一个有源区的端部，每个第二结中包括埋式半导体层。所述位线结构与所述多个第一结中的相应的第一结接触。所述埋式接触被布置成矩阵形状，每个埋式接触与所述多个第二结中的相应的一个第二结以及所包括的埋式半导体层接触，同时与用于存储数据的电荷存储器接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1172347A
公开(公告)日：1998-02-04
申请号：CN97109795.X
申请日：1997-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L27/10814 , H01L27/10852
Abstract: 具有“金属上的电容器”的半导体器件的形成方法,包括形成连接有源区的位线。用第一绝缘材料形成第一覆盖层。用不同刻蚀率的第二绝缘材料形成第一层间介质膜。用第三绝缘材料形成第二覆盖层。依次形成连接有源区的第一接触孔和用于局部互连的第二接触孔。淀积金属充填第一和第二接触孔形成栓和布线层。用第四绝缘材料只在周边电路区内形成第二层间绝缘膜,其刻蚀率与第三绝缘材料不同。形成存储电极、介质膜及平板电极。
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公开(公告)号：CN1118937A
公开(公告)日：1996-03-20
申请号：CN94113737.6
申请日：1994-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李柱泳
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10823
Abstract: 覆埋数据线元件及其制备方法。该半导体器件包括：具有多个在其内形成的相互隔离开的第一柱体，在第一柱体之间有隔离的第一槽，且在后者之下有与第一柱体相连的第二柱体，且在第二柱体之间有隔离的第二槽；在第一槽内形成的第一隔离绝缘层，它被栅极绝缘层和包围第一柱体的栅电极所隔离；具有在第一和第二柱体上沿纵向形成的第一和第二掺杂区的掺杂区和位于其间的沟道区；在第二槽的底部和第二槽的侧壁上形成的数位线，它连接掺杂区；在第一槽的底部和第二槽内形成的第二隔离绝缘层；被第一隔离绝缘层隔离的字线，它连接输出电极。
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公开(公告)号：CN1113610A
公开(公告)日：1995-12-20
申请号：CN95106068.6
申请日：1995-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李柱泳
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10858 , H01L27/0694 , H01L27/10817 , H01L27/1082 , Y10S438/928
Abstract: 一种带有形成在单元晶体管上方、下方的电容器的半导体存储器件，它包含形成在第一层面的第一和第二晶体管、与第一晶体管相连且形成在第一层面下方的第一存储电极、以及与第二晶体管相连且形成在第一层面上方的第二存储电极。第一和第二存储电极经由各个源区侧壁上形成的隔层连接到各源区，并在存储电极和晶体管之间形成一个切口，以获得二倍或更大的单元电容量、稳定的单元晶体管特性以及降低了的短沟道效应。
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公开(公告)号：CN109994473B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201811514995.8
申请日：2018-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底、字线、掺杂结、位线结构和埋式接触。所述衬底具有多个有源区。所述字线延伸跨越所述多个有源区。所述掺杂结具有杂质并且被布置在所述多个有源区，并且包括多个第一结和多个第二结，每个第一结被布置在所述多个有源区中的一个有源区的中心部，每个第二结被布置在所述多个有源区中的另一个有源区的端部，每个第二结中包括埋式半导体层。所述位线结构与所述多个第一结中的相应的第一结接触。所述埋式接触被布置成矩阵形状，每个埋式接触与所述多个第二结中的相应的一个第二结以及所包括的埋式半导体层接触，同时与用于存储数据的电荷存储器接触。
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公开(公告)号：CN1092403C
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN95106068.6
申请日：1995-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李柱泳
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10858 , H01L27/0694 , H01L27/10817 , H01L27/1082 , Y10S438/928
Abstract: 一种带有形成在单元晶体管上方、下方的电容器的半导体存储器件，它包含形成在第一层面的第一和第二晶体管、与第一晶体管相连且形成在第一层面下方的第一存储电极、以及与第二晶体管相连且形成在第一层面上方的第二存储电极。第一和第二存储电极经由各个源区侧壁上形成的隔层连接到各源区，并在存储电极和晶体管之间形成一个切口，以获得二倍或更大的单元电容量、稳定的单元晶体管特性以及降低了的短沟道效应。
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