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公开(公告)号：CN1744732A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510093854.X
申请日：2005-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种使用用于提供基于位置的服务(LBS)的即按即说(PTT)的移动通信系统。该系统包括：定位服务器，用于确认请求的位置信息并协同移动交换中心和本地位置注册器来发送与请求的位置信息相应的订户信息；PTT服务器，用于执行用于PTT订户群组的通用控制和用于PTT订户群组的实时管理、管理PTT订户信息和由每一订户设置的群组列表、分配预定的位置群组以将分配的位置群组添加到已由每一订户建立的群组列表、向定位服务器请求与分配的位置群组的位置信息相应的订户信息、从定位服务器接收该订户信息、和将与接收的订户信息相应的订户注册到相应的位置群组；以及PTT模块，用于执行包括从PTT服务器接收群组列表以显示接收的群组列表的步骤的PTT呼叫相关操作。
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公开(公告)号：CN100367808C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200510093854.X
申请日：2005-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种使用用于提供基于位置的服务(LBS)的即按即说(PTT)的移动通信系统。该系统包括：定位服务器，用于确认请求的位置信息并协同移动交换中心和本地位置注册器来发送与请求的位置信息相应的订户信息；PTT服务器，用于执行用于PTT订户群组的通用控制和用于PTT订户群组的实时管理、管理PTT订户信息和由每一订户设置的群组列表、分配预定的位置群组以将分配的位置群组添加到已由每一订户建立的群组列表、向定位服务器请求与分配的位置群组的位置信息相应的订户信息、从定位服务器接收该订户信息、和将与接收的订户信息相应的订户注册到相应的位置群组；以及PTT模块，用于执行包括从PTT服务器接收群组列表以显示接收的群组列表的步骤的PTT呼叫相关操作。
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公开(公告)号：CN100495710C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510073710.8
申请日：2005-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , G11C16/04
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11524 , H01L29/42324 , H01L29/7883
Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储器件，其包括：栅极叠层，其具有依次形成在半导体衬底上的隧道氧化膜、浮置栅极、层间绝缘膜和控制栅极；第一扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的一个侧表面上；第二扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的另一个侧表面上；以及沟道区域，其形成在半导体衬底中、第一和第二扩散区之间，其中所述浮置栅极的两个侧表面在沟道长度方向上都是波浪形状的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100466196C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410010479.3
申请日：2004-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/336 , H01L29/788
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/0214 , H01L21/3144 , H01L29/513 , H01L29/7881
Abstract: 在形成半导体器件的方法和根据该方法形成的半导体器件中，在下导电层和上导电层之间提供薄介电层。在一个实施例中，薄介电层由栅极间介电层构成，下导电层由浮置栅极构成，上介电层由晶体管例如非易失性存储单元晶体管的控制栅极构成。使用导致底层的浮置栅极的表面粗糙度减小和导致在浮置栅极上形成薄氮氧化硅层的热处理工艺形成薄介电层。在这种方式中，薄介电层提供了下浮置栅极和上控制栅极之间增强的电容耦合。这还导致晶体管的编程电压、擦除电压和读取电压降低，同时保持阈值电压在希望的范围中。另外，因为假定编程电压降低，则不需要激励电路，所以可以使晶体管和最终存储单元的尺寸小型化并且减轻对电路中高电压区的需要。
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公开(公告)号：CN1707803A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510073710.8
申请日：2005-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , G11C16/04
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11524 , H01L29/42324 , H01L29/7883
Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储器件，其包括：栅极叠层，其具有依次形成在半导体衬底上的隧道氧化膜、浮置栅极、层间绝缘膜和控制栅极；第一扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的一个侧表面上；第二扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的另一个侧表面上；以及沟道区域，其形成在半导体衬底中、第一和第二扩散区之间，其中所述浮置栅极的两个侧表面在沟道长度方向上都是波浪形状的。
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公开(公告)号：CN118825027A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410452446.1
申请日：2024-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置包括：有源区，其在衬底上并且包括在第一方向上延伸的有源图案。装置隔离层围绕有源图案。栅极结构在第二方向上延伸。源极/漏极区在有源图案上。层间绝缘层覆盖源极/漏极区。接触结构连接到源极/漏极区。掩埋导电结构在第一方向上延伸，电连接到接触结构，并且穿过层间绝缘层以在第三方向上延伸。电力输送结构从衬底的下表面朝向衬底的上表面延伸，并且电连接到掩埋导电结构。掩埋导电结构包括：在第一方向上延伸的主体部分、以及在第二方向上从主体部分的至少一个侧表面的区域延伸的延伸部分。
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公开(公告)号：CN1979814A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610165951.X
申请日：2006-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明提供了一种制造电可擦除和可编程只读存储器(EEPROM)的制造方法，其包括在具有存储晶体管区和选择晶体管区的半导体衬底中形成限定有源区的隔离图案。在有源区上形成具有隧穿区的栅极绝缘层。在具有栅极绝缘层的所得结构上形成第一导电层。第一导电层被构图以形成暴露隔离图案顶表面的开口。进行该构图使得选择的开口和与该开口相邻的有源区之间的距离根据设置在该开口下面的隔离图案的宽度而改变。本发明还提供了相应的EEPROM。
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公开(公告)号：CN1627482A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410010479.3
申请日：2004-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/336 , H01L29/788
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/0214 , H01L21/3144 , H01L29/513 , H01L29/7881
Abstract: 在形成半导体器件的方法和根据该方法形成的半导体器件中，在下导电层和上导电层之间提供薄介电层。在一个实施例中，薄介电层由栅极间介电层构成，下导电层由浮置栅极构成，上介电层由晶体管例如非易失性存储单元晶体管的控制栅极构成。使用导致底层的浮置栅极的表面粗糙度减小和导致在浮置栅极上形成薄氮氧化硅层的热处理工艺形成薄介电层。在这种方式中，薄介电层提供了下浮置栅极和上控制栅极之间增强的电容耦合。这还导致晶体管的编程电压、擦除电压和读取电压降低，同时保持阈值电压在希望的范围中。另外，因为假定编程电压降低，则不需要激励电路，所以可以使晶体管和最终存储单元的尺寸小型化并且减轻对电路中高电压区的需要。
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