公开(公告)号：CN108305655B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201711272709.7

申请日：2017-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤国 ,  吴荣训 ,  尹治元 ,  李墉焌 ,  林菜昱

IPC: G11C13/00

Abstract: 公开了一种电阻型存储设备及其操作方法。电阻型存储元件或设备包括：第一主存储单元区域，包括多个第一电阻型存储单元；以及第二缓冲存储单元区域，包括多个第二电阻型存储单元。主存储单元区域的第一电阻型存储单元被配置为在其中存储数据，并且缓冲存储单元区域的第二电阻型存储单元被配置为在主存储单元区域中的数据的部分趋于稳定时，将数据的所述部分暂时存储长达至少稳定时间段。

公开(公告)号：CN108281167A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711247786.7

申请日：2017-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林菜昱 ,  朴贤国 ,  鲜于桢 ,  吴荣训 ,  李墉焌

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1068 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C29/52 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  G11C13/0021

Abstract: 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。

公开(公告)号：CN108281167B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201711247786.7

申请日：2017-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林菜昱 ,  朴贤国 ,  鲜于桢 ,  吴荣训 ,  李墉焌

IPC: G11C13/00

Abstract: 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。

公开(公告)号：CN105320471B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201510455794.5

申请日：2015-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤国 ,  吴荣训 ,  边大锡 ,  李镕圭 ,  权孝珍

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供了一种操作存储装置的方法和一种操作存储系统的方法，以执行读取重试操作。操作存储装置的方法包括：开始读取重试模式；利用不同的读取条件读取多个单元区域的数据；以及根据针对从单元区域读取的数据的数据确定操作的结果，针对单元区域设置最终读取条件。

公开(公告)号：CN108305655A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201711272709.7

申请日：2017-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤国 ,  吴荣训 ,  尹治元 ,  李墉焌 ,  林菜昱

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0023 ,  G11C7/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2207/2245 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/004

Abstract: 公开了一种电阻型存储设备及其操作方法。电阻型存储元件或设备包括：第一主存储单元区域，包括多个第一电阻型存储单元；以及第二缓冲存储单元区域，包括多个第二电阻型存储单元。主存储单元区域的第一电阻型存储单元被配置为在其中存储数据，并且缓冲存储单元区域的第二电阻型存储单元被配置为在主存储单元区域中的数据的部分趋于稳定时，将数据的所述部分暂时存储长达至少稳定时间段。

公开(公告)号：CN105320471A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510455794.5

申请日：2015-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤国 ,  吴荣训 ,  边大锡 ,  李镕圭 ,  权孝珍

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G11C13/004 ,  G06F11/00 ,  G06F11/1048 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0033 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0054

Abstract: 提供了一种操作存储装置的方法和一种操作存储系统的方法，以执行读取重试操作。操作存储装置的方法包括：开始读取重试模式；利用不同的读取条件读取多个单元区域的数据；以及根据针对从单元区域读取的数据的数据确定操作的结果，针对单元区域设置最终读取条件。