半导体器件及制造其的方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112635465A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202010945220.7

    申请日:2020-09-10

    Abstract: 本发明提供了半导体器件及制造其的方法。该半导体器件可以包括有源图案、硅衬垫、绝缘层、隔离图案和晶体管。有源图案可以从基板突出。具有晶体结构的硅衬垫可以共形地形成在有源图案和基板的表面上。绝缘层可以形成在硅衬垫上。隔离图案可以形成在绝缘层上以填充与有源图案相邻的沟槽。晶体管可以包括栅极结构和杂质区域。栅极结构可以设置在硅衬垫上,并且杂质区域可以形成在硅衬垫和与栅极结构的两侧相邻的有源图案处。

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