公开(公告)号：CN118800776A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311682462.1

申请日：2023-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  金德焕 ,  孔俊秀 ,  朴炼皓 ,  朴亨镇 ,  李秀镇 ,  李晋硕

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底具有有源图案：第一半导体图案和第二半导体图案，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案设置在所述有源图案上并且彼此垂直地间隔开；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案和所述第二半导体图案；栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案包围所述栅电极，其中，所述栅极绝缘图案包括：高k电介质图案，所述高k电介质图案包围所述栅电极；内间隔物，所述内间隔物位于所述高k电介质图案与所述源极/漏极图案之间；以及掩模绝缘图案，所述掩模绝缘图案相对于所述内间隔物具有蚀刻选择性并且位于所述高k电介质图案与所述内间隔物之间。

公开(公告)号：CN117936566A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311374110.X

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  权旭炫 ,  朴炼皓 ,  辛宗珉 ,  申宪宗 ,  田钟敏 ,  崔圭峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件可以包括：包括有源图案的衬底、在有源图案上的沟道图案、源极/漏极图案、栅电极和绝缘图案。沟道图案可以包括彼此间隔开并垂直堆叠的半导体图案。半导体图案中最下面的一个可以是第一半导体图案。源极/漏极图案可以连接到半导体图案。栅电极可以在半导体图案上，并且可以包括除了第一半导体图案之外的半导体图案下方的多个内部电极。绝缘图案可以在第一半导体图案和有源图案之间。绝缘图案可以包括电介质图案和保护层。保护层可以在电介质图案和第一半导体图案之间。保护层可以在电介质图案和有源图案之间。

公开(公告)号：CN117594599A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311020288.4

申请日：2023-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  朴炼皓 ,  郭玟灿 ,  金昊俊

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762

Abstract: 一种半导体器件包括：有源区；栅结构，与有源区相交并且包括栅电极；有源区上在栅结构的至少一侧的源/漏区；以及栅隔离结构，在有源区之间的区域上将彼此相对的栅结构彼此隔离。彼此相对的栅结构包括第一栅结构、与第一栅结构相对的第二栅结构、与第一栅结构平行地延伸的第三栅结构、以及与第三栅结构相对且与第二栅结构平行地延伸的第四栅结构。栅隔离结构包括：线型的第一隔离结构，沿第一水平方向延伸；以及孔型的第二隔离结构，在第一栅结构和第二栅结构之间以及第三栅结构和第四栅结构之间穿透第一隔离结构。

公开(公告)号：CN115701663A

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202210839478.8

申请日：2022-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴炼皓 ,  林旺燮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种能够改善器件的性能和可靠性的半导体器件。可以提供包括以下项的半导体器件：有源图案，在第一方向上延伸；栅极结构，在有源图案上，该栅极结构在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且包括栅极绝缘层和栅极填充层；在第二方向上延伸的栅极间隔物，在栅极结构的侧壁上；在栅极间隔物的侧壁上的栅极屏蔽绝缘图案，覆盖栅极绝缘层的上表面，并且包括绝缘材料；以及覆盖栅极填充层的上表面的栅极封盖图案，在栅极结构上。