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公开(公告)号：CN109785887B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201811318597.9
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器设备及其操作方法。用于对多个存储器块中的第一存储器块进行编程的操作方法包括：通过顺序执行第一至第N(N是自然数)编程循环对连接到第一存储器块的第一字线进行编程；在编程完成之后，将通过调节第一电荷泵的第一泵电压所生成的电压施加到第一字线作为虚拟验证电压；基于第一泵电压和第一参考电压生成第一检测计数；并且，基于将第一检测计数与第一参考计数进行比较的结果，输出用于将第一存储器块设置为坏块的坏块设置信号。
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公开(公告)号：CN109785892A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811309881.X
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器器件，可以包括：存储器单元阵列，包括存储器单元和连接到存储器单元的字线；时钟产生器，被配置为根据系统时钟信号来产生第一泵浦时钟信号；电荷泵，被配置为使用电源电压和第一泵浦时钟信号来提供泵浦电压信号；补偿电路，被配置为根据电源电压的变化补偿第一参考时钟信号的变化，并且提供补偿后的第一参考时钟信号；以及合格/失败(P/F)确定电路，被配置为通过在所述泵浦电压信号被提供给字线的同时，比较所述第一泵浦时钟信号与所述补偿后的第一参考时钟信号，来确定所述字线是否有缺陷。
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公开(公告)号：CN114551444A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111392644.6
申请日：2021-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区以及在其间的场区；分别提供在第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案；分别提供在第一有源图案和第二有源图案上的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案；在第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案和在第二源极/漏极图案之间的第二沟道图案；以及栅电极，从第一沟道图案延伸到第二沟道图案以跨越场区。第一沟道图案和第二沟道图案中的每个可以包括堆叠为彼此间隔开的半导体图案。在场区上的栅电极的下部的宽度可以随着与衬底的顶表面的距离减小而减小。
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公开(公告)号：CN111405653A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010008300.X
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W56/00
Abstract: 本公开涉及将被提供用于支持比诸如长期演进(LTE)的超四代(4G)通信系统的更高数据速率的pre-5G或5G通信系统。提供了一种同步系统中的第一装置。该第一装置包括：检测器，所述检测器被配置为检测由第二装置生成的请求信号；以及发生器，所述发生器被配置为生成与所述请求信号相对应的响应信号并输出所述响应信号。所述请求信号是通过电缆从所述第二装置接收到的，并且所述响应信号是通过所述电缆发送到所述第二装置的。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN109712664A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811152590.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，其包括设置在衬底上的第一存储单元和位于第一存储单元上方的第二存储单元；连接到第一存储单元的第一字线和连接到第二存储单元的第二字线，第二字线设置在第一字线上方；以及字线缺陷检测电路，其被配置为在将第一电压施加到第一字线时监测泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。电压发生器被配置为当泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时，将与第一电压不同的第二电压施加到第二字线以对第二存储单元进行编程。
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公开(公告)号：CN109712664B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201811152590.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，其包括设置在衬底上的第一存储单元和位于第一存储单元上方的第二存储单元；连接到第一存储单元的第一字线和连接到第二存储单元的第二字线，第二字线设置在第一字线上方；以及字线缺陷检测电路，其被配置为在将第一电压施加到第一字线时监测泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。电压发生器被配置为当泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时，将与第一电压不同的第二电压施加到第二字线以对第二存储单元进行编程。
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公开(公告)号：CN118398053A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410099956.5
申请日：2024-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了页缓冲器块和包括该页缓冲器块的存储器件。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制针对所述多个存储单元的验证操作；以及页缓冲器块，所述页缓冲器块包括多个页缓冲器、页缓冲器译码器和验证错误去除电路，所述多个页缓冲器通过位线连接到所述存储单元阵列，所述页缓冲器译码器经由输出线输出从所述多个页缓冲器的至少一个输出通过验证操作而生成的验证信号，所述验证错误去除电路连接到所述输出线并且被配置为控制所述验证信号到所述控制逻辑的输出路径。
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公开(公告)号：CN111405653B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010008300.X
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W56/00
Abstract: 本公开涉及将被提供用于支持比诸如长期演进(LTE)的超四代(4G)通信系统的更高数据速率的pre‑5G或5G通信系统。提供了一种同步系统中的第一装置。该第一装置包括：检测器，所述检测器被配置为检测由第二装置生成的请求信号；以及发生器，所述发生器被配置为生成与所述请求信号相对应的响应信号并输出所述响应信号。所述请求信号是通过电缆从所述第二装置接收到的，并且所述响应信号是通过所述电缆发送到所述第二装置的。
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