公开(公告)号：CN1658071A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200410075896.6

申请日：2004-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东勋 ,  安钟现 ,  柳到烈 ,  姜成建

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70633 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54466 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于测量和校正图案对准误差的叠层标记。该叠层标记包括至少一形成在半导体衬底上的孔阵列和至少一靠近孔阵列的线沟槽。孔阵列可沿着预定方向靠近线沟槽形成。当检测形成在半导体衬底的预定部分的图案的对准误差时，叠层标记可提供具有理想宽度和高水平的光对比度，从而可以利用叠层标记精确检测并校正形成在半导体衬底上的图案的对准误差。

公开(公告)号：CN101000910B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710002012.8

申请日：2007-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹祺锡 ,  安钟现 ,  卢官钟 ,  李惠庆

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及相关制造方法。所述器件包括：具有形成于半导体衬底中的角部的沟槽；形成于沟槽的内壁上且具有暴露半导体衬底的角部的上端部的第一氧化物膜；形成于第一氧化物膜上的氮化物衬垫；形成与第一氧化物膜的上端接触并在半导体衬底的暴露的角部和上表面上的第二氧化物膜，其中第二氧化物膜薄于第一氧化物膜；形成于氮化物衬垫上以基本填充沟槽的场绝缘膜；和形成与第二氧化物膜接触且填充形成于场绝缘膜和第二氧化物膜之间的沟槽边缘凹形的场保护膜。本发明可以减小结漏电流的可能性。

公开(公告)号：CN101000910A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710002012.8

申请日：2007-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹祺锡 ,  安钟现 ,  卢官钟 ,  李惠庆

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及相关制造方法。所述器件包括：具有形成于半导体衬底中的角部的沟槽；形成于沟槽的内壁上且具有暴露半导体衬底的角部的上端部的第一氧化物膜；形成于第一氧化物膜上的氮化物衬垫；形成与第一氧化物膜的上端接触并在半导体衬底的暴露的角部和上表面上的第二氧化物膜；形成于氮化物衬垫上以基本填充沟槽的场绝缘膜；和形成与第二氧化物膜接触且填充形成于场绝缘膜和第二氧化物膜之间的沟槽边缘凹形的场保护膜。本发明可以减小结漏电流的可能性。

公开(公告)号：CN1290203C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN02126438.4

申请日：2002-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳赫株 ,  安钟现

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供一种半导体器件结构及其制造方法。该半导体器件结构包括栅电极和晕环离子注入区，其中，栅电极具有T型结构，由具有低栅阻抗和低寄生电容的第一和第二栅电极组成，并且在晕环离子注入区中可以有效抑制短沟道效应。制造该设备的方法能够执行大角度离子注入，而无需扩大栅间距。

公开(公告)号：CN1405894A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02126438.4

申请日：2002-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳赫株 ,  安钟现

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供一种半导体器件结构及其制造方法。该半导体器件结构包括门电极和晕环离子注入区，其中，门电极具有T型结构，由具有低门阻抗和低寄生电容的第一和第二门电极组成，并且在晕环离子注入区中可以有效抑制短通道效应。制造该设备的方法能够执行大角度离子注入，而无需扩大门间距。