公开(公告)号：CN107039301B

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201611140361.1

申请日：2016-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边永镛 ,  宋浩圣 ,  金致旭

IPC: H01L21/66

Abstract: 公开了测试架构、测试系统及在晶圆级测试半导体装置的方法。从具有测试架构的晶圆制造半导体芯片的方法包括：在晶圆上形成多个裸片，多个裸片中每一个都包括半导体装置，形成通常耦合至裸片的至少两个共用焊盘，这至少两个共用焊盘在划片通道中形成，划片通道将裸片彼此划分，以及使用至少两个共用焊盘同时在晶圆级测试半导体装置。

公开(公告)号：CN1297006C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN02121733.5

申请日：2002-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋基焕 ,  宋浩圣

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/10 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C7/04 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222

Abstract: 本发明提供了一种包括温度传感器电路的、用于集成电路器件的时钟发生电路，该温度传感器电路包括响应温度编码信号的校准电路和温度传感器。该温度传感器电路具有温度传感器电路的温度输出信号是基于温度传感器输出控制信号的第一或测试模式和温度输出信号是基于温度传感器和校准电路的第二或正常工作模式。时钟周期控制器电路包括响应周期编码信号的校准电路。该时钟周期控制器电路根据温度输出信号和时钟周期控制器电路的校准电路生成周期控制信号。时钟发生器电路根据周期控制信号生成时钟信号。还提供了集成电路存储器件和控制存储器件的刷新周期的方法。

公开(公告)号：CN1992075B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200610171271.9

申请日：2006-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋喆焕 ,  宋浩圣

IPC: G11C8/18 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C8/18 ,  G11C7/04 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22 ,  G11C8/12 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4082 ,  G11C29/18

Abstract: 一种半导体器件的地址转换器包括：时钟产生部分，用于当施加了电源时产生至少一个时钟信号；控制信号设置装置，用于在模式设置操作期间设置控制信号；极性选择信号产生部分，用于响应于所述至少一个时钟信号和所述控制信号，产生至少一个极性选择信号；和地址转换部分，用于响应于所述至少一个极性选择信号来转换从外部部分施加的地址的至少一位以输出转换的地址。

公开(公告)号：CN1825480A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610009251.1

申请日：2006-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南正植 ,  宋浩圣

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/419 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C7/12 ,  G11C7/22 ,  G11C8/08

Abstract: 一种半导体存储器件可以具有存储单元阵列，在行和列的交叉处置有各个存储单元。半导体存储器件还可以包括至少一个译码器和至少一个延迟控制器。译码器可以选择存储单元的行或列。信号延迟控制器可以基于与所选的行或列相关联的至少一个存储单元的位置和所选存储单元的线负载电容值中的至少一个，控制由至少一个译码器施加到行或列的激活信号的延迟。

公开(公告)号：CN1825480B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200610009251.1

申请日：2006-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南正植 ,  宋浩圣

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/419 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C7/12 ,  G11C7/22 ,  G11C8/08

Abstract: 一种半导体存储器件可以具有存储单元阵列，在行和列的交叉处置有各个存储单元。半导体存储器件还可以包括至少一个译码器和至少一个延迟控制器。译码器可以选择存储单元的行或列。信号延迟控制器可以基于与所选的行或列相关联的至少一个存储单元的位置和所选存储单元的线负载电容值中的至少一个，控制由至少一个译码器施加到行或列的激活信号的延迟。

公开(公告)号：CN1992075A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610171271.9

申请日：2006-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋喆焕 ,  宋浩圣

IPC: G11C8/18 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C8/18 ,  G11C7/04 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22 ,  G11C8/12 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4082 ,  G11C29/18

Abstract: 一种半导体器件的地址转换器包括：时钟产生部分，用于当施加了电源时产生至少一个时钟信号；控制信号设置装置，用于在模式设置操作期间设置控制信号；极性选择信号产生部分，用于响应于所述至少一个时钟信号和所述控制信号，产生至少一个极性选择信号；和地址转换部分，用于响应于所述至少一个极性选择信号来转换从外部部分施加的地址的至少一位以输出转换的地址。

公开(公告)号：CN107039301A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611140361.1

申请日：2016-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边永镛 ,  宋浩圣 ,  金致旭

IPC: H01L21/66

Abstract: 公开了测试架构、测试系统及在晶圆级测试半导体装置的方法。从具有测试架构的晶圆制造半导体芯片的方法包括：在晶圆上形成多个裸片，多个裸片中每一个都包括半导体装置，形成通常耦合至裸片的至少两个共用焊盘，这至少两个共用焊盘在划片通道中形成，划片通道将裸片彼此划分，以及使用至少两个共用焊盘同时在晶圆级测试半导体装置。

公开(公告)号：CN1389917A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02121733.5

申请日：2002-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋基焕 ,  宋浩圣

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/10 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C7/04 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222

Abstract: 本发明提供了一种包括温度传感器电路的、用于集成电路器件的时钟发生电路,该温度传感器电路包括响应温度编码信号的校准电路和温度传感器。该温度传感器电路具有温度传感器电路的温度输出信号是基于温度传感器输出控制信号的第一或测试模式、和温度输出信号是基于温度传感器和校准电路的第二或正常工作模式。时钟周期控制器电路包括响应周期编码信号的校准电路。该时钟周期控制器电路根据温度输出信号和时钟周期控制器电路的校准电路生成周期控制信号。时钟发生器电路根据周期控制信号生成时钟信号。还提供了集成电路存储器件和控制存储器件的刷新周期的方法。