公开(公告)号：CN1652248B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200410047184.3

申请日：2004-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜荣九 ,  崔钟贤 ,  郑又燮 ,  张奇豪 ,  崔重镛

IPC: G11C7/00 ,  G06F13/00

CPC classification number: G06F12/00 ,  G06F12/02 ,  G06F13/00 ,  G11C7/00 ,  G11C7/22 ,  G11C8/00 ,  G11C11/401 ,  G11C11/407

Abstract: 一种用于设置存储装置的运行模式的存储系统、存储装置和方法，包括：存储单元阵列；行解码器和列解码器，根据多比特位地址信号分别选择存储单元阵列的行和列；以及模式控制电路，接收来自用于选择行或列的多比特位地址信号中的至少一个比特位，并根据该至少一个比特位来设置存储装置的运行模式，其中运行模式是突发长度模式，DLL复位模式，测试模式，CAS执行时间模式以及突发类型模式中的一种。

公开(公告)号：CN1652248A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200410047184.3

申请日：2004-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜荣九 ,  崔钟贤 ,  郑又燮 ,  张奇豪 ,  崔重镛

IPC: G11C7/00 ,  G06F13/00

CPC classification number: G06F12/00 ,  G06F12/02 ,  G06F13/00 ,  G11C7/00 ,  G11C7/22 ,  G11C8/00 ,  G11C11/401 ,  G11C11/407

Abstract: 一种用于设置存储装置的运行模式的存储系统、存储装置和方法，包括：存储单元阵列；行解码器和列解码器，根据多比特位地址信号分别选择存储单元阵列的行和列；以及模式控制电路，接收来自用于选择行或列的多比特位地址信号中的至少一个比特位，并根据该至少一个比特位来设置存储装置的运行模式，其中运行模式是脉冲长度模式，DLL复位模式，测试模式，CAS执行时间模式以及脉冲类型模式中的一种。

公开(公告)号：CN1433026A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03101052.0

申请日：2003-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林奎南 ,  柳济焕 ,  姜荣九 ,  李钟元 ,  沈载润

IPC: G11C11/4063

CPC classification number: G11C7/04 ,  G11C7/06 ,  G11C7/22 ,  G11C7/227 ,  G11C2207/2281

Abstract: 公开了一种具有位线感知使能信号生成电路的半导体存储器件。该半导体存储器件，包括：字线选择信号生成电路，用于为选择字线而生成字线选择信号；延时电路，用于通过将参考信号延时至字线选择信号生成电路所需的、相同时间程度来生成经延时的信号，以生成字线选择信号；和施密特触发器，用于通过接收来自延时电路的输出信号来生成字线使能检测信号，并且将该施密特触发器连接到电源电压，该电源电压的电压电平与用于使字线有效的电压电平相同。相对于传统的半导体存储器件，根据本发明的位线感知使能信号生成电路占有较小的布局面积。此外，该生成电路生成位线感知使能信号，该信号具有恒定的延时而不受过程变化或者电压和温度波动的影响。

公开(公告)号：CN100466099C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN03101052.0

申请日：2003-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林奎南 ,  柳济焕 ,  姜荣九 ,  李钟元 ,  沈载润

IPC: G11C11/4063

CPC classification number: G11C7/04 ,  G11C7/06 ,  G11C7/22 ,  G11C7/227 ,  G11C2207/2281

Abstract: 公开了一种具有位线感知使能信号生成电路的半导体存储器件。该半导体存储器件，包括：字线选择信号生成电路，用于为选择字线而生成字线选择信号；延时电路，用于通过将参考信号延时至字线选择信号生成电路所需的、相同时间程度来生成经延时的信号，以生成字线选择信号；和施密特触发器，用于通过接收来自延时电路的输出信号来生成字线使能检测信号，并且将该施密特触发器连接到电源电压，该电源电压的电压电平与用于使字线有效的电压电平相同。相对于传统的半导体存储器件，根据本发明的位线感知使能信号生成电路占有较小的布局面积。此外，该生成电路生成位线感知使能信号，该信号具有恒定的延时而不受过程变化或者电压和温度波动的影响。

公开(公告)号：CN1822212A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610006091.5

申请日：2006-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔重镛 ,  姜荣九 ,  张奇豪

IPC: G11C7/04 ,  G11C11/401

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C11/40615 ,  G11C2211/4067

Abstract: 公开了一种支持自更新操作的半导体存储装置，并且该存储装置包括地址缓冲器单元和操作控制单元。在自更新操作期间通过第一外部控制信号来使能地址缓冲器单元，以产生内部地址信号。操作控制单元响应内部地址信号来控制自更新操作的开始。

公开(公告)号：CN118263226A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311466368.2

申请日：2023-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田澈熙 ,  朴星镐 ,  姜荣九 ,  林仁镐

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体设备包括半导体管芯、芯片保护环、第一裂缝检测结构、第二裂缝检测结构和检测控制器。半导体管芯包括布置有半导体集成电路的中心区域和围绕中心区域的外部区域。半导体设备可以通过在第一阶段分别向第一裂缝检测结构和第二裂缝检测结构施加具有电压电平差的第一功率和第二功率来加速在第一裂缝检测结构周围出现的裂缝的进展，可以在第二阶段向第一裂缝检测结构施加测试输入信号，并且可以在第二阶段基于在第二裂缝检测结构中是否检测到响应于测试输入信号的测试输出信号来确定在中心区域中是否出现渐进裂缝。

公开(公告)号：CN1822212B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200610006091.5

申请日：2006-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔重镛 ,  姜荣九 ,  张奇豪

IPC: G11C7/04 ,  G11C11/401

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C11/40615 ,  G11C2211/4067

Abstract: 公开了一种支持自更新操作的半导体存储装置，并且该存储装置包括：地址缓冲器单元，其可控制以在自更新操作期间被使能，并且其适配为响应第一外部控制信号和外部地址信号而产生内部地址信号以在自更新操作期间控制微调操作；以及操作控制单元，其适配为通过使用微调地址信号执行微调操作，该微调地址信号在自更新操作期间响应内部地址信号而产生，其中操作控制单元包括：微调地址信号发生器，其适配为响应内部地址信号而生成微调地址信号；以及温度感测电路，其适配为响应微调地址信号来执行微调操作，并且响应由精确的断路点定义的存储装置的温度变化而生成温度信号。