-
公开(公告)号：CN105981129B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201480074392.4
申请日：2014-12-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/22
CPC classification number: H01J37/222 , H01J37/22 , H01J37/28 , H01J2237/221 , H01J2237/2809
Abstract: 能够高速地显示对通过带电粒子显微镜拍摄到的扫描过程中的图像进行适当的高画质化处理后的结果。针对拍摄视野内的图像数据(401)，根据与未取得视野内的图像数据的区域(414)的距离，将取得了图像数据的区域(410)分割为2个以上的区域(411、412、413)，针对该分割后的各个区域的图像数据，与分割后的区域对应地决定高画质化处理方法和高画质化的处理参数，针对分割后的各区域的图像数据，使用决定的与分割后的区域对应的处理方法和处理参数进行高画质化处理(415、416)。
-
公开(公告)号：CN102013379B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201010272016.X
申请日：2010-09-02
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
IPC: H01J37/28 , H01J37/304
CPC classification number: G01N23/2255 , H01J2237/221
Abstract: 本发明提供能够用不具有SEM装置的聚焦离子束装置高效率地连续实施断面加工观察的断面加工观察方法以及装置。作为解决手段，提供一种断面加工观察方法，通过基于聚焦离子束的蚀刻加工在试样上形成断面，通过基于聚焦离子束的断面观察而取得断面观察图像，对包含所述断面的区域进行蚀刻加工，形成新断面，取得新断面的断面观察图像，其特征在于，向试样上的包含标记和断面的区域照射聚焦离子束，取得表面观察图像，在表面观察图像上识别标记的位置，以标记的位置为基准，设定用于形成新断面的聚焦离子束的照射区域，进行试样断面的蚀刻加工。
-
公开(公告)号：CN105264635A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380074020.7
申请日：2013-12-30
Applicant: FEI公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/221 , H01J2237/226 , H01J2237/2814 , H01J2237/31745
Abstract: 一种用于利用带电粒子束分析样本的方法，所述方法包括将束引导向样本表面；研磨表面以暴露在样本中的第二表面，其中研磨在离子源远侧的第二表面的端部到比在离子源近侧的第一表面的端部大的相对于参考深度的深度；将带电粒子束引导向第二表面以形成第二表面的一个或多个图像；通过检测电子束与第二表面的相互作用,形成感兴趣的多个相邻特征的横截面的图像；将横截面的图像装配成感兴趣的特征中的一个或多个的三维模型。提供了一种用于改进的基准和在纳米级三维结构中形成确定暴露的特征的深度的方法。
-
公开(公告)号：CN1236482C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN00133431.X
申请日：2000-11-06
Applicant: 法梭半导体公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/256 , G01R31/307 , H01J2237/20228 , H01J2237/221 , H01J2237/24564
Abstract: 一种半导体器件检查装置使用电流计(9)测定平行电子束(2)照射在样品(5)上而在样品(5)上产生的电流。改变电子束(3)的加速电压反复测定，在数据处理装置(10)中，加速电压的差异导致电子束对样品(5)的透射率不同，由此求出与样品(5)的深度方向的构造有关的信息。利用这种装置可进一步改善检测由电子束的照射产生的基板电流的技术，对接触孔的详细形状和半导体器件的内部状态进行无损检查。
-
公开(公告)号：CN1226781C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02143912.5
申请日：2002-09-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 池田隆洋
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G06T7/0004 , G01N23/2206 , G01N23/2251 , G06T2207/10056 , G06T2207/30148 , H01J2237/221 , H01J2237/2817
Abstract: 本发明公开了一种微细图形检查装置，具备：第1运算单元，用来接受向在与要形成被检查图形的基板同一基板上边以不同的断面形状形成的多个测试图形照射电子束得到的第1个2次电子信号的数据，和上述测试图形的断面的轮廓形状数据，把上述第1个2次电子信号变数分离成把上述断面的轮廓形状包括在自变数内的第1函数，和根据每个构成上述测试图形的材质用阶跃函数定义的第2函数，和表示信号的失真的大小的第3函数；存储单元，具有存放由该第1运算单元得到的上述第1到第3函数的第1存储区域；第2运算单元，用来接受向上述被检查图形照射上述电子束得到的第2个2次电子信号，执行用存放在上述存储单元中的上述第1到第3函数从上述第2个电子信号中调出以上述被检查图形的断面形状为基础的成分的运算。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1589490A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02822954.1
申请日：2002-10-04
Applicant: 应用材料以色列有限公司
Inventor： 艾舍·珀尔
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/1471 , H01J37/263 , H01J2237/045 , H01J2237/1501 , H01J2237/1532 , H01J2237/216 , H01J2237/221
Abstract: 本发明提供了一种方法，用于自动对准带电颗粒束与孔。从而引入散焦并基于图象移动计算的信号施加到偏转单元。进而提供了用于散光校正的方法。从而在改变到象散校正装置的信号时，对于产生的一组帧估计清晰度。
-
公开(公告)号：CN1411047A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02143912.5
申请日：2002-09-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 池田隆洋
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G06T7/0004 , G01N23/2206 , G01N23/2251 , G06T2207/10056 , G06T2207/30148 , H01J2237/221 , H01J2237/2817
Abstract: 本发明公开了一种微细图形检查装置，具备：第1运算单元，用来接受向在与要形成被检查图形的基板同一基板上边以不同的断面形状形成的多个测试图形照射电子束得到的第1个2次电子信号的数据，和上述测试图形的断面的轮廓形状数据，把上述第1个2次电子信号变数分离成把上述断面的轮廓形状包括在自变数内的第1函数，和根据每个构成上述测试图形的材质用阶跃函数定义的第2函数，和表示信号的失真的大小的第3函数；存储单元，具有存放由该第1运算单元得到的上述第1到第3函数的第1存储区域；第2运算单元，用来接受向上述被检查图形照射上述电子束得到的第2个2次电子信号，执行用存放在上述存储单元中的上述第1到第3函数从上述第2个电子信号中调出以上述被检查图形的断面形状为基础的成分的运算。
-
公开(公告)号：CN104854445B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201380065095.9
申请日：2013-12-12
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 长井健太郎
IPC: G01N23/04
CPC classification number: G01N23/04 , G01N23/20 , G21K1/06 , H01J37/252 , H01J2237/221
Abstract: 本发明涉及一种通过使用关于由切变干涉计产生的干涉图案的信息获得关于被检体的相位图像的信息的被检体信息获得装置，干涉图案是由穿过被检体或者被其反射的电磁波或电子束形成的。装置包括：被配置为通过使用关于干涉图案的信息获得关于被检体的微分相位图像的信息的第一获得单元；被配置为获得关于干涉图案的各区域中的对比度的信息的第二获得单元；被配置为通过使用关于对比度的信息对关于微分相位图像的信息加权以获得关于加权的微分相位图像的信息的第三获得单元；以及被配置为对关于加权的微分相位图像的信息进行积分以获得关于被检体的相位图像的信息的第四获得单元。
-
公开(公告)号：CN107230649A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710182754.7
申请日：2017-03-24
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
CPC classification number: H01J37/222 , G02B21/361 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J37/30 , H01J37/3178 , H01J2237/221 , H01J2237/226 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及剖面加工观察方法、剖面加工观察装置。在短时间内高精度地进行包含特定观察对象物的特定部位的加工，并且，迅速地生成特定观察对象物的高分辨率的三维立体像。具有：位置信息取得工序，使用光学显微镜或电子显微镜对观察对象的样品整体进行观察，取得所述样品所包含的特定观察对象物的在所述样品内的大概的三维位置坐标信息；剖面加工工序，基于所述三维位置坐标信息，朝向所述样品之中所述特定观察对象物所存在的特定部位照射聚焦离子束，使该特定部位的剖面露出；剖面像取得工序，向所述剖面照射电子束，取得包含所述特定观察对象物的规定的大小的区域的图像；以及立体像生成工序，以规定间隔沿着规定方向多次重复进行所述剖面加工工序和所述剖面像取得工序，根据所取得的多个所述剖面图像来构筑包含所述特定观察对象物的三维立体像。
-
公开(公告)号：CN104681382B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201410718566.8
申请日：2014-12-02
Applicant: FEI 公司
Inventor： A.A.S.斯鲁伊特曼恩 , E.G.T.博世
CPC classification number: H01J37/244 , G01N23/225 , G01N2223/418 , H01J37/222 , H01J37/26 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/153 , H01J2237/221 , H01J2237/2441 , H01J2237/24495 , H01J2237/2804 , H01J2237/2813
Abstract: 具有增强的电子检测的带电粒子显微术。一种研究从带电粒子显微镜中的样本发出的输出电子的通量的方法，该方法包括下列步骤：使用检测器来拦截通量的至少一部分，以便产生样本的至少一部分的像素化图像Ij的集合{Ij}，由此，集合{Ij}的基数是M>1；对每个图像Ij中的每个像素pi，确定累积信号强度Sij，因此产生信号强度的相关集合{Sij}；使用集合{Sij}计算下列值：每像素位置i的平均信号强度S；每像素位置i的S中的方差σ2S；将这些值S和σ2S用于选自包括如下的组的样本的所述部分的至少一个图：表示作为位置的函数的检测的电子的能量的变化的第一图；表示作为位置的函数的检测的电子的数目的变化的第二图。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
68
records
(took 0.023 seconds)
