公开(公告)号：CN1204608C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02107970.6

申请日：2002-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元济亨

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/42 ,  C23C16/4401

Abstract: 本发明提供一种硅化钨层形成方法，将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中。将硅源气体、钨源气体和用于还原氯原子团的氢化合物气体导入该加工室中，从而在该多晶硅层上沉积硅化钨层。该硅源气体的氯原子团被氢化合物气体还原成氯化氢，并与废气一起除去。

公开(公告)号：CN1377064A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02107970.6

申请日：2002-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元济亨

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/42 ,  C23C16/4401

Abstract: 本发明提供一种硅化钨层形成方法,将具有多晶硅层的半导体基底载入等离子体增强化学气相沉积装置的加工室中。将硅源气体、钨源气体和用于还原氯原子团的氢化合物气体导入该加工室中,从而在该多晶硅层上沉积硅化钨层。该硅源气体的氯原子团被氢化合物气体还原成氯化氢,并与废气一起除去。

公开(公告)号：CN1638599A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410010475.5

申请日：2004-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑奭 ,  蔡胜基 ,  甘度英 ,  李光铭 ,  元济亨 ,  申在光 ,  吴在俊 ,  全尚珍

IPC: H05H1/46 ,  H01Q1/36 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种天线，包括具有基本相同形状的分支。分支相对中心点对称地设置，并且沿着至少两个同心的图案延伸，该图案的几何中心和中心点重合。每个分支包括完全位于同心图案里的图案形成部分，和至少一个在图案形成部分之间延伸和连接的连接部分。在每个分支的末端提供给分支两端施加电压的输入/输出端子。