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公开(公告)号：CN100590714C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610114943.2
申请日：2006-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/11 , G11B5/112 , G11B5/1278 , G11B5/3146
Abstract: 本发明提供了垂直磁记录头以及制造其的方法。该垂直磁头用于包括记录层的垂直磁记录介质，所述垂直磁头在所述记录层上方沿道的方向移动、在所述记录层上记录信息、以及从所述记录层上读所述信息，所述垂直磁头包括：主极；返回极，其末端与所述主极在空气轴承表面(ABS)分隔开；以及多个屏蔽件，其围绕所述主极并且具有分离结构。
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公开(公告)号：CN101093673A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710085011.4
申请日：2007-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录媒质。该垂直磁记录媒质包括：形成在衬底上的垂直磁记录层；和至少一个软磁衬层，形成在该衬底与垂直磁记录层之间，其中所述软磁衬层由非磁材料和磁材料的合金形成，该磁材料以粒状纳米颗粒的形式存在于非磁材料的基体中，且该磁纳米颗粒以规则间距彼此分隔，从而相互形成反铁磁耦合。在根据本发明的垂直磁记录媒质中，由于形成软磁衬层的磁材料以小颗粒形式存在于非磁基体中且粒状颗粒相互形成反铁磁耦合，因此可以抑制多颗粒畴的形成，从而使软磁衬层的噪声最小化。
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公开(公告)号：CN1238840C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03147266.4
申请日：2003-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/656 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/74 , G11B2005/0005 , G11B2005/001 , G11B2005/0029
Abstract: 提供一种垂直磁记录介质，具有良好的热稳定性和高的记录密度。垂直磁记录介质至少包括第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质。第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理/磁特性，并由补偿不同物理/磁特性的材料形成。第一和第二垂直磁记录层选自以下各层：用于改进垂直磁性各向异性能(Ku)的层，用于降低晶粒大小的层、用于降低磁畴大小的层、用于增加SNR的层、用于改进信号输出的层、用于降低噪音的层、用于改进晶粒大小均匀性的层，和用于改进磁畴大小均匀性的层。
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公开(公告)号：CN101046982B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610166906.6
申请日：2006-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质。该磁记录介质包括：衬底；垂直磁记录层，形成在该衬底之上；第一软磁衬层，设置在该垂直磁记录层与该衬底之间；第二软磁衬层，设置在该第一软磁衬层与该垂直磁记录层之间；以及隔离层，设置在该第一软磁衬层与该第二磁层之间且阻止该第一软磁衬层和该第二软磁衬层之间的磁相互作用，其中该第二软磁衬层的各向异性场Hk大于该第一软磁衬层的各向异性场Hk。为了增大第二软磁衬层的各向异性场，该第二软磁衬层可具有反铁磁耦合结构。信噪比(SNR)和记录密度可通过分流软磁衬层的磁畴壁产生的磁场且防止磁场到达磁头而显著增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1767008B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510092408.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有叠层软磁衬层(SUL)的垂直磁记录介质，更具体地，提供一种包括形成在衬底上的垂直磁记录层和叠层SUL的记录介质。该SUL包括插入在叠层结构之间的反铁磁层，该叠层结构包括磁层、非磁性层和磁层。所述层均具有20nm或更小的厚度，且该反铁磁层下面的所述层比该反铁磁层上面的所述层薄。形成在该反铁磁层上面和下面的该叠层结构具有通过交换偏置设置在彼此相反的径向方向上的单向磁各向异性。结果，介质磁畴噪声可减小。
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公开(公告)号：CN1674099A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200410103738.7
申请日：2004-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/653 , G11B5/656 , Y10T428/265
Abstract: 提供了一种具有基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质。在所提供的垂直磁记录介质中，软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。由于所提供的垂直磁记录层具有包括多个不同饱和磁化强度的软下层，信噪比被提高。此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被提高。
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公开(公告)号：CN1487506A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03141187.8
申请日：2003-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325
Abstract: 提供一种包括磁记录层和支撑该磁记录层的基材。在磁记录层与基材之间设置包括一非金属层的至少两层。垂直磁记录介质使用双层或三层。因此，垂直磁记录层因第三下层具有高垂直磁各向异性能量常数Ku，和因在第三下层下面的第二下层具有很小的交换偶联。因此，直磁记录层可具有良好的热稳定性、高密度记录特征和优良的SNR特征。
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公开(公告)号：CN101388222B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810098710.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录介质及其制造方法。所述垂直磁记录介质包括：衬底；形成于所述衬底上的软磁层；形成于所述软磁层上的衬层；以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层，其中，所述多个铁磁层中的每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
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公开(公告)号：CN101093673B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200710085011.4
申请日：2007-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录媒质。该垂直磁记录媒质包括：形成在衬底上的垂直磁记录层；和至少一个软磁衬层，形成在该衬底与垂直磁记录层之间，其中所述软磁衬层由非磁材料和磁材料的合金形成，该磁材料以粒状纳米颗粒的形式存在于非磁材料的基体中，且该磁纳米颗粒以规则间距彼此分隔，从而相互形成反铁磁耦合。在根据本发明的垂直磁记录媒质中，由于形成软磁衬层的磁材料以小颗粒形式存在于非磁基体中且粒状颗粒相互形成反铁磁耦合，因此可以抑制多颗粒畴的形成，从而使软磁衬层的噪声最小化。
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