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公开(公告)号：CN107871740A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710886543.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。
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公开(公告)号：CN106057803B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201610102379.6
申请日：2016-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供一种半导体器件，其包括：从衬底突出的鳍有源区以及限定所述鳍有源区的隔离区；与所述鳍有源区和所述隔离区交叉的栅极图案；以及形成在所述栅极图案的侧表面上且延伸到所述隔离区的表面上的栅极间隔件。
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公开(公告)号：CN101118909A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710104475.5
申请日：2007-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/66833 , H01L29/7851 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L29/7926
Abstract: 本发明提供了一种存储器件，该存储器件包括：第一有源区，在基底上；第一源/漏区和第二源/漏区，在基底上，第一源/漏区毗邻所述第一有源区的对应的第一侧壁，第二源/漏区毗邻所述第一有源区的对应的第二侧壁。第一栅结构设置在第一源/漏区和第二源/漏区之间的第一有源区上。第二有源区设置在位于第一源/漏区和第二源/漏区之间并毗邻第一源/漏区和第二源/漏区的第一栅结构上。第二栅结构设置在位于所述第一栅结构上面的第二有源区上。
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公开(公告)号：CN1542965A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410038585.2
申请日：2004-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/772 , H01L21/8234 , H01L21/33 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/66651 , H01L21/76224 , H01L21/76289 , H01L21/764 , H01L29/0649 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/78603 , H01L29/802
Abstract: 一种集成电路器件包括衬底。外延图形在衬底上，且其中形成有一对杂质扩散区和布置在一对杂质扩散区和衬底之间的一对空隙区。一对杂质扩散区的各个至少部分地重叠一对空隙区的各个。栅电极在一对杂质扩散区的各个之间的外延图形上。
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公开(公告)号：CN110620083A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910504880.9
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明构思的一些示例实施方式提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：包括至少第一区域的衬底；第一有源图案和从第一区域垂直突出的第一虚设图案；器件隔离层，填充衬底的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽；和与第一有源图案相交的栅电极。第一沟槽在第一区域上限定第一有源图案，第二沟槽限定第一区域的第一侧壁，第三沟槽限定第一区域的第二侧壁，第二侧壁与第一侧壁相反。第一虚设图案的侧壁可以与第一区域的第二侧壁对准，第一区域的第二侧壁的顶部的水平可以高于第一区域的第一侧壁的顶部的水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110364528A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910022405.8
申请日：2019-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：第一鳍分离绝缘部分，在基板的第一器件区域之上；一对第一鳍型有源区，彼此间隔开而使第一鳍分离绝缘部分在其间，并在第一水平方向上共线地延伸；第一虚设栅极结构，与第一鳍分离绝缘部分垂直地重叠；第二鳍分离绝缘部分，与第一鳍分离绝缘部分间隔开并布置在基板的第二器件区域之上；以及多个第二鳍型有源区，在第二器件区域中彼此间隔开而使第二鳍分离绝缘部分在其间，并在第一水平方向上共线地延伸，其中第二鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度等于或低于第一鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度。
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公开(公告)号：CN110364527A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910103246.4
申请日：2019-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，包括第一器件区和第二器件区；在第一器件区上的第一鳍状物分隔绝缘部分；成对的第一鳍型有源区，在第一器件区中彼此隔开且其间具有第一鳍状物分隔绝缘部分，并沿第一水平方向共线地延伸；第二鳍状物分隔绝缘部分，在第一器件区和第二器件区上沿第二水平方向延伸；以及成对的第二鳍型有源区，彼此隔开且其间具有第二鳍状物分隔绝缘部分，并沿第一水平方向共线地延伸，其中第一鳍状物分隔绝缘部分和第二鳍状物分隔绝缘部分彼此竖直地重叠。
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公开(公告)号：CN106057804A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610228052.3
申请日：2016-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/408 , H01L27/1104 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L27/0886 , H01L29/0649
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、衬底上的有源图案、与有源图案交叉的栅电极和栅电极上的封盖结构。封盖结构包括顺序层叠在栅电极上的第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案完全覆盖第一封盖图案的顶表面，第二封盖图案的介电常数大于第一封盖图案的介电常数。
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公开(公告)号：CN100479159C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200410038585.2
申请日：2004-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/772 , H01L21/8234 , H01L21/33 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/66651 , H01L21/76224 , H01L21/76289 , H01L21/764 , H01L29/0649 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/78603 , H01L29/802
Abstract: 一种集成电路器件包括衬底。外延图形在衬底上，且其中形成有一对杂质扩散区和布置在一对杂质扩散区和衬底之间的一对空隙区。一对杂质扩散区的各个至少部分地重叠一对空隙区的各个。栅电极在一对杂质扩散区的各个之间的外延图形上。
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公开(公告)号：CN110364562B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910125807.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/088
Abstract: 一种集成电路器件包括：多个鳍型有源区从其突出的基板，所述多个鳍型有源区在第一方向上彼此平行地延伸；以及多个栅极结构和多个鳍隔离绝缘部分，在交叉第一方向的第二方向上在基板上延伸并且在第一方向具有恒定的节距，其中所述多个鳍隔离绝缘部分当中的一对鳍隔离绝缘部分在所述多个栅极结构当中的一对栅极结构之间，所述多个鳍型有源区包括多个第一鳍型区和多个第二鳍型区。
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