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公开(公告)号:CN114402452A
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN202080065150.4
申请日:2020-07-09
Applicant: 爱色乐居
Abstract: 本公开涉及一种制造光电元件的方法,该光电元件包括具有能够捕获辐射的有机光电二极管的光学传感器。该光学传感器覆盖具有MOS晶体管(102)的电子电路(101)。该方法包括:在光学传感器上,在该光学传感器的与光电元件相反的侧面上形成对辐射透明的第一层(201),该第一层在与该光学传感器相反的侧面上具有平面表面;以及在该表面上形成第二层(301),该第二层是不透氧气和水的。
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公开(公告)号:CN114270521A
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN202080058133.8
申请日:2020-07-16
Applicant: 爱色乐居
IPC: H01L27/30 , H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种像素,该像素包括CMOS支撑件(3)以及至少两个有机光电探测器(10A和10B、12A和12B、14A和14B、16A和16B),其中,同一透镜(18)与所述有机光电探测器竖直地成一直线。
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公开(公告)号:CN113795921A
公开(公告)日:2021-12-14
申请号:CN202080032779.9
申请日:2020-02-21
Applicant: 爱色乐居
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种彩色和红外图像传感器(1),包括硅衬底(10)、在衬底中和衬底上形成的MOS晶体管(16)、至少部分地形成在衬底中的第一光电二极管(2)、覆盖衬底的单独的光敏层(26),以及覆盖衬底的彩色滤光片(34),该图像传感器还包括位于每个光敏块的任一侧并界定每个光敏块中的第二光电二极管(4)的第一和第二电极(22、28)。第一光电二极管被配置为吸收可见光谱的电磁波,每个光敏块被配置为吸收可见光谱和红外光谱的第一部分的电磁波。
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公开(公告)号:CN110770910A
公开(公告)日:2020-02-07
申请号:CN201880040766.9
申请日:2018-04-19
Applicant: 爱色乐居
Abstract: 本发明涉及一种用于检测电磁辐射(49)的装置,所述装置包括至少一个光电检测器,所述光电检测器包括在半导体层(32、34、36)的同一堆叠(30)中形成的有机二极管(D)以及有机光电二极管(PH),所述有机光电二极管接收所述辐射,所述光电检测器还包括至少一个遮蔽层(44),所述至少一个遮蔽层对于所述辐射不透明并遮蔽堆叠中与二极管相对应的部分。
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公开(公告)号:CN112437892B
公开(公告)日:2023-02-28
申请号:CN201980048208.1
申请日:2019-07-18
Applicant: 爱色乐居
IPC: G02B3/00 , G02B5/20 , G06V10/14 , G06V10/147 , H01L27/146
Abstract: 本描述涉及一种制造光学系统(20)的方法,该光学系统包括角度滤光器(22),该角度滤光器包括第一和第二初级角度滤光器的堆叠。此方法包括通过第一初级角度滤光器暴露正性光敏树脂层(40),以及去除所述层的暴露部分(46)以形成穿过所述层的孔(42),被所述孔穿过的所述层形成第二初级角度滤光器。
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公开(公告)号:CN114424341A
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202080066081.9
申请日:2020-07-16
Applicant: 爱色乐居
IPC: H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 本发明涉及一种像素(10、12、14、16),包括CMOS支撑件(8)以及至少两个有机光电探测器(10A、10B、10C、12A、12B、12C、14A、14B、14C、16A、16B、16C),其中同一透镜(18)与所述有机光电探测器竖直地成一直线。
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公开(公告)号:CN114127976A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202080052090.2
申请日:2020-07-16
Applicant: 爱色乐居
Abstract: 本发明涉及一种制造光电子器件(35)的方法,其包括以下连续步骤:在基板上形成第一导电垫和第二导电垫(44、45);沉积覆盖第一导电垫和第二导电垫的活性有机层;在活性有机层上沉积与活性有机层接触的第一界面层;在第一界面层中形成第一开口,并在第一开口的延伸部分中在活性有机层中形成第二开口,以暴露第二导电垫;以及形成至少部分地延伸在第一开口和第二开口中的第二界面层(62),第二界面层与第一界面层和第二导电垫接触。
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