公开(公告)号：CN101821853B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200880111016.2

申请日：2008-09-19

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行 ,  盐见新

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20306 ,  H01L2924/20307 ,  H01L2924/20308 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能确保焊接强度并且能防止伴随着焊接的层间绝缘膜(12)的破坏及电极(13)的破坏且能提高电气特性的半导体器件及其制造方法。搭载在半导体器件上的半导体元件(1)具有层间绝缘膜(12)，该具有层间绝缘膜延伸部(121)、连接部(122)及开口部(123)，其中，该延伸部覆盖栅电极(116)上并在第一方向延伸，该连接部在第一方向隔开一定间隔地连接在第二方向邻接的延伸部彼此，该开口部由延伸部和连接部规定开口形状并露出上述基区(112)的主面和发射区(113)的主面。另外，连接部(122)下的在第一方向的第二宽度尺寸(122W)设定为比层间绝缘膜(12)的延伸部(121)下的发射区(113)的第二方向的第一宽度尺寸(121W)大。

公开(公告)号：CN101821853A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880111016.2

申请日：2008-09-19

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行 ,  盐见新

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20306 ,  H01L2924/20307 ,  H01L2924/20308 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能确保焊接强度并且能防止伴随着焊接的层间绝缘膜(12)的破坏及电极(13)的破坏且能提高电气特性的半导体器件及其制造方法。搭载在半导体器件上的半导体元件(1)具有层间绝缘膜(12)，该具有层间绝缘膜延伸部(121)、连接部(122)及开口部(123)，其中，该延伸部覆盖栅电极(116)上并在第一方向延伸，该连接部在第一方向隔开一定间隔地连接在第二方向邻接的延伸部彼此，该开口部由延伸部和连接部规定开口形状并露出上述基区(112)的主面和发射区(113)的主面。另外，连接部(122)下的在第一方向的第二宽度尺寸(122W)设定为比层间绝缘膜(12)的延伸部(121)下的发射区(113)的第二方向的第一宽度尺寸(121W)大。