公开(公告)号：CN101840995A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010161661.4

申请日：2010-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹洪植 ,  白寅圭 ,  沈贤准 ,  赵金石 ,  朴敏营

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/2409 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种电阻型随机存取存储器及其制造方法。该方法包括：形成位线堆叠，在该位线堆叠中多个局部位线垂直堆叠在衬底上；形成字线，该字线包括多个局部字线和连接线，该多个局部字线朝着位线堆叠的侧部沿垂直方向延伸，该连接线在水平方向上延伸以将多个局部字线彼此连接；以及在位线堆叠与字线之间形成电阻存储薄膜。本发明可以通过简化的工艺实现具有3D交叉点结构的高密度存储阵列。