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公开(公告)号：CN100454549C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200410057456.8
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/00 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10852 , Y10S438/978
Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括基底和在该基底上形成的倾斜壁。该壁具有中线以及内侧壁和外侧壁。内侧壁和外侧壁相对于该中线互相基本对称。因此，可以提高半导体电容器结构的可靠性，而且可以提高生产能力。此外，利用本发明原理，有助于进一步缩小半导体器件。
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公开(公告)号：CN101206215A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710159942.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01L3/508 , B01J2219/00659 , B01J2219/00702 , B01L2300/041 , B01L2300/0636 , B01L2300/0822
Abstract: 本发明提供一种生物芯片套件，包括：第一壳体；放置在第一壳体中并且构造成包括多个分子探针的生物芯片；以及与第一壳体结合并且构造成与第一壳体形成反应空间并且覆盖该生物芯片的第二壳体，其中第二壳体和第一壳体在构造上可移动地结合，从而可以暴露生物芯片的上表面。还提供一种使用该生物芯片套件来测试生物样品的方法。
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公开(公告)号：CN1484094A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03133069.X
申请日：2003-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔相俊
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明提供一种有机底部抗反射组合物，其含有芳族聚合物化合物、热交联剂和有机溶剂。芳族聚合物化合物含有的官能团可吸收波长短于约248nm的曝光且其为可热交联的以及可用酸水解脱交联的。热交联剂通过与芳族聚合物化合物的官能团反应导致热交联反应。有机底部抗反射组合物可溶于光致抗蚀剂显影液。有机底部抗反射组合物应用于光刻和蚀刻方法时，有机底部抗反射组合物形成的层可在光致抗蚀剂曝光和烘焙过程之后的显影过程中与光致抗蚀剂层一同显影形成图案。其结果是光刻及蚀刻方法可得到简化，沉积的光致抗剂层的初始厚度可以降低，且蚀刻的加工裕度提高。
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公开(公告)号：CN101005092A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610166977.6
申请日：2006-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/145
Abstract: 本发明提供了一种在存储节点中包括非晶固体电解质层的电阻存储器装置。该电阻存储器装置包括开关装置和连接到所述开关装置的存储节点。该存储节点包括由二价或多价金属形成的上电极和下电极，以及在上电极和下电极之间的由单价金属形成的非晶固体电解质层和离子源层。
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公开(公告)号：CN1912745A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610101176.1
申请日：2006-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0752 , G03F7/2041
Abstract: 提供了阻挡聚合物、引入这种聚合物的阻挡涂敷组合物以及利用这种阻挡涂敷组合物抑制浸渍光刻过程中光刻胶成分溶解的方法。该阻挡聚合物可以由包括至少一个单体的一种或多种单体合成，该单体具有三(三甲基硅氧烷基)甲硅烷基以及将具有5,000至200,000道尔顿的重量平均分子量(Mw)。该阻挡聚合物可以与一种或多种有机溶剂结合，以形成可以被涂敷到光刻胶层的阻挡涂敷组合物，从而形成在曝光处理过程中充分地抑制成分如PAG溶解到浸渍介质中的阻挡涂层。该三(三甲基硅氧烷基)甲硅烷基单体可以与其他单体结合，具体，包括一个极性基团的单体，用于改进，例如，所得阻挡涂层在显影液中的疏水性和/或可溶性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1472231A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03149009.3
申请日：2003-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔相俊
IPC: C08F216/14 , G03F7/00
Abstract: 一种包括含有金刚烷基烷基乙烯醚共聚物的光敏聚合物，及含有该光敏聚合物的光阻剂组合物。例如包括具有如下通式共聚物的光敏聚合物：其中x为1～4的整数，R1为氢原子或甲基，R2为酸不稳定的C4～C20的烃基，p/(p+q+r)＝0.1～0.4，q/(p+q+r)＝0.1～0.5，及r/(p+q+r)＝0.1～0.4。
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公开(公告)号：CN1125836C
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN98125176.5
申请日：1998-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F222/06 , G03F7/027
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F222/06 , G03F7/039
Abstract: 本发明提供了一种应用于化学放大抗蚀剂的光敏聚合物。光敏聚合物为式(I)：其中R1选自氢和C1至C20脂烃，n为整数。特别地，R1选自甲基、乙基、正丁基和环己基或R1选自含C7至C20脂环脂烃，如金刚烷基、降冰片基和异冰片基。本发明还提供了包含光酸引发剂和聚合物的化学放大抗蚀组合物。聚合物为式(II)：其中R1选自氢和C1至C20脂烃；R2选自氢或甲基；R3选自叔丁基或四氢吡喃基；n和m各自为整数，其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性，对膜材料具有优良的粘合性，可利用常规显影剂显影。
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公开(公告)号：CN101206215B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200710159942.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01L3/508 , B01J2219/00659 , B01J2219/00702 , B01L2300/041 , B01L2300/0636 , B01L2300/0822
Abstract: 本发明提供一种生物芯片套件，包括：第一壳体；放置在第一壳体中并且构造成包括多个分子探针的生物芯片；以及与第一壳体结合并且构造成与第一壳体形成反应空间并且覆盖该生物芯片的第二壳体，其中第二壳体和第一壳体在构造上可移动地结合，从而可以暴露生物芯片的上表面。还提供一种使用该生物芯片套件来测试生物样品的方法。
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公开(公告)号：CN1949482B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200610132163.0
申请日：2006-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/90 , H01L21/0334 , H01L21/31144 , H01L27/10852
Abstract: 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。
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公开(公告)号：CN1740396B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200510088504.4
申请日：2005-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23F1/16
CPC classification number: C23F1/28 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23F1/16 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01F41/308 , H01F41/34 , H01L21/32134 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了一种包括去离子水和有机酸的蚀刻剂溶液，该有机酸具有羧基和氢氧基。还公开了用于形成磁存储器件的方法。
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