公开(公告)号：CN101000910B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710002012.8

申请日：2007-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹祺锡 ,  安钟现 ,  卢官钟 ,  李惠庆

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及相关制造方法。所述器件包括：具有形成于半导体衬底中的角部的沟槽；形成于沟槽的内壁上且具有暴露半导体衬底的角部的上端部的第一氧化物膜；形成于第一氧化物膜上的氮化物衬垫；形成与第一氧化物膜的上端接触并在半导体衬底的暴露的角部和上表面上的第二氧化物膜，其中第二氧化物膜薄于第一氧化物膜；形成于氮化物衬垫上以基本填充沟槽的场绝缘膜；和形成与第二氧化物膜接触且填充形成于场绝缘膜和第二氧化物膜之间的沟槽边缘凹形的场保护膜。本发明可以减小结漏电流的可能性。

公开(公告)号：CN1790634A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510091182.9

申请日：2005-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑硕祐 ,  崔吉铉 ,  尹钟皓 ,  卢官钟 ,  郑恩志 ,  金贤洙

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 形成金属硅化物层的方法包括基于对流(或者传导)的退火步骤，以将金属层转换为金属硅化物层。这些方法可以包括：在衬底上形成硅层；以及接触该硅层形成金属层(例如，镍层)。然后，执行至少使部分金属层转换为金属硅化物层的步骤。该转换步骤包括在对流或者传导加热设备中使该金属层暴露在传热气体(例如，氩气、氮气)中。

公开(公告)号：CN100336186C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200310120207.4

申请日：2003-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具滋钦 ,  宣敏喆 ,  卢官钟 ,  金旼炷

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供了形成硅化镍层以及半导体器件的方法，该半导体器件包括硅化镍层，其提供了对于450℃以上的温度下的后续工艺的提高的稳定性。具体地，硅化镍层由具有小部分合金金属(如钽)的镍合金形成，并表现出降低的结块性和受阻的NiSi与NiSi2之间的相变，从而抑制了表面电阻的增大并改善了利用精细图形的效用。如所形成的那样，硅化镍层包括主要由硅和镍构成的下层、以及包含合金金属主要部分的薄的上层。

公开(公告)号：CN101000910A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710002012.8

申请日：2007-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹祺锡 ,  安钟现 ,  卢官钟 ,  李惠庆

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及相关制造方法。所述器件包括：具有形成于半导体衬底中的角部的沟槽；形成于沟槽的内壁上且具有暴露半导体衬底的角部的上端部的第一氧化物膜；形成于第一氧化物膜上的氮化物衬垫；形成与第一氧化物膜的上端接触并在半导体衬底的暴露的角部和上表面上的第二氧化物膜；形成于氮化物衬垫上以基本填充沟槽的场绝缘膜；和形成与第二氧化物膜接触且填充形成于场绝缘膜和第二氧化物膜之间的沟槽边缘凹形的场保护膜。本发明可以减小结漏电流的可能性。

公开(公告)号：CN100481348C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510091182.9

申请日：2005-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑硕祐 ,  崔吉铉 ,  尹钟皓 ,  卢官钟 ,  郑恩志 ,  金贤洙

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 形成金属硅化物层的方法包括基于对流(或者传导)的退火步骤，以将金属层转换为金属硅化物层。这些方法可以包括：在衬底上形成硅层；以及接触该硅层形成金属层(例如，镍层)。然后，执行至少使部分金属层转换为金属硅化物层的步骤。该转换步骤包括在对流或者传导加热设备中使该金属层暴露在传热气体(例如，氩气、氮气)中。

公开(公告)号：CN1577768A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200310120207.4

申请日：2003-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具滋钦 ,  宣敏喆 ,  卢官钟 ,  金旼炷

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供了形成硅化镍层以及半导体器件的方法，该半导体器件包括硅化镍层，其提供了对于450℃以上的温度下的后续工艺的提高的稳定性。具体地，硅化镍层由具有小部分合金金属(如钽)的镍合金形成，并表现出降低的结块性和受阻的NiSi与NiSi2之间的相变，从而抑制了表面电阻的增大并改善了利用精细图形的效用。如所形成的那样，硅化镍层包括主要由硅和镍构成的下层、以及包含合金金属主要部分的薄的上层。