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公开(公告)号:CN110729224A
公开(公告)日:2020-01-24
申请号:CN201910138038.8
申请日:2019-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请提供了装载锁模块和包括其的半导体制造设备。半导体制造设备包括:装载锁模块,其包括其中容纳衬底容器的装载锁室,其中装载锁模块被构造为在大气压强与真空之间切换装载锁室的内部压强;以及转移模块,其被构造为在容纳于装载锁室中的衬底容器与用于对衬底执行半导体制造处理的处理模块之间转移衬底,其中,装载锁模块包括:净化气体供应单元,其被构造为通过连接至衬底容器的气体供应线路将净化气体供应至衬底容器中;以及排放单元,其被构造为通过连接至衬底容器的排气线路排放衬底容器中的气体。
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公开(公告)号:CN115206762A
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202210371327.4
申请日:2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于等离子体蚀刻的装置,该装置具有:静电卡盘,包括基层、接合层、吸附层以及边缘环,该吸附层包括在接合层上并与衬底的下表面接触的多个突起,该边缘环与衬底的横向表面间隔开并围绕衬底的横向表面;多个冷却剂供应器,在多个突起之间注入冷却剂;多个管道,将冷却剂供应给多个冷却剂供应器以使冷却剂沿预定方向循环;冷却设备,其中等离子体蚀刻工艺包括第一操作和第二操作,其中注入冷却剂以使静电卡盘在第一操作期间达到第一温度,并在第二操作期间达到第二温度;以及控制器,控制与多个管道连接的阀门以确定冷却剂的循环方向。
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