公开(公告)号：CN118263226A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311466368.2

申请日：2023-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田澈熙 ,  朴星镐 ,  姜荣九 ,  林仁镐

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体设备包括半导体管芯、芯片保护环、第一裂缝检测结构、第二裂缝检测结构和检测控制器。半导体管芯包括布置有半导体集成电路的中心区域和围绕中心区域的外部区域。半导体设备可以通过在第一阶段分别向第一裂缝检测结构和第二裂缝检测结构施加具有电压电平差的第一功率和第二功率来加速在第一裂缝检测结构周围出现的裂缝的进展，可以在第二阶段向第一裂缝检测结构施加测试输入信号，并且可以在第二阶段基于在第二裂缝检测结构中是否检测到响应于测试输入信号的测试输出信号来确定在中心区域中是否出现渐进裂缝。

公开(公告)号：CN110176260B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN201910119977.8

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申岘昇 ,  朴星镐 ,  金灿景 ,  朴涌植 ,  辛尚勋

IPC: G11C5/06 ,  G11C7/10

Abstract: 一种存储器器件包括：形成在半导体管芯中的存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元；以及形成在半导体管芯中的计算电路。计算电路基于广播数据和内部数据执行计算，并省略关于无效数据的计算，并且在跳跃计算模式下基于索引数据来执行关于有效数据的计算，其中，广播数据是从半导体管芯的外部提供的，内部数据是从存储器单元阵列读取的，并且索引数据指示内部数据是有效数据还是无效数据。基于索引数据通过跳跃计算模式省略关于无效数据的计算和读取操作降低了功耗。

公开(公告)号：CN110176260A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910119977.8

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申岘昇 ,  朴星镐 ,  金灿景 ,  朴涌植 ,  辛尚勋

IPC: G11C5/06 ,  G11C7/10

Abstract: 一种存储器器件包括：形成在半导体管芯中的存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元；以及形成在半导体管芯中的计算电路。计算电路基于广播数据和内部数据执行计算，并省略关于无效数据的计算，并且在跳跃计算模式下基于索引数据来执行关于有效数据的计算，其中，广播数据是从半导体管芯的外部提供的，内部数据是从存储器单元阵列读取的，并且索引数据指示内部数据是有效数据还是无效数据。基于索引数据通过跳跃计算模式省略关于无效数据的计算和读取操作降低了功耗。