公开(公告)号：CN1290203C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN02126438.4

申请日：2002-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳赫株 ,  安钟现

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供一种半导体器件结构及其制造方法。该半导体器件结构包括栅电极和晕环离子注入区，其中，栅电极具有T型结构，由具有低栅阻抗和低寄生电容的第一和第二栅电极组成，并且在晕环离子注入区中可以有效抑制短沟道效应。制造该设备的方法能够执行大角度离子注入，而无需扩大栅间距。

公开(公告)号：CN1307709C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN03136796.8

申请日：2003-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳赫株 ,  金永郁 ,  吴昌奉 ,  姜熙晟

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明公开了一种具有硅锗栅极的半导体器件及其制作方法。该半导体器件为CMOS半导体器件。在该方法中，在半导体衬底上依次形成栅极绝缘层、作为籽晶层的导电电极层、硅锗电极层和非晶导电电极层。然后进行光刻工艺以去除NMOS区中的硅锗电极层，使得硅锗层仅在PMOS区中形成而不在NMOS区中形成。

公开(公告)号：CN1453850A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03136796.8

申请日：2003-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳赫株 ,  金永郁 ,  吴昌奉 ,  姜熙晟

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明公开了一种具有硅锗栅极的半导体器件及其制作方法。该半导体器件为CMOS半导体器件。在该方法中，在半导体衬底上依次形成栅极绝缘层、作为籽晶层的导电电极层、硅锗电极层和非晶导电电极层。然后进行光刻工艺以去除NMOS区中的硅锗电极层，使得硅锗层仅在PMOS区中形成而不在NMOS区中形成。

公开(公告)号：CN1652465B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200510004199.6

申请日：2005-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳赫株 ,  姜熙晟 ,  金景洙

IPC: H03K19/00 ,  H03K19/0948

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/0013 ,  H03K2217/0018

Abstract: 本发明涉及一种用于减小对动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的栅极电压(Vgg)幅度的限制的配置，该配置可以包括：包含栅极和主体的MOS晶体管；以及体偏压(Vbb)调节器(Vbb调节器)电路，用于将该MOS晶体管的经过调整的Vgg作为动态体偏压(Vbb)提供给该MOS晶体管的主体。

公开(公告)号：CN1652465A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510004199.6

申请日：2005-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳赫株 ,  姜熙晟 ,  金景洙

IPC: H03K19/00 ,  H03K19/0948

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/0013 ,  H03K2217/0018

Abstract: 本发明涉及一种用于减小对动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的栅极电压(Vgg)幅度的限制的配置，该配置可以包括：包含栅极和主体的MOS晶体管；以及体偏压(Vbb)调节器(Vbb调节器)电路，用于将该MOS晶体管的经过调整的Vgg作为动态体偏压(Vbb)提供给该MOS晶体管的主体。

公开(公告)号：CN1405894A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02126438.4

申请日：2002-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳赫株 ,  安钟现

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供一种半导体器件结构及其制造方法。该半导体器件结构包括门电极和晕环离子注入区，其中，门电极具有T型结构，由具有低门阻抗和低寄生电容的第一和第二门电极组成，并且在晕环离子注入区中可以有效抑制短通道效应。制造该设备的方法能够执行大角度离子注入，而无需扩大门间距。