公开(公告)号：CN100431098C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200410084949.0

申请日：2004-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伦楷 ,  李京泰 ,  柳圣浩

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 一种使用金属镶嵌工艺制造MIM电容器和互连结构的方法。可以以相同的深度形成MIM电容器和第一互连结构。

公开(公告)号：CN1581476A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055814.1

申请日：2004-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李孝钟 ,  李京泰 ,  李敬雨 ,  李守根 ,  徐锋锡

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76847

Abstract: 一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。

公开(公告)号：CN1507055A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310118109.7

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李京泰 ,  郑武京 ,  李庸俊

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路电容器，其容量大并且在制造该电容器时不会出现影响现有技术的问题。该电容器包括上电极、下电极和位于上电极和下电极之间的介质层。对上电极施加第一电压和对下电极施加不同于第一电压的第二电压。一布线层位于与下电极相同或更低的层次中，通过该布线层对上电极施加第一电压。

公开(公告)号：CN1507045A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310102992.0

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴秉俊 ,  李京泰 ,  郑武京

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供集成电路装置，所述集成电路装置包括集成电路衬底和位于该集成电路衬底上的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的导电的下部电极层。介电层位于该下部电极层上，而该MIM电容器的导电的上部电极层位于该介电层上。第一金属间介电层位于该上部电极层上。该第一金属间介电层包括至少一个延伸至该上部电极层的通孔。第一导电互连层位于该第一金属间介电层的所述至少一个通孔上。第二金属间介电层位于该第一金属间介电层上。该第二金属间介电层包括至少一个延伸至该第一导电互连层并至少部分露出该第一金属间介电层的所述至少一个通孔的至少一个通孔。第二导电互连层被提供在电连接该第一导电互连层的该第二金属间介电层的至少一个通孔中。

公开(公告)号：CN1459844A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN03145422.4

申请日：2003-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全振源 ,  金永郁 ,  朴泰洙 ,  李京泰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1063 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种使用低－k介电有机聚合物作为绝缘层形成双大马士革互连的方法。仅仅利用一个硬掩模层，使用蚀刻速率不同于自对准衬片的硬掩模层和蚀刻－停止层防止灰化损伤绝缘层。而且，可以形成小于光刻工艺的分辨极限的通孔。由此，工艺被简化且不发生光致抗蚀剂尾部现象。

公开(公告)号：CN100392853C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200410055814.1

申请日：2004-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李孝钟 ,  李京泰 ,  李敬雨 ,  李守根 ,  徐锋锡

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76847

Abstract: 一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。

公开(公告)号：CN100385659C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200310102992.0

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴秉俊 ,  李京泰 ,  郑武京

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供集成电路装置，所述集成电路装置包括集成电路衬底和位于该集成电路衬底上的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的导电的下部电极层。介电层位于该下部电极层上，而该MIM电容器的导电的上部电极层位于该介电层上。第一金属间介电层位于该上部电极层上。该第一金属间介电层包括至少一个延伸至该上部电极层的通孔。第一导电互连层位于该第一金属间介电层的所述至少一个通孔上。第二金属间介电层位于该第一金属间介电层上。该第二金属间介电层包括至少一个延伸至该第一导电互连层并至少部分露出该第一金属间介电层的所述至少一个通孔的至少一个通孔。第二导电互连层被提供在电连接该第一导电互连层的该第二金属间介电层的至少一个通孔中。

公开(公告)号：CN1551353A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410059562.X

申请日：2004-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑武京 ,  李京泰 ,  安正勋

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/52 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/5228 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种包括金属互连和金属电阻器的半导体器件及其制造方法，使得金属电阻器可靠地电连接于金属互连。该制造方法包括步骤：在绝缘层中形成铜的下部互连，在绝缘层上形成帽盖层以覆盖并保护下部互连，在帽盖层中形成窗口以选择性地露出下部互连的上表面，并在帽盖层上形成通过窗口与下部互连的上表面接触的金属电阻器。然后在绝缘层中形成电接触。可选择地，可以在电接触形成后在绝缘层上形成金属电阻器。

公开(公告)号：CN100570873C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200310118109.7

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李京泰 ,  郑武京 ,  李庸俊

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电路电容器，其容量大并且在制造该电容器时不会出现影响现有技术的问题。该电容器包括上电极，下电极和位于上电极和下电极之间的介质层。对上电极施加第一电压和对下电极施加不同于第一电压的第二电压。一布线层位于与下电极相同或更低的层次中，通过该布线层对上电极施加第一电压。

公开(公告)号：CN1317756C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN03145422.4

申请日：2003-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全振源 ,  金永郁 ,  朴泰洙 ,  李京泰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1063 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种使用低-k介电有机聚合物作为绝缘层形成双大马士革互连的方法。仅仅利用一个硬掩膜层，使用蚀刻速率不同于自对准衬片的硬掩膜层和蚀刻-停止层防止灰化损伤绝缘层。而且，可以形成小于光刻工艺的分辨极限的通孔。由此，工艺被简化且不发生光致抗蚀剂尾部现象。