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公开(公告)号：CN119317142A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410889478.8
申请日：2024-07-04
Applicant: 三星电子株式会社 , 崇实大学校产学协力团
Abstract: 本公开提供一种半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道层，包括第一III‑V族半导体材料；势垒层，提供在沟道层的上表面上，势垒层包括与第一III‑V族半导体材料不同的第二III‑V族半导体材料；多个源极/漏极，在势垒层的上表面上彼此间隔开；栅极绝缘层，覆盖势垒层的上表面和所述多个源极/漏极的上表面；栅极，提供在栅极绝缘层的上表面上，栅极不与所述多个源极/漏极重叠；多个源/漏电极，电连接到所述多个源极/漏极当中的对应源极/漏极；以及栅电极，电连接到栅极，其中所述多个源/漏电极具有对角对称的布置。
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公开(公告)号：CN118335852A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410029785.9
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种转移微型半导体芯片的方法和转移结构。该方法包括：提供多个基底转移基板，每个所述基底转移基板包括多个凹槽；在第一底部基板上对准所述多个基底转移基板；在第二底部基板上对准所述多个基底转移基板；通过将微型半导体芯片转移到第一底部基板的基底转移基板来提供目标转移结构；通过将微型半导体芯片转移到第二底部基板的基底转移基板来提供初步转移结构；以及将目标转移结构的基底转移结构当中的未转移微型半导体芯片的错误基底转移结构替换为初步目标转移结构的基底转移结构当中的在其上转移了微型半导体芯片的正常基底转移结构。
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公开(公告)号：CN117199207A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310252105.5
申请日：2023-03-14
Abstract: 提供一种微型芯片，包括具有第一表面和面对第一表面的第二表面的芯片主体、以及在第二表面上的电极层，其中第一表面的表面粗糙度小于电极层的上表面的表面粗糙度，使得第一表面和外部接触表面之间的范德华力大于电极层和外部接触表面之间的范德华力。
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公开(公告)号：CN110164904A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201811561259.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。
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公开(公告)号：CN119317287A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410919276.3
申请日：2024-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种显示装置及制造显示装置的方法。该显示装置包括：显示基板，包括驱动电路；阵列层，提供在显示基板上并且包括多个凹槽；微型半导体芯片，提供在所述多个凹槽中的凹槽中；第二电极，从显示基板的下表面连接到第一类型半导体层；第一布线，连接到第一电极；以及第二布线，连接到第二电极，微型半导体芯片包括：第一类型半导体层；有源层，提供在第一类型半导体层上；第二类型半导体层，提供在有源层上；第一电极，提供在第二类型半导体层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118693123A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410323862.1
申请日：2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种显示装置以及制造该显示装置的方法。显示装置包括：显示基板，在其中包括多条布线；第一焊盘，提供在显示基板上并连接到所述多条布线中的第一布线；第二焊盘，提供在显示基板上、与第一焊盘间隔开并连接到所述多条布线中的第二布线；以及微型半导体芯片，包括第一电极、提供在第一电极上的p型半导体层、提供在p型半导体层上的有源层、提供在有源层上的n型半导体层以及提供在n型半导体层上的第二电极，其中微型半导体芯片具有垂直电极结构，第一电极连接到第一焊盘，第二电极连接到第二焊盘。
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公开(公告)号：CN110164904B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201811561259.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。
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