公开(公告)号：CN103871339A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310671518.3

申请日：2013-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明求 ,  郑载宇 ,  河永旭

IPC: G09G3/00 ,  H04N5/455

CPC classification number: G06F3/0416 ,  G06F3/041

Abstract: 公开了一种包括传感器接口的显示模块芯片组、以及具有该显示模块芯片组的显示设备。提供了一种定时控制器。该定时控制器包括：定时生成电路，其被配置为响应于多个控制信号生成多个定时控制信号，以控制显示在平面显示面板上的图像数据的定时；以及命令生成电路，其被配置为分析由至少一个传感器输出的感测信号，并基于分析的结果生成与图像数据的处理相关联的命令。命令生成电路可以构建在数据驱动器中，或者可以通过使用单独的专用芯片来实施。

公开(公告)号：CN101217018A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200710199477.7

申请日：2007-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋锡天 ,  李埈泳 ,  姜明求 ,  康盛旭 ,  朴钟和 ,  金荣光

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G09G5/36 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/20 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/027 ,  G09G2310/0283 ,  G09G2310/0297 ,  G09G2330/021

Abstract: 本发明公开了一种显示设备及其驱动方法。所述显示设备包括：显示面板，其包括多个像素；栅极驱动器，在第一期间顺序施加栅极导通电压到多个像素；和数据驱动器，在第一期间为多个像素中的至少两个像素产生数据电压，且分别将数据电压施加到多个像素中至少两个像素，其中施加到多个像素中至少两个像素的数据电压施加顺序在两相邻帧中反转。

公开(公告)号：CN100364053C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200380101946.7

申请日：2003-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明求 ,  金县裁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01S3/10 ,  B23K26/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/48

CPC classification number: H01L27/1285 ,  B23K26/02 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种用于将激光束辐照到非晶硅薄膜上的装置，该非晶硅薄膜形成在基片上。该装置包括平板，可安装基片；激光振荡器，用于产生激光束；投影透镜，用于将该激光束聚焦并引导到薄膜上；反射器，用于反射被引导到薄膜上的激光束；控制器，用于控制反射器的位置；以及吸收器，用于吸收通过反射器反射的激光束。

公开(公告)号：CN1636162A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN03804247.9

申请日：2003-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明求 ,  金县裁 ,  姜淑映 ,  郑宇席

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/42384 ,  G02F1/13454 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管和一种液晶显示器。为了在不增加驱动电路尺寸的情况下使得TFT的电荷迁移率一致，将栅极电极形成为包括沿垂直于晶粒生长方向延伸的至少一部分。根据本发明的薄膜晶体管包括一半导体图案，半导体图案包括含有在绝缘衬底上生长的晶粒的多晶硅薄膜。该半导体图案包括一沟道区以及关于该沟道区相对设置的源区和漏区。一栅极绝缘层覆盖半导体图案。在栅极绝缘层上，形成一包括沿着与晶粒生长方向交叉的方向延伸并与沟道区相重叠的至少一部分的栅极电极。在根据本发明的液晶显示器中，形成数据驱动电路的多个薄膜晶体管包括通过顺序横向固化形成的多晶硅薄膜，各薄膜晶体管的栅极电极的至少一部分沿横跨晶粒生长方向的方向延伸，而且，所述多个薄膜晶体管中至少一个的栅极电极具有不同于其它薄膜晶体管的图案。

公开(公告)号：CN1586013A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822606.2

申请日：2002-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明求 ,  金縣裁 ,  姜淑映

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S260/35

Abstract: 用于形成多晶硅的掩膜包括：第一狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第二狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第三狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；以及第四狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度。排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的宽度沿着水平方向顺次以第一狭缝区域的狭缝图案宽度d的倍数比例增加。沿着水平方向排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的中心位于同一线上。在各自狭缝区域沿垂直方向排列的狭缝图案以8＊d间距彼此隔开。可选地，第一至第四狭缝区域可以相反的顺序排列，或者沿垂直方向排列。

公开(公告)号：CN1501437A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN03164983.1

申请日：2003-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金县裁 ,  姜淑映 ,  姜明求

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种用于多晶化的掩模和用其制造薄膜晶体管的方法。在根据本发明的薄膜晶体管的制造方法中，首先在绝缘衬底上形成非晶硅薄膜并在其上形成平整层。其后，通过使用激光照射的固化工艺晶化非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，构图多晶硅薄膜和平整层以形成半导体层，并且形成覆盖半导体层的栅极绝缘层。接着，在与半导体层相对的栅极绝缘层上形成栅极电极。接着，把杂质注入到半导体层中形成相对于栅极电极彼此相对的源极区和漏极区，并且形成分别电连接到源极区和漏极区的源极电极和漏极电极。

公开(公告)号：CN1905198B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200610058138.2

申请日：2006-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱胜镛 ,  姜明求

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明公开了一种阵列基底，所述阵列基底包括基底、开关元件和像素电极。开关元件在基底上。开关元件包括多晶硅图案，多晶硅图案具有至少一个块。在多个方向上延伸的晶粒形成在所述至少一个块的各个中。像素电极电连接到开关元件。因此，提高了开关元件的电流流动性和设计余量。

公开(公告)号：CN101504934A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910006773.X

申请日：2005-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑义振 ,  姜明求 ,  李在馥

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 公开了一种用于使非晶硅结晶的光学掩模，其包括第一狭缝区域，所述第一狭缝区域包括规则排布以用于限定激光束入射区域的多个狭缝，其中在结晶工艺中第一狭缝区域的狭缝形成为与光学掩模的移动方向倾斜成预定角度，并且其中第一狭缝区域的狭缝包括具有第一长度的第一狭缝和具有第二长度的第二狭缝，所述第二长度大于所述第一长度。

公开(公告)号：CN101121222A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710135765.6

申请日：2003-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明求 ,  金县裁

IPC: B23K26/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L27/1285 ,  B23K26/02 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种用于将激光束辐照到非晶硅薄膜上的装置，该非晶硅薄膜形成在基片上。该装置包括平板，可安装基片；激光振荡器，用于产生激光束；投影透镜，用于将该激光束聚焦并引导到薄膜上；反射器，用于反射被引导到薄膜上的激光束；控制器，用于控制反射器的位置；以及吸收器，用于吸收通过反射器反射的激光束。

公开(公告)号：CN1905198A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610058138.2

申请日：2006-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱胜镛 ,  姜明求

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明公开了一种阵列基底，所述阵列基底包括基底、开关元件和像素电极。开关元件在基底上。开关元件包括多晶硅图案，多晶硅图案具有至少一个块。在多个方向上延伸的晶粒形成在所述至少一个块的各个中。像素电极电连接到开关元件。因此，提高了开关元件的电流流动性和设计余量。