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公开(公告)号：CN101268521B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200680034086.3
申请日：2006-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C29/816 , G11C29/88 , G11C2213/77 , Y10S977/712
Abstract: 半导体存储装置包括具有用于存储数据的多个存储单元的存储层，以及至少一个用于记录是否存储单元是有缺陷的状态信息的位寄存层。该存储层可以是纳米级存储器件，比如分子存储器、碳纳米管存储器、原子存储器、单电子存储器、或由自下而上的化学方法制备的存储器等。
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公开(公告)号：CN101840995A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010161661.4
申请日：2010-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种电阻型随机存取存储器及其制造方法。该方法包括：形成位线堆叠，在该位线堆叠中多个局部位线垂直堆叠在衬底上；形成字线，该字线包括多个局部字线和连接线，该多个局部字线朝着位线堆叠的侧部沿垂直方向延伸，该连接线在水平方向上延伸以将多个局部字线彼此连接；以及在位线堆叠与字线之间形成电阻存储薄膜。本发明可以通过简化的工艺实现具有3D交叉点结构的高密度存储阵列。
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公开(公告)号：CN101268521A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034086.3
申请日：2006-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C29/816 , G11C29/88 , G11C2213/77 , Y10S977/712
Abstract: 半导体存储装置包括具有用于存储数据的多个存储单元的存储层，以及至少一个用于记录是否存储单元是有缺陷的状态信息的位寄存层。该存储层可以是纳米级存储器件，比如分子存储器、碳纳米管存储器、原子存储器、单电子存储器、或由自下而上的化学方法制备的存储器等。
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公开(公告)号：CN101179050A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710167818.2
申请日：2007-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴露缓冲层的顶面，去除缓冲层的由接触孔暴露的部分以便可以暴露催化剂层的顶面，以及从催化剂层的由接触孔暴露的部分生长碳纳米管以便接触孔可由碳纳米管填充。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101746717B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN200910246780.7
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/0281 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C16/26 , H01L51/0002 , H01L51/0048
Abstract: 本发明提供形成碳纳米管的方法，包括：在导电区域的侧壁上形成催化剂金属层，如金属图案或金属氮化物图案。多个碳纳米管从催化剂金属层生长。这些碳纳米管可以从催化剂金属层的侧壁生长。然后，多个碳纳米管暴露到有机溶剂。将碳纳米管暴露到有机溶剂的步骤可以由给多个碳纳米管施加离心力的步骤执行。作为选择，该暴露步骤可以包括给多个碳纳米管施加离心力，而同时将多个碳纳米管暴露到有机溶剂。
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公开(公告)号：CN103972290B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201410042203.7
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：位于衬底上的栅极图案；位于所述栅极图案下方的多沟道有源图案，所述多沟道有源图案跨越所述栅极图案并且具有不与栅极图案重叠的第一区域和与栅极图案重叠的第二区域；沿着所述第一区域的外周位于所述多沟道有源图案中的扩散层，所述扩散层包括具有一定浓度的杂质；以及位于所述多沟道有源图案上的垫片，所述垫片在所述第一区域的各侧表面上延伸而不在所述第一区域的上表面上延伸。本发明同样描述了相关的制造方法。
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公开(公告)号：CN103972290A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410042203.7
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L29/66545 , H01L29/785 , H01L2924/13067
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：位于衬底上的栅极图案；位于所述栅极图案下方的多沟道有源图案，所述多沟道有源图案跨越所述栅极图案并且具有不与栅极图案重叠的第一区域和与栅极图案重叠的第二区域；沿着所述第一区域的外周位于所述多沟道有源图案中的扩散层，所述扩散层包括具有一定浓度的杂质；以及位于所述多沟道有源图案上的垫片，所述垫片在所述第一区域的各侧表面上延伸而不在所述第一区域的上表面上延伸。本发明同样描述了相关的制造方法。
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公开(公告)号：CN101746717A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910246780.7
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/0281 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C16/26 , H01L51/0002 , H01L51/0048
Abstract: 本发明提供形成碳纳米管的方法，包括：在导电区域的侧壁上形成催化剂金属层，如金属图案或金属氮化物图案。多个碳纳米管从催化剂金属层生长。这些碳纳米管可以从催化剂金属层的侧壁生长。然后，多个碳纳米管暴露到有机溶剂。将碳纳米管暴露到有机溶剂的步骤可以由给多个碳纳米管施加离心力的步骤执行。作为选择，该暴露步骤可以包括给多个碳纳米管施加离心力，而同时将多个碳纳米管暴露到有机溶剂。
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公开(公告)号：CN101179050B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710167818.2
申请日：2007-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
Abstract: 提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴露缓冲层的顶面，去除缓冲层的由接触孔暴露的部分以便可以暴露催化剂层的顶面，以及从催化剂层的由接触孔暴露的部分生长碳纳米管以便接触孔可由碳纳米管填充。
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