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公开(公告)号：CN100377355C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03156671.5
申请日：2003-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种铁电电容器及其制造方法。该铁电电容器包括顺序叠置的下电极、电介质层和上电极，其中电介质层为由顺序叠置的铁电膜形成的多层，并且相邻的铁电膜具有不同的成分或不同的成份比例。通过使用该铁电电容器，可保持铁电畴的稳定的极化状态很长的保持时间，并且由此可精确地读出很长时间以前写入铁电电容器的数据，因此，改善了铁电随机存取存储器(FRAM)的可靠性。
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公开(公告)号：CN1269600C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200410043022.2
申请日：2004-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B22F1/0085 , B22F2999/00 , B82Y25/00 , H01F1/14733 , H01M4/52 , Y10S977/777 , B22F1/0022
Abstract: 本发明提供非磁性镍粉及其制备方法。该镍粉具有非磁性特性和HCP晶体结构。该方法包括(a)将具有FCC晶体结构的镍粉分散在有机溶剂中以制备起始材料分散体；(b)加热该起始材料分散体从而将具有FCC晶体结构的镍粉转变成具有HCP晶体结构的镍粉。本发明的镍粉不显示磁性团聚现象。因此，含有本发明镍粉的用于形成各种电子器件中内电极的浆料能保持很好的分散状态。而且，由该镍粉制成的内电极即使在高频带下也具有低的阻抗值。
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公开(公告)号：CN1314087C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN03127833.7
申请日：2003-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , C01B13/14 , C01G29/00 , H01L27/10
CPC classification number: C04B35/6264 , C01G23/002 , C01G25/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/491 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/483 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供一种形成铁电薄膜的组合物，利用该组合物形成的铁电薄膜，及形成该铁电薄膜的方法。该组合物包含PZT溶胶-凝胶溶液和Bi2SiO5溶胶-凝胶溶液。PZT溶胶-凝胶溶液包括铅(Pb)前体的全部或部分水解产物及Pb前体的全部或部分水解和缩聚的产物中的至少一种；锆(Zr)前体的全部或部分水解产物，Zr前体的全部或部分水解和缩聚的产物，及具有至少一个羟基离子和至少一个不可水解配体的Zr络合物中的至少一种；以及钛(Ti)前体的全部或部分水解产物，Ti前体的全部或部分水解和缩聚的产物，及具有至少一个羟基离子和至少一个不可水解配体的Ti络合物中的至少一种。Bi2SiO5溶胶-凝胶溶液包括硅(Si)前体的全部或部分水解产物及Si前体的全部或部分水解和缩聚的产物中的至少一种；及通过回流铋(Bi)前体三苯基铋(Bi(Ph)3)或Bi(tmhd)3与C1-C10烷氧基醇而得到的产物，其中tmhd为2，2，6，6-四甲基庚烷-3，5-二酮化物(dionate)。
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公开(公告)号：CN1519939A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN03156671.5
申请日：2003-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种铁电电容器及其制造方法。该铁电电容器包括顺序叠置的下电极、电介质层和上电极，其中电介质层为由顺序叠置的铁电膜形成的多层，并且相邻的铁电膜具有不同的成分或不同的成分比例。通过使用该铁电电容器，可保持铁电畴的稳定的极化状态很长的保持时间，并且由此可精确地读出很长时间以前写入铁电电容器的数据，因此，改善了铁电随机存取存储器(FRAM)的可靠性。
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公开(公告)号：CN1252804C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03147080.7
申请日：2003-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/28185 , C01G29/006 , C01P2002/36 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/85 , C01P2002/89 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C04B35/16 , C04B35/475 , C04B35/6264 , C04B2235/3232 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/444 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/76 , H01L21/28194 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L29/516 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1572398A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047402.3
申请日：2004-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0085 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , B22F1/0018
Abstract: 提供一种制备非磁性镍粉的方法。该方法包括(a)加热包括镍前体化合物和多羟基化合物的混合物以将镍前体化合物还原成面心立方(FCC)晶体结构的镍粉；和(b)加热步骤(a)得到的混合物以将至少部分FCC晶体结构的镍粉转化成六方密堆积(HCP)的晶体结构的镍粉。
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公开(公告)号：CN1510724A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN03127833.7
申请日：2003-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , C01B13/14 , C01G29/00 , H01L27/10
CPC classification number: C04B35/6264 , C01G23/002 , C01G25/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/491 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/483 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供一种形成铁电薄膜的组合物，利用该组合物形成的铁电薄膜，及形成该铁电薄膜的方法。该组合物包含PZT溶胶－凝胶溶液和Bi2SiO5溶胶－凝胶溶液。PZT溶胶－凝胶溶液包括铅(Pb)前体的全部或部分水解产物及Pb前体的全部或部分水解和缩聚的产物中的至少一种；锆(Zr)前体的全部或部分水解产物，Zr前体的全部或部分水解和缩聚的产物，及具有至少一个羟基离子和至少一个不可水解配体的Zr络合物中的至少一种；以及钛(Ti)前体的全部或部分水解产物，Ti前体的全部或部分水解和缩聚的产物，及具有至少一个羟基离子和至少一个不可水解配体的Ti络合物中的至少一种。Bi2SiO5溶胶－凝胶溶液包括硅(Si)前体的全部或部分水解产物及Si前体的全部或部分水解和缩聚的产物中的至少一种；及通过回流铋(Bi)前体三苯基铋(Bi(Ph)3)或Bi(tmhd)3与C1－C10烷氧基醇而得到的产物，其中tmhd为2，2，6，6－四甲基庚烷－3，5－二酮化物(dionate)。
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公开(公告)号：CN1289245C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200410047402.3
申请日：2004-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0085 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , B22F1/0018
Abstract: 提供一种制备非磁性镍粉的方法。该方法包括(a)加热包括镍前体化合物和多羟基化合物的混合物以将镍前体化合物还原成面心立方(FCC)晶体结构的镍粉；和(b)加热步骤(a)得到的混合物以将至少部分FCC晶体结构的镍粉转化成六方密堆积(HCP)的晶体结构的镍粉。
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公开(公告)号：CN1550274A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410043022.2
申请日：2004-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B22F1/0085 , B22F2999/00 , B82Y25/00 , H01F1/14733 , H01M4/52 , Y10S977/777 , B22F1/0022
Abstract: 本发明提供非磁性镍粉及其制备方法。该镍粉具有非磁性特性和HCP晶体结构。该方法包括(a)将具有FCC晶体结构的镍粉分散在有机溶剂中以制备起始材料分散体；(b)加热该起始材料分散体从而将具有FCC晶体结构的镍粉转变成具有HCP晶体结构的镍粉。本发明的镍粉不显示磁性团聚现象。因此，含有本发明镍粉的用于形成各种电子器件中内电极的浆料能保持很好的分散状态。而且，由该镍粉制成的内电极即使在高频带下也具有低的阻抗值。
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公开(公告)号：CN1495867A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03147080.7
申请日：2003-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/28185 , C01G29/006 , C01P2002/36 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/85 , C01P2002/89 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C04B35/16 , C04B35/475 , C04B35/6264 , C04B2235/3232 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/444 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/76 , H01L21/28194 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L29/516 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。
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