公开(公告)号：CN110323206B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN201910246824.X

申请日：2019-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 詹瞻 ,  金洲铉 ,  姜成建 ,  李化成

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种测试元件组包括：测试元件，该测试元件包括在第一节点与第二节点之间串联连接的多个测试晶体管，其中第二节点连接到地节点；第一晶体管，连接在第一节点与电源节点之间；以及第二晶体管，被配置为生成与第一节点处的电压成比例的输出电流，并且连接到第一节点和电源节点。

公开(公告)号：CN110323206A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910246824.X

申请日：2019-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 詹瞻 ,  金洲铉 ,  姜成建 ,  李化成

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种测试元件组包括：测试元件，该测试元件包括在第一节点与第二节点之间串联连接的多个测试晶体管，其中第二节点连接到地节点；第一晶体管，连接在第一节点与电源节点之间；以及第二晶体管，被配置为生成与第一节点处的电压成比例的输出电流，并且连接到第一节点和电源节点。

公开(公告)号：CN110620056B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201910192150.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔芝影 ,  詹瞻 ,  金敏燮 ,  金洲铉 ,  姜成建 ,  李化成

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了一种检测半导体装置的故障的方法，所述方法包括：在基底的有源区上形成有源鳍，所述有源鳍在第一方向上延伸；在有源鳍上形成栅极结构，所述栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；在栅极结构的相对侧处的有源鳍的对应部分上形成源极/漏极层；形成电连接到源极/漏极层的布线；以及施加电压以测量源极/漏极层之间的漏电流。可以在有源区上形成仅一个或两个有源鳍。可以在有源鳍上形成仅一个或两个栅极结构。

公开(公告)号：CN110620056A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910192150.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔芝影 ,  詹瞻 ,  金敏燮 ,  金洲铉 ,  姜成建 ,  李化成

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了一种检测半导体装置的故障的方法，所述方法包括：在基底的有源区上形成有源鳍，所述有源鳍在第一方向上延伸；在有源鳍上形成栅极结构，所述栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；在栅极结构的相对侧处的有源鳍的对应部分上形成源极/漏极层；形成电连接到源极/漏极层的布线；以及施加电压以测量源极/漏极层之间的漏电流。可以在有源区上形成仅一个或两个有源鳍。可以在有源鳍上形成仅一个或两个栅极结构。

公开(公告)号：CN1658071A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200410075896.6

申请日：2004-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东勋 ,  安钟现 ,  柳到烈 ,  姜成建

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70633 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54466 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于测量和校正图案对准误差的叠层标记。该叠层标记包括至少一形成在半导体衬底上的孔阵列和至少一靠近孔阵列的线沟槽。孔阵列可沿着预定方向靠近线沟槽形成。当检测形成在半导体衬底的预定部分的图案的对准误差时，叠层标记可提供具有理想宽度和高水平的光对比度，从而可以利用叠层标记精确检测并校正形成在半导体衬底上的图案的对准误差。