公开(公告)号：CN101533848A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910118570.X

申请日：2009-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  沈贤准 ,  赵金石 ,  林恩京

IPC: H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器器件及相关的方法和处理系统，即提供一种非易失性存储器器件、制造该非易失性存储器器件的方法以及包括该非易失性存储器器件的处理系统。非易失性存储器器件包括：多个内部电极，在与衬底的面基本垂直的方向上延伸；多个第一外部电极，与衬底的面基本平行地延伸；以及多个第二外部电极，也与衬底的面基本平行地延伸。每个第一外部电极位于相应的内部电极的第一侧，而每个第二外部电极位于相应的内部电极的第二侧。这些器件还包括：多个可变电阻器，与内部电极、第一外部电极和第二外部电极接触。

公开(公告)号：CN101533848B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200910118570.X

申请日：2009-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  沈贤准 ,  赵金石 ,  林恩京

IPC: H01L27/24

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器器件及相关的方法和处理系统，即提供一种非易失性存储器器件、制造该非易失性存储器器件的方法以及包括该非易失性存储器器件的处理系统。非易失性存储器器件包括：多个内部电极，在与衬底的面基本垂直的方向上延伸；多个第一外部电极，与衬底的面基本平行地延伸；以及多个第二外部电极，也与衬底的面基本平行地延伸。每个第一外部电极位于相应的内部电极的第一侧，而每个第二外部电极位于相应的内部电极的第二侧。这些器件还包括：多个可变电阻器，与内部电极、第一外部电极和第二外部电极接触。

公开(公告)号：CN101459220B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200810189889.7

申请日：2008-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李将银 ,  金大谦 ,  郑峻昊 ,  吴世忠 ,  南坰兑 ,  沈贤准

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明提供一种形成电阻存储器的方法，包括：在包括导电图案的半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露导电图案，在接触孔内形成下部电极，在接触孔内在下部电极上形成可变电阻氧化层，在接触孔内在可变电阻氧化层上形成中间电极，在中间电极和绝缘层上形成缓冲氧化层，以及在缓冲氧化层上形成上部电极。本发明也公开了相关电阻存储器。

公开(公告)号：CN101840995A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010161661.4

申请日：2010-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹洪植 ,  白寅圭 ,  沈贤准 ,  赵金石 ,  朴敏营

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/2409 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种电阻型随机存取存储器及其制造方法。该方法包括：形成位线堆叠，在该位线堆叠中多个局部位线垂直堆叠在衬底上；形成字线，该字线包括多个局部字线和连接线，该多个局部字线朝着位线堆叠的侧部沿垂直方向延伸，该连接线在水平方向上延伸以将多个局部字线彼此连接；以及在位线堆叠与字线之间形成电阻存储薄膜。本发明可以通过简化的工艺实现具有3D交叉点结构的高密度存储阵列。

公开(公告)号：CN101459220A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810189889.7

申请日：2008-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李将银 ,  金大谦 ,  郑峻昊 ,  吴世忠 ,  南坰兑 ,  沈贤准

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明提供一种形成电阻存储器的方法，包括：在包括导电图案的半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露导电图案，在接触孔内形成下部电极，在接触孔内在下部电极上形成可变电阻氧化层，在接触孔内在可变电阻氧化层上形成中间电极，在中间电极和绝缘层上形成缓冲氧化层，以及在缓冲氧化层上形成上部电极。本发明也公开了相关电阻存储器。