公开(公告)号：CN1274583C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN03104273.2

申请日：2003-02-08

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 堀内一永 ,  清水正昭 ,  青木伸之 ,  落合勇一

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L51/105 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0048 ,  Y10S977/869 ,  Y10S977/873 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49099 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49174

Abstract: 本发明提供一种良好且高重复性的使碳纳米管和电极进行欧姆接触的碳纳米管器件的制作方法，及被欧姆接触了的碳纳米管器件。碳纳米管器件的制作方法，包含使碳纳米管与内部电极连接的连接工序，其特征在于，上述连接工序包含：导体附着工序，在针状或者棒状的外部电极的端部或其周边附着导体；配置工序，使上述碳纳米管与上述内部电极的预定的连接部位接触或者接近地配置；接近工序，使附着了导体的上述外部电极的端部与上述连接部位接近；转移工序，使附着在上述外部电极上的导体向上述连接部位或其周边移动，以使上述碳纳米管和上述内部电极连接。

公开(公告)号：CN1436717A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03104273.2

申请日：2003-02-08

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 堀内一永 ,  清水正昭 ,  青木伸之 ,  落合勇一

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L51/105 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0048 ,  Y10S977/869 ,  Y10S977/873 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49099 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49174

Abstract: 本发明提供一种良好且高重复性的使碳纳米管和电极进行欧姆接触的碳纳米管器件的制作方法，及被欧姆接触了的碳纳米管器件。碳纳米管器件的制作方法，包含使碳纳米管与内部电极连接的连接工序，其特征在于，上述连接工序包含：导体附着工序，在针状或者棒状的外部电极的端部或其周边附着导体；配置工序，使上述碳纳米管与上述内部电极的预定的连接部位接触或者接近地配置；接近工序，使附着了导体的上述外部电极的端部与上述连接部位接近；转移工序，使附着在上述外部电极上的导体向上述连接部位或其周边移动，以使上述碳纳米管和上述内部电极连接。

公开(公告)号：CN1328634A

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN99808621.5

申请日：1999-05-13

Applicant: 结晶及技术有限公司

Inventor： 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫 ,  L·N·奥波伦斯卡亚 ,  A·N·斯特帕诺瓦 ,  E·S·马施科瓦 ,  M·E·吉瓦吉佐夫 ,  I·V·兰杰楼

IPC: G01B7/34 ,  G01N27/00

CPC classification number: G01Q70/16 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/62 ,  G01Q70/12 ,  Y10S117/902 ,  Y10S977/873 ,  Y10S977/875

Abstract: AFM/STM探针基于通过蒸汽－液体－固体(VSL)机制生长的晶须。由绝缘体上外延硅结构制备沿着晶面(111)取向的硅悬臂,所述绝缘体上外延硅结构含有在基片(100)上的一个薄层(111)并具有SiO2夹层。在去除在上述生长机制中所固有的固化合金小球时,弄尖晶须,并以这样一种方式形成探针。通过上述机制在悬臂上所生长的晶须的剖面在生长过程期间可被控制改变,这使得可制备对于制备所述探针来说最佳的台阶形状的探针。还可形成具有展开部/收缩部的晶须,这些展开部/收缩部对于探针制备来说是重要的,该探针适于研究粗糙的表面、复杂的腔体、半导体微电子学中典型的槽、等等。