公开(公告)号：CN109216402B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201810637195.9

申请日：2018-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信在 ,  吴圭焕 ,  郑智允 ,  黄俊渊

IPC: H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: 提供了可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件包括导电线、以及在导电线中的一个上包含可变电阻元件的存储单元。可变电阻存储器件包括在导电线之间的第一绝缘区。此外，可变电阻存储器件包括在导电线之间在第一绝缘区上的第二绝缘区。还提供了形成可变电阻存储器件的方法。

公开(公告)号：CN109659430B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811092261.5

申请日：2018-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金交燮 ,  宣昌佑 ,  吴圭焕 ,  金俊 ,  黄俊渊

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 提供了一种包括数据存储图案的半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，设置在选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。

公开(公告)号：CN109216402A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810637195.9

申请日：2018-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜信在 ,  吴圭焕 ,  郑智允 ,  黄俊渊

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L27/24 ,  H01L45/122

Abstract: 提供了可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件包括导电线、以及在导电线中的一个上包含可变电阻元件的存储单元。可变电阻存储器件包括在导电线之间的第一绝缘区。此外，可变电阻存储器件包括在导电线之间在第一绝缘区上的第二绝缘区。还提供了形成可变电阻存储器件的方法。

公开(公告)号：CN109659430A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811092261.5

申请日：2018-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金交燮 ,  宣昌佑 ,  吴圭焕 ,  金俊 ,  黄俊渊

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2427 ,  H01L23/525 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/04 ,  H01L45/14 ,  H01L45/16

Abstract: 提供了一种包括数据存储图案的半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，设置在选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。