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公开(公告)号：CN100350612C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN02143798.X
申请日：2002-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L21/28185 , G11C16/0466 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/28282 , H01L29/4234 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储单元及其制造方法。该存储单元能够在第一方向上写入并在第二方向上读取。该存储单元包括位于源极或者漏极、或者源极和漏极两者附近的一个或者两个电荷俘获区域。在编程操作中，电子可以通过热电子注入而注入到所述电荷俘获区域中。在擦除操作中，空穴可以被注入到所述电荷俘获区域中。本发明的实施例包括一个仅被控制栅重叠一定程度的电荷俘获区域，在该区域中，在编程操作中，注入的电子以后可以通过将空穴注入到该电荷俘获区域中而得以擦除。
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公开(公告)号：CN1466221A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN02143798.X
申请日：2002-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L21/28185 , G11C16/0466 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/28282 , H01L29/4234 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储单元及其制造方法。该存储单元能够在第一方向上写入并在第二方向上读取。该存储单元包括位于源极或者漏极、或者源极和漏极两者附近的一个或者两个电荷俘获区域。在编程操作中，电子可以通过热电子注入而注入到所述电荷俘获区域中。在擦除操作中，空穴可以被注入到所述电荷俘获区域中。本发明的实施例包括一个仅被控制栅重叠一定程度的电荷俘获区域，在该区域中，在编程操作中，注入的电子以后可以通过将空穴注入到该电荷俘获区域中而得以擦除。
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公开(公告)号：CN100495710C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510073710.8
申请日：2005-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , G11C16/04
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11524 , H01L29/42324 , H01L29/7883
Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储器件，其包括：栅极叠层，其具有依次形成在半导体衬底上的隧道氧化膜、浮置栅极、层间绝缘膜和控制栅极；第一扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的一个侧表面上；第二扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的另一个侧表面上；以及沟道区域，其形成在半导体衬底中、第一和第二扩散区之间，其中所述浮置栅极的两个侧表面在沟道长度方向上都是波浪形状的。
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公开(公告)号：CN1707803A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510073710.8
申请日：2005-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , G11C16/04
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11524 , H01L29/42324 , H01L29/7883
Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储器件，其包括：栅极叠层，其具有依次形成在半导体衬底上的隧道氧化膜、浮置栅极、层间绝缘膜和控制栅极；第一扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的一个侧表面上；第二扩散区，其形成在所述半导体衬底中所述栅极叠层的另一个侧表面上；以及沟道区域，其形成在半导体衬底中、第一和第二扩散区之间，其中所述浮置栅极的两个侧表面在沟道长度方向上都是波浪形状的。
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