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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100498946C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200410045181.6
申请日：2004-04-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B11/105 , G11B20/10 , G11B7/004
CPC classification number: G11B11/10597 , G11B7/00736 , G11B7/24082 , G11B7/24094 , G11B11/10515 , G11B11/10528 , G11B11/10584 , G11B19/122 , G11B20/00086 , G11B20/00268
Abstract: 一种具有小尺寸直径和大容量的、并能够记录和再现盘识别信息的磁光盘，及其记录方法和再现方法，其中记录层包括记录第一信息的主记录区域、记录包括盘识别信息的第二信息的副记录区域、和形成于该主记录区域和该副记录区域之间的缓冲区域，且该缓冲区域记录第三信息，该记录层提供于基底上，该第二信息通过在该副记录区域和该缓冲区域中以条纹形状形成的标记阵列来记录，通过改变该记录层的磁化状态，得到多个标记构成该标记阵列，并且通过沿着该盘的周向的一反射率的调制信号来再现该第三信息。
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公开(公告)号：CN1540650A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410045181.6
申请日：2004-04-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B11/105 , G11B20/10 , G11B7/004
CPC classification number: G11B11/10597 , G11B7/00736 , G11B7/24082 , G11B7/24094 , G11B11/10515 , G11B11/10528 , G11B11/10584 , G11B19/122 , G11B20/00086 , G11B20/00268
Abstract: 一种具有小尺寸直径和大容量的并能够记录和再现盘识别信息的磁光盘，及其记录方法和再现方法，其中记录层包括记录第一信息的主记录区域、记录包括盘识别信息的第二信息的副记录区域和形成于该主记录区域和该副记录区域之间的缓冲区域，且该缓冲区域记录第三信息，该记录层提供于基底上，该第二信息通过在该副记录区域和该缓冲区域中以条纹形状形成的标记阵列来记录，通过改变该记录层的磁化状态，得到多个标记构成该标记阵列，并且通过沿着该盘的周向的一反射率的调制信号来再现该第三信息。
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公开(公告)号：CN1146890C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN99102899.6
申请日：1999-02-10
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/26 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21
Abstract: 一种具有足够的重复记录耐久性的光学记录介质及其制造方法。第一绝缘层2设置在基底1的主表面1a上，在第一绝缘层2上形成记录层5，所述记录层5由具有不同初始结晶温度的第一层薄膜3和第二层薄膜4的两层薄膜构成。然后依次形成第二绝缘层6、反射层7和保护层8。第一层薄膜3或第二层薄膜4的其中之一优选地含有氮或氧。更理想的是紧靠基底1的第一层薄膜3含有氮或氧。第一层薄膜3和第二层薄膜4的初始结晶温度的差别为20℃或更高。更理想的是紧靠基底1的第一层薄膜3的初始结晶温度比第二层薄膜4高20℃或更高。第一层薄膜3和第二层薄膜4的厚度理想地各为3nm或更多。
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公开(公告)号：CN1239283A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN99106992.7
申请日：1999-06-04
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/00
CPC classification number: G11B7/26 , G11B7/243 , G11B7/266 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322
Abstract: 一种性能优良的光记录介质及其制造方法，该光记录介质具有由可发生晶态和非晶态可逆相变的相变型材料形成的记录层，且通过光束照射在该记录层上时引起该记录层上的相变，由此记录和/或擦除信息信号。该记录层包含作为相变型材料的AgαInβSbγTeδ,其中各组元的原子百分数α、β、γ、δ满足式6≤α≤16；1.1≤δ/β≤2.2以及2≤γ/δ≤3。
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公开(公告)号：CN1226058A
公开(公告)日：1999-08-18
申请号：CN99102899.6
申请日：1999-02-10
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/26 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21
Abstract: 一种具有足够的重复记录耐久性的光学记录介质及其制造方法。第一绝缘层2设置在基底1的主表面1a上,在第一绝缘层2上形成记录层5,所述记录层5由具有不同初始结晶温度的第一层薄膜3和第二层薄膜4的两层薄膜构成。然后依次形成第二绝缘层6、反射层7和保护层8。对于第一层薄膜3和第二层薄膜4,优选它们两者之一含有氮或氧,并且这两层薄膜的初始结晶温度的差别为20℃或更高,并且均理想地具有各为3nm或更高的厚度。理想的是,紧靠基底1的第一层薄膜3含有氮或氧,并且具有比第二层薄膜4高20℃或更高的初始结晶温度。
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