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公开(公告)号：CN107611125B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710811782.0
申请日：2014-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有由器件隔离层限定的有源区的基板。栅电极沿第一方向在有源区之上延伸，多个互连沿垂直于第一方向的第二方向在字线之上延伸。接触垫设置在栅电极和多个互连之间并与栅电极和多个互连间隔开，当从平面图看时，该接触垫在第一方向上延伸以交叠多个互连和有源区。下接触插塞将接触垫电连接到有源区。上接触插塞将接触垫电连接到多个互连之一。
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公开(公告)号：CN107305893A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710253929.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 提供了半导体存储器装置及半导体装置。该半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和连接区域；第一字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第一字线；第二字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第二字线，第二字线堆与第一字线堆相邻；竖直沟道，位于基底的单元区域中，竖直沟道连接至基底并与所述多条第一字线和所述多条第二字线结合；桥接区域，将第一字线堆中的第一字线与第二字线堆中的相应第二字线连接；局部平坦化区域，位于桥接区域下方。
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公开(公告)号：CN108573979B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201810156960.5
申请日：2018-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括多个堆叠结构和多个分离绝缘层，所述多个堆叠结构包括顺序地堆叠在衬底上并且沿第一方向设置的栅电极，所述多个分离绝缘层的每一个设置在所述堆叠结构之间。多个竖直柱穿透每个堆叠结构并且连接到所述衬底。多个位线设置在所述竖直柱上并且沿第一方向跨所述堆叠结构延伸。多个位线接触结构将所述竖直柱连接到所述位线。多个第一单元虚拟线设置在所述多个分离绝缘层上，并沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
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公开(公告)号：CN104425509B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201410428686.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有由器件隔离层限定的有源区的基板。栅电极沿第一方向在有源区之上延伸，多个互连沿垂直于第一方向的第二方向在字线之上延伸。接触垫设置在栅电极和多个互连之间并与栅电极和多个互连间隔开，当从平面图看时，该接触垫在第一方向上延伸以交叠多个互连和有源区。下接触插塞将接触垫电连接到有源区。上接触插塞将接触垫电连接到多个互连之一。
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公开(公告)号：CN108573979A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810156960.5
申请日：2018-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157
CPC classification number: H01L27/11573 , H01L23/522 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11565 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/1157
Abstract: 一种半导体器件包括多个堆叠结构和多个分离绝缘层，所述多个堆叠结构包括顺序地堆叠在衬底上并且沿第一方向设置的栅电极，所述多个分离绝缘层的每一个设置在所述堆叠结构之间。多个竖直柱穿透每个堆叠结构并且连接到所述衬底。多个位线设置在所述竖直柱上并且沿第一方向跨所述堆叠结构延伸。多个位线接触结构将所述竖直柱连接到所述位线。多个第一单元虚拟线设置在所述多个分离绝缘层上，并沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107611125A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710811782.0
申请日：2014-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有由器件隔离层限定的有源区的基板。栅电极沿第一方向在有源区之上延伸，多个互连沿垂直于第一方向的第二方向在字线之上延伸。接触垫设置在栅电极和多个互连之间并与栅电极和多个互连间隔开，当从平面图看时，该接触垫在第一方向上延伸以交叠多个互连和有源区。下接触插塞将接触垫电连接到有源区。上接触插塞将接触垫电连接到多个互连之一。
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公开(公告)号：CN104425509A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410428686.4
申请日：2014-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/105 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有由器件隔离层限定的有源区的基板。栅电极沿第一方向在有源区之上延伸，多个互连沿垂直于第一方向的第二方向在字线之上延伸。接触垫设置在栅电极和多个互连之间并与栅电极和多个互连间隔开，当从平面图看时，该接触垫在第一方向上延伸以交叠多个互连和有源区。下接触插塞将接触垫电连接到有源区。上接触插塞将接触垫电连接到多个互连之一。
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公开(公告)号：CN107305893B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201710253929.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 提供了半导体存储器装置及半导体装置。该半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和连接区域；第一字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第一字线；第二字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第二字线，第二字线堆与第一字线堆相邻；竖直沟道，位于基底的单元区域中，竖直沟道连接至基底并与所述多条第一字线和所述多条第二字线结合；桥接区域，将第一字线堆中的第一字线与第二字线堆中的相应第二字线连接；局部平坦化区域，位于桥接区域下方。
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公开(公告)号：CN101221730A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710196117.1
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴钟国
IPC: G09G3/36 , G09G3/20 , H03K17/687 , G02F1/133
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G2320/041
Abstract: 一种能够增强显示质量的液晶显示器(LCD)，包括：电压生成单元、时钟生成单元、栅极驱动单元和显示单元。电压生成单元输出栅极导通电压以及第一和第二栅极关断电压，第一和第二栅极关断电压彼此是不同的。时钟生成单元输出第一时钟信号和第二时钟信号，该第二时钟信号的相位与第一时钟信号的相位相反。第一时钟信号在栅极导通电压和第一栅极关断电压之间摆动。栅极驱动单元被提供有第一时钟信号、第二时钟信号和第二栅极关断电压，并且输出栅极信号。显示单元包括多个像素，所述多个像素响应于栅极信号导通或关断，并且显示图像。
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公开(公告)号：CN101175368A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710199901.8
申请日：2007-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴钟国
CPC classification number: G02F1/13452 , G02F2202/22 , H01L2924/0002 , H05K1/0259 , H05K3/321 , H05K3/361 , H05K2201/09781 , H01L2924/00
Abstract: 一种通过第一至第n连接部分输出多个信号的电路板及包含其的显示器装置。每个连接部分包括接地焊盘、输出信号的信号输出焊盘、和与接地焊盘和信号输出焊盘绝缘的导电虚拟焊盘。多个信号包括栅极驱动信号和数据驱动信号。
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