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公开(公告)号：CN103208262B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210539284.2
申请日：2012-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: H03K3/012 , G09G3/3674 , G09G2310/0286 , G09G2330/021 , G11C19/184 , G11C19/28
Abstract: 一种栅极驱动电路包括：上拉控制部、上拉部、进位部、第一下拉部、以及第二下拉部。上拉控制部将来自之前的级的进位信号施加到第一节点。上拉部输出基于时钟信号的第N栅极输出信号。进位部响应于施加到第一节点的信号，输出基于时钟信号的第N进位信号。第一下拉部包括彼此串联连接的多个晶体管。第一下拉部响应于之后的级的进位信号，将第一节点处的信号下拉到第二截止电压。第二下拉部响应于之后的级的进位信号，将第N栅极输出信号下拉到第一截止电压。
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公开(公告)号：CN101159274A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710163017.9
申请日：2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/528 , H01L29/786 , H01L29/41
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/285 , H01L27/3262
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底，该薄膜晶体管基底被这样构造：即使在漏电极和对应的栅极线之间存在制造引起的未对准的情况下，也因每个TFT的漏极和栅极之间的密勒电容使得在基底的整个区域上反冲电压保持恒定。每个薄膜晶体管包括：栅电极；有源层，形成在栅电极上，以与栅电极叠置；第一源电极和第二源电极，分别连接到第一数据线和第二数据线，第一数据线和第二数据线中的每条与栅极线交叉，并与栅极线绝缘；延长的漏电极，位于第一源电极和第二源电极之间，并设置在栅电极上方，以使交叉的漏电极的长度大于下面的栅电极的宽度，从而未对准引起的栅电极的位置相对于漏电极的移动基本没有改变栅电极和漏电极之间的叠置面积。
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公开(公告)号：CN101114676B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200710139128.6
申请日：2007-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹铢浣
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/124 , H01L29/42384
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底、一种薄膜晶体管基底的制造方法和一种显示面板。薄膜晶体管基底包括栅电极、栅极绝缘图案、沟道图案、第一有机绝缘图案、源电极和漏电极。栅电极形成在底部基底上。栅极绝缘图案形成在栅电极上并且比栅电极小。沟道图案形成在栅极绝缘图案上，并且沟道图案比栅电极小。第一有机绝缘图案形成在底部基底上，以覆盖沟道图案、栅极绝缘图案和栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101114119A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710090492.8
申请日：2007-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种多色调光掩模包括基底、阻光图案、第一半透射图案和第二半透射图案。阻光图案在基底上形成。第一半透射图案在基底上形成。第二半透射图案与第一半透射图案部分叠置。该多色调光掩模具有至少五种不同的透光率，这些透光率对应于在基底上划分的多个区域。
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公开(公告)号：CN103208262A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210539284.2
申请日：2012-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: H03K3/012 , G09G3/3674 , G09G2310/0286 , G09G2330/021 , G11C19/184 , G11C19/28
Abstract: 一种栅极驱动电路包括：上拉控制部、上拉部、进位部、第一下拉部、以及第二下拉部。上拉控制部将来自之前的级的进位信号施加到第一节点。上拉部输出基于时钟信号的第N栅极输出信号。进位部响应于施加到第一节点的信号，输出基于时钟信号的第N进位信号。第一下拉部包括彼此串联连接的多个晶体管。第一下拉部响应于之后的级的进位信号，将第一节点处的信号下拉到第二截止电压。第二下拉部响应于之后的级的进位信号，将第N栅极输出信号下拉到第一截止电压。
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公开(公告)号：CN1873530B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200610088744.9
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/32 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括：掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括：第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外，第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光，第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分，用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光，第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明，通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高，使得显示装置的闪烁和/或余像减少，由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。
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公开(公告)号：CN101114676A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710139128.6
申请日：2007-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 尹铢浣
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/124 , H01L29/42384
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底、一种薄膜晶体管基底的制造方法和一种显示面板。薄膜晶体管基底包括栅电极、栅极绝缘图案、沟道图案、第一有机绝缘图案、源电极和漏电极。栅电极形成在底部基底上。栅极绝缘图案形成在栅电极上并且比栅电极小。沟道图案形成在栅极绝缘图案上，并且沟道图案比栅电极小。第一有机绝缘图案形成在底部基底上，以覆盖沟道图案、栅极绝缘图案和栅电极。
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公开(公告)号：CN1873530A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610088744.9
申请日：2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/14 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括：掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括：第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外，第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光，第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分，用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光，第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明，通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高，使得显示装置的闪烁和/或余像减少，由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。
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