公开(公告)号：CN101393933B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810169121.3

申请日：2006-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王晓泉 ,  前田茂伸 ,  金旼炷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/84 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种MOS晶体管及相关制造方法，其中本发明公开了一种包括多逸出功金属氮化物栅电极的MOS晶体管。该MOS晶体管包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底上的中心栅电极。该中心栅电极由金属氮化物层形成。源极侧栅电极和漏极侧栅电极形成于所述中心栅电极的相应的相对侧壁上。源极和漏极侧栅电极由含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质的掺杂金属氮化物构成。本发明能够抑制MOS晶体管的短沟道效应，而不会使电流可驱动性劣化。

公开(公告)号：CN101393933A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810169121.3

申请日：2006-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王晓泉 ,  前田茂伸 ,  金旼炷

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092 ,  H01L21/84 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种MOS晶体管及相关制造方法，其中本发明公开了一种包括多逸出功金属氮化物栅电极的MOS晶体管。该MOS晶体管包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底上的中心栅电极。该中心栅电极由金属氮化物层形成。源极侧栅电极和漏极侧栅电极形成于所述中心栅电极的相应的相对侧壁上。源极和漏极侧栅电极由含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质的掺杂金属氮化物构成。本发明能够抑制MOS晶体管的短沟道效应，而不会使电流可驱动性劣化。

公开(公告)号：CN1855545A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610080109.6

申请日：2006-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王晓泉 ,  前田茂伸 ,  金旼炷

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种包括多逸出功金属氮化物栅电极的MOS晶体管。该MOS晶体管包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底上的中心栅电极。该中心栅电极由金属氮化物层形成。源极侧栅电极和漏极侧栅电极形成于所述中心栅电极的相应的相对侧壁上。源极和漏极侧栅电极由含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质的掺杂金属氮化物构成。本发明能够抑制MOS晶体管的短沟道效应，而不会使电流可驱动性劣化。

公开(公告)号：CN100481504C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610080109.6

申请日：2006-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王晓泉 ,  前田茂伸 ,  金旼炷

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了一种MOS晶体管、CMOS集成电路器件及相关制造方法，其中本发明公开了一种包括多逸出功金属氮化物栅电极的MOS晶体管。该MOS晶体管包括半导体衬底和形成于所述半导体衬底上的中心栅电极。该中心栅电极由金属氮化物层形成。源极侧栅电极和漏极侧栅电极形成于所述中心栅电极的相应的相对侧壁上。源极和漏极侧栅电极由含有电负性小于氮的第一杂质或电负性大于氮的第二杂质的掺杂金属氮化物构成。本发明能够抑制MOS晶体管的短沟道效应，而不会使电流可驱动性劣化。

公开(公告)号：CN1649112A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410099749.2

申请日：2004-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼炷 ,  具滋钦 ,  宣敏喆 ,  卢官种

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

Abstract: 提供了镍－自对准硅化物工艺和利用该工艺的制造半导体器件的方法。镍－自对准硅化物工艺包括制备具有硅区和包含硅的绝缘区的衬底。镍沉积在衬底上，并且在300℃至380℃的第一温度下退火镍以在硅区上选择性地形成单镍单硅化物层，并且在绝缘区上仅剩下未反应的镍层。选择性地除去未反应的镍层以暴露绝缘区，并同时在硅区上仅剩下单镍单硅化物层。随后，在比第一温度高的第二温度下对单镍单硅化物层进行退火，从而在没有单镍单硅化物层相变的情况下形成热稳定的单镍单硅化物层。

公开(公告)号：CN100336186C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200310120207.4

申请日：2003-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具滋钦 ,  宣敏喆 ,  卢官钟 ,  金旼炷

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供了形成硅化镍层以及半导体器件的方法，该半导体器件包括硅化镍层，其提供了对于450℃以上的温度下的后续工艺的提高的稳定性。具体地，硅化镍层由具有小部分合金金属(如钽)的镍合金形成，并表现出降低的结块性和受阻的NiSi与NiSi2之间的相变，从而抑制了表面电阻的增大并改善了利用精细图形的效用。如所形成的那样，硅化镍层包括主要由硅和镍构成的下层、以及包含合金金属主要部分的薄的上层。

公开(公告)号：CN1329967C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200410099749.2

申请日：2004-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼炷 ,  具滋钦 ,  宣敏喆 ,  卢官种

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

Abstract: 提供了镍-自对准硅化物工艺和利用该工艺的制造半导体器件的方法。镍-自对准硅化物工艺包括制备具有硅区和包含硅的绝缘区的衬底。镍沉积在衬底上，并且在300℃至380℃的第一温度下退火镍以在硅区上选择性地形成单镍单硅化物层，并且在绝缘区上仅剩下未反应的镍层。选择性地除去未反应的镍层以暴露绝缘区，并同时在硅区上仅剩下单镍单硅化物层。随后，在比第一温度高的第二温度下对单镍单硅化物层进行退火，从而在没有单镍单硅化物层相变的情况下形成热稳定的单镍单硅化物层。

公开(公告)号：CN1812054A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510129719.6

申请日：2005-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼炷 ,  李钟镐 ,  韩成基 ,  丁炯硕

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/085 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其相关制造方法，其中通过用碳和/或氟掺杂金属层，由单个金属层形成双功函数金属栅极电极。

公开(公告)号：CN1812054B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200510129719.6

申请日：2005-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼炷 ,  李钟镐 ,  韩成基 ,  丁炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其相关制造方法，其中通过用碳和/或氟掺杂金属层，由单个金属层形成双功函数金属栅极电极。

公开(公告)号：CN1577768A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200310120207.4

申请日：2003-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具滋钦 ,  宣敏喆 ,  卢官钟 ,  金旼炷

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供了形成硅化镍层以及半导体器件的方法，该半导体器件包括硅化镍层，其提供了对于450℃以上的温度下的后续工艺的提高的稳定性。具体地，硅化镍层由具有小部分合金金属(如钽)的镍合金形成，并表现出降低的结块性和受阻的NiSi与NiSi2之间的相变，从而抑制了表面电阻的增大并改善了利用精细图形的效用。如所形成的那样，硅化镍层包括主要由硅和镍构成的下层、以及包含合金金属主要部分的薄的上层。