公开(公告)号：CN117199207A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310252105.5

申请日：2023-03-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  忠北大学校 ,  产学协力团

Inventor： 黄京旭 ,  郑在旭 ,  黄俊式 ,  金东均 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑 ,  宋相勋 ,  刘珉哲

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L27/15

Abstract: 提供一种微型芯片，包括具有第一表面和面对第一表面的第二表面的芯片主体、以及在第二表面上的电极层，其中第一表面的表面粗糙度小于电极层的上表面的表面粗糙度，使得第一表面和外部接触表面之间的范德华力大于电极层和外部接触表面之间的范德华力。

公开(公告)号：CN117096158A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310422743.7

申请日：2023-04-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  崇实大学校产学协力团

Inventor： 黄俊式 ,  柳建旭 ,  李镐瑨 ,  金容灿 ,  黄京旭

IPC: H01L27/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L25/16

Abstract: 公开了驱动电路板、电子装置和制造电子装置的方法。驱动电路板包括：多个驱动电极区域，在驱动电路板的表面上；多个驱动电极，在所述多个驱动电极区域中的每个上对称地布置；以及驱动电路，电连接到所述多个驱动电极中的至少一个，其中所述多个驱动电极包括不连接到驱动电路的至少一个虚设电极。

公开(公告)号：CN112864288A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202010434777.4

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 黄京旭 ,  姜承镇 ,  尹义埈 ,  黄俊式 ,  金钟明 ,  吴制鸿 ,  刘晶日 ,  李承盿

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L33/26 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54

Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层，第二电极被提供为接触第二半导体层。

公开(公告)号：CN119317142A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410889478.8

申请日：2024-07-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  崇实大学校产学协力团

Inventor： 吴映泽 ,  柳建旭 ,  黄京旭 ,  朴昌根 ,  宋相勋 ,  廉旼宰 ,  李圭炯 ,  黄俊式

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H10D62/824 ,  H10D84/40

Abstract: 本公开提供一种半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道层，包括第一III‑V族半导体材料；势垒层，提供在沟道层的上表面上，势垒层包括与第一III‑V族半导体材料不同的第二III‑V族半导体材料；多个源极/漏极，在势垒层的上表面上彼此间隔开；栅极绝缘层，覆盖势垒层的上表面和所述多个源极/漏极的上表面；栅极，提供在栅极绝缘层的上表面上，栅极不与所述多个源极/漏极重叠；多个源/漏电极，电连接到所述多个源极/漏极当中的对应源极/漏极；以及栅电极，电连接到栅极，其中所述多个源/漏电极具有对角对称的布置。

公开(公告)号：CN112864288B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202010434777.4

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 黄京旭 ,  姜承镇 ,  尹义埈 ,  黄俊式 ,  金钟明 ,  吴制鸿 ,  刘晶日 ,  李承盿

IPC: H10H20/81 ,  H10H20/82 ,  H10H20/822 ,  H10H20/84 ,  H10H20/853

Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层，第二电极被提供为接触第二半导体层。

公开(公告)号：CN117352619A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310762544.0

申请日：2023-06-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金东湖 ,  张镐元 ,  黄京旭 ,  黄俊式 ,  朴昭贤 ,  吴制鸿 ,  刘晶日

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/42 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明公开了一种发光器件和包括该发光器件的显示装置。该发光器件可以包括多个发光棒。所述多个发光棒中的每个可以包括具有棒形状的第一半导体层、设置在第一半导体层的多个表面周围的具有壳形状的有源层、以及设置在有源层的多个表面周围的具有壳形状的第二半导体层。发光器件可以进一步包括：绝缘层，设置在所述多个发光棒之间的空间中；透明电极，电连接到所述多个发光棒中的每个的第一半导体层；以及反射电极，电连接到所述多个发光棒中的每个的第二半导体层。

公开(公告)号：CN111341800B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201911075614.5

申请日：2019-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孔基毫 ,  崔濬熙 ,  郑得锡 ,  黄俊式

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50

Abstract: 提供一种制造显示装置的方法和显示装置以及制造半导体器件的方法。制造显示装置的方法包括在衬底的第一区域上形成发射层和驱动层，在衬底的第二区域上形成电连接到驱动层的曝光线，以及通过使用曝光线从发射层发射光而在驱动层上形成颜色转换层。

公开(公告)号：CN117096249A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310568691.4

申请日：2023-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  金东湖 ,  黄俊式 ,  宋相勋

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/58 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

Abstract: 公开了一种颜色转换结构、显示装置和用于制造该颜色转换结构的方法。该颜色转换结构包括基底、提供在基底上的光子晶体结构和包括在光子晶体结构中的量子点。该颜色转换结构具有可转移的结构。

公开(公告)号：CN116207124A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211531848.8

申请日：2022-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东湖 ,  黄京旭 ,  朴俊勇 ,  黄俊式

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/54 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了一种微型发光半导体器件，包括：第一半导体层、提供在第一半导体层上的发光层、提供在发光层上的第二半导体层、以及提供在第二半导体层上的颜色转换层，颜色转换层包括多孔层，该多孔层包括量子点，其中第二半导体层的掺杂类型与颜色转换层的掺杂类型不同。

公开(公告)号：CN102006540A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010230193.1

申请日：2010-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄俊式 ,  金东均 ,  郑锡焕 ,  郑秉吉

IPC: H04R17/00 ,  H04R31/00

CPC classification number: H04R17/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2440/07

Abstract: 本发明提供一种具有活塞膈膜的压电微扬声器及其制造方法。该压电微扬声器包括：基板，具有形成在其中的腔室；振动膜，设置在基板上并至少覆盖腔室的中心部分；压电致动器，设置在振动膜上，从而使振动膜振动；以及活塞隔膜，设置在腔室中并通过振动膜的振动进行活塞运动。当振动膜由于压电致动器而振动时，通过活塞杆连接到振动膜的活塞隔膜在腔室中进行活塞运动。