公开(公告)号：CN107591404B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201710546180.7

申请日：2017-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔恩荣 ,  金斐悟 ,  金泳完 ,  金重浩 ,  孙荣鲜 ,  安宰永 ,  张炳铉

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/20 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种包括电介质层的半导体器件。该半导体器件包括堆叠结构和在堆叠结构内的竖直结构。该竖直结构包括具有第一宽度的下部区域和具有大于第一宽度的第二宽度的上部区域。该竖直结构还包括下部区域中的下部厚度与上部区域中的上部厚度的各自的比值彼此不同的两个电介质层。

公开(公告)号：CN107993996B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201711012306.9

申请日：2017-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张炳铉 ,  刘东哲 ,  张祐赈 ,  安宰永 ,  梁俊圭

IPC: H01L23/40 ,  H01L21/822 ,  H01L21/02

Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上垂直地一个堆叠在另一个顶部的字线、字线之间的绝缘图案、连接到衬底的垂直柱、以及字线侧面处的在衬底上的剩余牺牲图案。垂直柱穿透字线和绝缘图案。绝缘图案的每个包括字线之间的第一部分以及从第一部分延伸并在剩余牺牲图案之间的第二部分。第一部分的第一厚度小于第二部分的第二厚度。

公开(公告)号：CN107591404A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710546180.7

申请日：2017-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔恩荣 ,  金斐悟 ,  金泳完 ,  金重浩 ,  孙荣鲜 ,  安宰永 ,  张炳铉

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42368

Abstract: 提供一种包括电介质层的半导体器件。该半导体器件包括堆叠结构和在堆叠结构内的竖直结构。该竖直结构包括具有第一宽度的下部区域和具有大于第一宽度的第二宽度的上部区域。该竖直结构还包括下部区域中的下部厚度与上部区域中的上部厚度的各自的比值彼此不同的两个电介质层。

公开(公告)号：CN107993996A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201711012306.9

申请日：2017-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张炳铉 ,  刘东哲 ,  张祐赈 ,  安宰永 ,  梁俊圭

IPC: H01L23/40 ,  H01L21/822 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L23/4012 ,  H01L21/022 ,  H01L21/8221

Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上垂直地一个堆叠在另一个顶部的字线、字线之间的绝缘图案、连接到衬底的垂直柱、以及字线侧面处的在衬底上的剩余牺牲图案。垂直柱穿透字线和绝缘图案。绝缘图案的每个包括字线之间的第一部分以及从第一部分延伸并在剩余牺牲图案之间的第二部分。第一部分的第一厚度小于第二部分的第二厚度。