公开(公告)号：CN101000910B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710002012.8

申请日：2007-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹祺锡 ,  安钟现 ,  卢官钟 ,  李惠庆

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及相关制造方法。所述器件包括：具有形成于半导体衬底中的角部的沟槽；形成于沟槽的内壁上且具有暴露半导体衬底的角部的上端部的第一氧化物膜；形成于第一氧化物膜上的氮化物衬垫；形成与第一氧化物膜的上端接触并在半导体衬底的暴露的角部和上表面上的第二氧化物膜，其中第二氧化物膜薄于第一氧化物膜；形成于氮化物衬垫上以基本填充沟槽的场绝缘膜；和形成与第二氧化物膜接触且填充形成于场绝缘膜和第二氧化物膜之间的沟槽边缘凹形的场保护膜。本发明可以减小结漏电流的可能性。

公开(公告)号：CN101000910A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710002012.8

申请日：2007-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹祺锡 ,  安钟现 ,  卢官钟 ,  李惠庆

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及相关制造方法。所述器件包括：具有形成于半导体衬底中的角部的沟槽；形成于沟槽的内壁上且具有暴露半导体衬底的角部的上端部的第一氧化物膜；形成于第一氧化物膜上的氮化物衬垫；形成与第一氧化物膜的上端接触并在半导体衬底的暴露的角部和上表面上的第二氧化物膜；形成于氮化物衬垫上以基本填充沟槽的场绝缘膜；和形成与第二氧化物膜接触且填充形成于场绝缘膜和第二氧化物膜之间的沟槽边缘凹形的场保护膜。本发明可以减小结漏电流的可能性。