公开(公告)号：CN116203803A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211524674.2

申请日：2022-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申裕汀 ,  丁成坤

IPC: G03F7/20

Abstract: 用于光学邻近校正(OPC)的方法，该方法可以包括：输入与要形成的目标层相对应的弯曲布局数据；基于弯曲布局数据执行曼哈顿化，并获取曼哈顿化数据；对曼哈顿化数据执行分段，并将曼哈顿化数据分解为多个数据分量；基于多个数据分量生成OPC模型，并对OPC模型执行模拟以提取OPC模型的轮廓；计算OPC模型的轮廓和与目标层相邻的层之间的重叠分数，并将所计算的重叠分数反映在OPC模型中；以及基于模拟结果来获取用于形成目标层的设计数据。因此，通过根据本公开的一些示例实施例的用于光学邻近校正的方法，可以获得具有根据考虑到相邻层定位目标层而优化的定位的设计数据。

公开(公告)号：CN101135840B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200610142919.X

申请日：2006-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  赵汉九 ,  李昔柱 ,  吕起成 ,  高次元 ,  丁成坤

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0337

Abstract: 在形成掩模结构的方法中，在衬底上形成第一掩模，第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，该边角部分的内侧壁是弯曲的。在第一掩模上形成牺牲层。在该牺牲层上形成硬掩模层。在部分地除去硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层被露出之后，由除去牺牲层之后的空间中剩下的硬掩模层形成第二掩模。在衬底上可以容易地形成具有精细结构的微小图形。

公开(公告)号：CN1758138B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200510113435.8

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  吴锡焕 ,  吕起成 ,  禹相均 ,  李淑 ,  朴柱温 ,  丁成坤

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F1/00

Abstract: 提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。

公开(公告)号：CN101135840A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200610142919.X

申请日：2006-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  赵汉九 ,  李昔柱 ,  吕起成 ,  高次元 ,  丁成坤

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0337

Abstract: 在形成掩模结构的方法中，在衬底上形成第一掩模，第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，该边角部分的内侧壁是弯曲的。在第一掩模上形成牺牲层。在该牺牲层上形成硬掩模层。在部分地除去硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层被露出之后，由除去牺牲层之后的空间中剩下的硬掩模层形成第二掩模。在衬底上可以容易地形成具有精细结构的微小图形。

公开(公告)号：CN112731761A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202010687745.5

申请日：2020-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安兴培 ,  朴商五 ,  丁成坤

IPC: G03F1/70 ,  H01L21/027

Abstract: 一种制造光掩模组的方法包括：准备掩模布局，所述掩模布局包括在第一区域中彼此间隔开的多个第一布局图案，其中，所述多个第一布局图案中的彼此相邻的三个第一布局图案的中心点之间的距离分别具有不同的值；将成对的第一布局图案进行分组，其中，在所述成对的第一布局图案中彼此相邻的两个第一布局图案的中心点之间的距离不具有所述不同的值中的最小值，并将所述掩模布局划分为至少两个掩模布局图案；以及形成包括至少两个光掩模的光掩模组，每个所述光掩模包括与被划分为所述至少两个掩模布局的所述掩模布局中的对应掩模布局中所包括的所述第一布局图案对应的掩模图案。

公开(公告)号：CN1758138A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510113435.8

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  吴锡焕 ,  吕起成 ,  禹相均 ,  李淑 ,  朴柱温 ,  丁成坤

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F1/00

Abstract: 提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。