公开(公告)号：CN101154575A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710092027.8

申请日：2007-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔三宗 ,  曹圭徹 ,  崔秀烈 ,  金勇权 ,  朴永秀 ,  印璨国 ,  朴海珍 ,  金相植

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/265 ,  B82Y10/00 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887

Abstract: 形成用于集成电路存储器件的栅结构的方法包括：在集成电路衬底上形成金属氧化物介质层。将从元素周期表的4族选择的且具有小于大约0.5厘米每秒(cm2/s)的热扩散率的元素的离子注入到该介质层中，以在介质层中形成电荷存储区，隧道介质层在该电荷存储区下，而帽盖介质层在该电荷存储区之上。对包括该金属氧化物介质层的衬底热处理，以在该电荷存储区中形成多个离散的电荷存储纳米晶体。在该介质层上形成栅电极层。