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公开(公告)号:CN100393784C
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200510127954.X
申请日:2005-12-07
Applicant: 三之星机带株式会社
CPC classification number: C23C18/08 , C23C18/04 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/1641 , C23C18/1658 , C23C18/2006 , C23C18/206 , C23C18/2086 , H05K1/0346 , H05K3/107 , H05K3/182 , H05K3/381 , H05K2201/0154 , H05K2203/013 , H05K2203/0783 , H05K2203/0793 , H05K2203/1157
Abstract: 本发明提供了一种在聚酰亚胺树脂上形成无机薄膜的方法,其包括:步骤(1),将碱性水溶液涂布到聚酰亚胺树脂上形成无机薄膜的位置,以打开聚酰亚胺树脂的酰亚胺环,如此生成羧基,并且将所述聚酰亚胺树脂改性为聚酰胺酸,由此形成包含具有羧基的聚酰胺酸的改性部分;步骤(2),将所述改性部分与一种溶剂接触,以去除一部分所述改性部分,如此形成凹入部分,其中聚酰胺酸可溶于所述溶剂中;步骤(3),将所述凹入部分附近的所述改性部分与含有金属离子的溶液接触,生成所述羧基的金属盐;和步骤(4),在所述聚酰亚胺树脂表面上,将所述金属盐以金属、金属氧化物或半导体形式析出,如此形成无机薄膜。
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公开(公告)号:CN1800244A
公开(公告)日:2006-07-12
申请号:CN200510127954.X
申请日:2005-12-07
Applicant: 三之星机带株式会社
CPC classification number: C23C18/08 , C23C18/04 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/1641 , C23C18/1658 , C23C18/2006 , C23C18/206 , C23C18/2086 , H05K1/0346 , H05K3/107 , H05K3/182 , H05K3/381 , H05K2201/0154 , H05K2203/013 , H05K2203/0783 , H05K2203/0793 , H05K2203/1157
Abstract: 本发明提供了一种在聚酰亚胺树脂上形成无机薄膜的方去,其包括:步骤(1),将碱性水溶液涂布到聚酰亚胺树脂上形成无机薄膜的位置,以打开聚酰亚胺树脂的酰亚胺环,如此生成羧基,并且将所述聚酰亚胺树脂改性为聚酰胺酸,由此形成包含具有羧基的聚酰胺酸的改性部分;步骤(2),将所述改性部分与一种溶剂接触,以去除一部分所述改性部分,如此形成凹入部分,其中聚酰胺酸可溶于所述溶剂中;步骤(3),将所述凹入部分附近的所述改性部分与含有金属离子的溶液接触,生成所述羧基的金属盐;和步骤(4),在所述聚酰亚胺树脂表面上,将所述金属盐以金属、金属氧化物或半导体形式析出,如此形成无机薄膜。
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公开(公告)号:CN1798481A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200510023089.4
申请日:2005-12-26
CPC classification number: C23C18/06 , C23C18/04 , C23C18/08 , C23C18/1216 , C23C18/1245 , C23C18/1275 , C23C18/1295 , H05K1/0346 , H05K3/0032 , H05K3/107 , H05K3/184 , H05K3/381 , H05K2201/0154 , H05K2201/0326 , H05K2203/0793 , H05K2203/1157 , H05K2203/1163
Abstract: 本发明提供了一种在聚酰亚胺树脂上形成无机薄膜图案的方法,其包括:步骤(1),在聚酰亚胺树脂表面之上,形成厚度为0.01~10μm的抗碱性保护膜;步骤(2),将位于形成无机薄膜图案位置上的所述抗碱性保护膜和所述聚酰亚胺树脂表面部分去除,以形成凹入部分;步骤(3),将所述凹入部分中的聚酰亚胺树脂与碱性水溶液接触,以打开所述聚酰亚胺树脂的酰亚胺环,如此生成羧基基团,由此形成具有羧基基团的聚酰亚胺树脂;步骤(4),将所述具有羧基基团的聚酰亚胺树脂与含金属离子的溶液接触,如此生成所述羧基基团的金属盐;和步骤(5),在所述聚酰亚胺树脂表面上,将所述金属盐以金属、金属氧化物或半导体形式析出,如此形成所述无机薄膜图案。
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