-
公开(公告)号：CN114582880A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111077117.6
申请日：2021-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件，包括在基板上的栅电极结构，栅电极结构包括在第一方向上彼此间隔开的栅电极，每个栅电极在第二方向上延伸；存储器沟道结构，延伸穿过基板上的栅电极结构，该存储器沟道结构包括沿第一方向延伸的沟道；电荷储存结构，围绕沟道的外侧壁；第一填充图案，填充由沟道形成的内部空间；以及第一封盖图案，位于沟道和第一填充图案上的；以及虚设电荷储存结构，延伸穿过基板上的栅电极结构，所述虚设电荷储存结构包括沿第一方向延伸的第二填充图案；虚设电荷储存结构，围绕第二填充图案的外侧壁；以及第二封盖图案，位于第二填充图案上。
-
公开(公告)号：CN112216677A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010098442.X
申请日：2020-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/525 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区、外围区和边界区；堆叠结构，位于单元区上并包括交替地堆叠的绝缘层和互连层；模制层，位于外围区和边界区上；选择线隔离图案，延伸到堆叠结构中；单元沟道结构，穿过堆叠结构；第一虚设图案，延伸到外围区上的模制层中，其中，第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面是共面的，并且第一虚设图案中的至少一个从第一虚设图案的上表面、选择线隔离图案的上表面和单元沟道结构的上表面朝向基底平行于选择线隔离图案或单元沟道结构延伸。
-
公开(公告)号：CN111405653B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010008300.X
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W56/00
Abstract: 本公开涉及将被提供用于支持比诸如长期演进(LTE)的超四代(4G)通信系统的更高数据速率的pre‑5G或5G通信系统。提供了一种同步系统中的第一装置。该第一装置包括：检测器，所述检测器被配置为检测由第二装置生成的请求信号；以及发生器，所述发生器被配置为生成与所述请求信号相对应的响应信号并输出所述响应信号。所述请求信号是通过电缆从所述第二装置接收到的，并且所述响应信号是通过所述电缆发送到所述第二装置的。
-
公开(公告)号：CN113809092A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110654337.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储系统。所述存储器装置包括：下结构；堆叠结构，位于下结构上，堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层，并且水平层中的每个包括栅电极；垂直结构，沿竖直方向穿透堆叠结构，垂直结构具有核心区、位于核心区上的具有垫金属图案的垫图案、介电结构以及位于介电结构与核心区之间的沟道层，介电结构包括面对核心区的侧表面的第一部分、面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层；接触结构，位于垂直结构上；以及导电线，位于接触结构上。
-
公开(公告)号：CN112151551B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202010263662.3
申请日：2020-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路装置包括：具有单元区域和互连区域的衬底；以及在衬底上的第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构，第一和第二堆叠结构中的每个包括在单元区域和互连区域中一个接一个交替地堆叠的绝缘层和字线结构，其中，在互连区域中，第一堆叠结构包括贯穿第一堆叠结构的第一虚设沟道孔，第二堆叠结构包括连通地连接到第一虚设沟道孔的第二虚设沟道孔，第二虚设沟道孔贯穿第二堆叠结构，第一虚设沟道孔的最上端的第一虚设上宽度大于第二虚设沟道孔的最上端的第二虚设上宽度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113611708A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110114716.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 一种竖直存储器件，包括：栅电极结构、沟道、电荷存储结构和划分图案。栅电极包括在第一方向上彼此间隔开的栅电极。沟道穿过栅电极结构延伸，并且包括第一部分和第一部分之上并且接触第一部分的第二部分。第二部分包括具有比第一部分的上表面的宽度小的宽度的下表面。电荷存储结构覆盖沟道的外侧壁。划分图案在沟道之间沿第二方向延伸，并且包括第一虚设沟道和覆盖第一虚设沟道的侧壁和下表面的第一虚设电荷存储结构。第一虚设沟道包括与沟道的材料相同的材料，并且第一虚设电荷存储结构包括与电荷存储结构相同的材料。
-
公开(公告)号：CN112151551A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010263662.3
申请日：2020-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556
Abstract: 一种集成电路装置包括：具有单元区域和互连区域的衬底；以及在衬底上的第一堆叠结构和在第一堆叠结构上的第二堆叠结构，第一和第二堆叠结构中的每个包括在单元区域和互连区域中一个接一个交替地堆叠的绝缘层和字线结构，其中，在互连区域中，第一堆叠结构包括贯穿第一堆叠结构的第一虚设沟道孔，第二堆叠结构包括连通地连接到第一虚设沟道孔的第二虚设沟道孔，第二虚设沟道孔贯穿第二堆叠结构，第一虚设沟道孔的最上端的第一虚设上宽度大于第二虚设沟道孔的最上端的第二虚设上宽度。
-
公开(公告)号：CN115411050A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210409971.6
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11575 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 一种集成电路装置，包括：衬底；外围布线电路，其包括旁路通孔并且设置在衬底上；外围电路，其包括围绕外围布线电路的至少一部分的层间绝缘层；以及存储器单元阵列，其设置在外围电路上并且与外围电路重叠。存储器单元阵列包括基底衬底、设置在基底衬底上的多条栅极线、以及穿透多条栅极线的多个沟道。集成电路装置还包括插入在外围电路与存储器单元阵列之间的阻挡层。阻挡层包括从阻挡层的顶表面穿透到下表面的旁路孔。旁路通孔设置在旁路孔中。
-
公开(公告)号：CN114156279A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111046611.6
申请日：2021-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11563
Abstract: 一种半导体器件，包括下部结构和堆叠结构，该堆叠结构具有交替堆叠在下部结构上的层间绝缘层和水平层。第一坝竖直结构穿透堆叠结构。第一坝竖直结构将堆叠结构划分为栅极堆叠区域和绝缘体堆叠区域。水平层包括栅极堆叠区域中的栅极水平层和绝缘体堆叠区域中的绝缘水平层。存储器竖直结构和支撑体竖直结构穿透栅极堆叠区域。分离结构穿透栅极堆叠区域。一个分离结构包括第一侧表面、不与第一侧表面垂直的第二侧表面、以及从第一侧表面延伸到第二侧表面的连接侧表面。连接侧表面高于栅极水平层的最上栅极水平层。
-
公开(公告)号：CN111405653A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010008300.X
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W56/00
Abstract: 本公开涉及将被提供用于支持比诸如长期演进(LTE)的超四代(4G)通信系统的更高数据速率的pre-5G或5G通信系统。提供了一种同步系统中的第一装置。该第一装置包括：检测器，所述检测器被配置为检测由第二装置生成的请求信号；以及发生器，所述发生器被配置为生成与所述请求信号相对应的响应信号并输出所述响应信号。所述请求信号是通过电缆从所述第二装置接收到的，并且所述响应信号是通过所述电缆发送到所述第二装置的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.024 seconds)
