公开(公告)号：CN1992190B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200610171283.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张圆培 ,  金承彻 ,  崔灿承 ,  金民锡 ,  金治完 ,  李善鎔 ,  河商录

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体工艺评估方法在不同的离子注入条件下利用离子束进行测试半导体衬底(例如测试晶片)的多重扫描。然后测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的参数，从而实施所述半导体工艺评估。

公开(公告)号：CN1792475A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510120367.8

申请日：2005-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李尚彦 ,  李善鎔 ,  河商录 ,  许东澈

IPC: B08B5/00 ,  B08B7/00 ,  B08B15/04 ,  B23K26/36 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H05F3/00

Abstract: 本发明公开了一种用于净化半导体衬底的表面的干净化装置，所述装置包括：室，包括第一壁和第二壁；支撑构件，包括晶片接收表面；净化构件，用于从放置在所述支撑构件上的衬底的表面去除颗粒；和载气供给构件，用于供给载气和将从所述衬底的表面分离的颗粒传输到所述室的外部，其中，所述室的第一壁包括设置面对所述晶片接收表面的第一部分和与所述第一部分相邻形成且设置来接收部分的载气供给构件的第二部分。

公开(公告)号：CN1992190A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610171283.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张圆培 ,  金承彻 ,  崔灿承 ,  金民锡 ,  金治完 ,  李善鎔 ,  河商录

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体工艺评估方法在不同的离子注入条件下利用离子束进行测试半导体衬底(例如测试晶片)的多重扫描。然后测量在不同的离子注入条件下利用所述离子束扫描的所述测试半导体衬底的参数，从而实施所述半导体工艺评估。