公开(公告)号：CN107702822A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710857468.6

申请日：2017-09-21

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 丁炯 ,  杨遂军 ,  叶树亮

IPC: G01K15/00 ,  G01K7/20 ,  G01K7/18 ,  G01K3/02

CPC classification number: G01K15/005 ,  G01K3/02 ,  G01K7/183 ,  G01K7/20 ,  G01K2219/00

Abstract: 本发明公开了一种基于交叉轮询机制的多通道快速高精度测温系统。本发明通过配置模拟开关阵列电路，实现任意一个铂电阻电压信号及参考电阻电压信号分时地被(n+1)个ADC采集，并确保任意一个ADC实现对所有(n+1)个电压信号的采集。通过计算任意一个ADC采集的n个铂电阻电压与参考电阻电压之间的比值，获得n个铂电阻阻值，再对(n+1)个不同ADC获得的同一通道的铂电阻与参考电阻比值求平均，并转换成温度，实现多通道快速高精度温度测量。该发明的有益效果是克服了现有测温电桥测温精度或速率随通道数增加而下降的缺点。

公开(公告)号：CN107238446A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201610182379.1

申请日：2016-03-28

Applicant: 新材料与产业技术北京研究院

Inventor： 秋谷智巳 ,  安倍佳照

IPC: G01K7/18 ,  H01C7/04

CPC classification number: G01K7/183 ,  H01C7/048

Abstract: 本发明涉及检测领域，公开了一种温度检测元件及温度检测器，该温度检测元件包括：电阻体和电连接在所述电阻体的端部的金属件；其中所述电阻体包括基线和均匀附着在所述基线上的碳纳米管。通过上述技术方案，提供了一种利用热电阻效应的温度检测元件，元件中的电阻体的基线可以根据温度检测要求被制作成任何合适的形状，此外，碳纳米管具有半导体的特性、比热高、能实现宽范围的温度检测。

公开(公告)号：CN106679843A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201611096763.6

申请日：2016-12-02

Applicant: 中国科学院计算技术研究所

Inventor： 黄希 ,  崔莉

IPC: G01K7/18 ,  G01K7/22

CPC classification number: G01K7/183 ,  G01K7/223

Abstract: 本发明提出一种抗压阻效应的薄膜温度传感器及检测温度的方法，涉及海洋传感测量技术领域，该薄膜温度传感器包括绝缘基板，第一热电阻蛇形线，第二热电阻蛇形线，热电阻连接导线，焊盘，绝缘层，其中所述第一热电阻蛇形线与所述第二热电阻蛇形线相互靠近且不互相交叉，所述第一热电阻蛇形线与所述第二热电阻蛇形线分别由所述热电阻连接导线焊接在所述焊盘上，所述焊盘位于所述绝缘基板上，所述绝缘层覆盖所述第一热电阻蛇形线、所述第二热电阻蛇形线、所述热电阻连接导线。本发明能够减小或消除目前薄膜温度传感器中由于压阻效应带来的测量误差，使其能够在深海等大压力环境中进行高精度的温度测量。

公开(公告)号：CN101858794B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201010123011.0

申请日：2010-03-01

Applicant: 施乐公司

Inventor： J·A·斯威夫特 ,  S·J·华莱士 ,  R·L·布洛克

IPC: G01K7/16 ,  G01K7/18

CPC classification number: G01K7/183 ,  G01K7/223 ,  H01C3/00 ,  H01C7/008 ,  H01C7/049 ,  Y10T29/49082 ,  Y10T29/49085 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31551 ,  Y10T428/31598 ,  Y10T428/31663

Abstract: 根据本发明，提供了温度传感和温度控制器件以及制造这些器件的方法。所述温度传感和温度控制器件可包括复合元件，该复合元件包括非金属性粘合剂材料，以及布置在所述非金属性粘合剂材料中的一个或多个非金属性导电纤维。所述温度传感和温度控制器件也可包括布置在所述一个或多个非金属性导电纤维上的多个触头，其中所述复合元件的电阻随着温度的增加而基本连续地减小。

公开(公告)号：CN101399102B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN200810148837.5

申请日：2008-09-27

Applicant: 贺利氏传感技术有限公司

Inventor： M·青克维奇

IPC: H01C7/00 ,  H01C1/14 ,  H01C1/144

CPC classification number: H01C7/00 ,  G01K7/183 ,  H01B1/02 ,  H01B3/004 ,  Y10T29/49098

Abstract: 本发明公开了一种涂覆线和薄膜电阻器。根据本发明，在保持内核和涂层的分离的相的同时，具有软焊料的涂覆线是可焊接的。根据本发明，用银电镀涂覆100μm-400μm厚的镍线。对于用涂覆线作为连接线的薄膜电阻器而言，包括电绝缘衬底上的铂测量电阻器和连接至测量电阻器的连接线，该连接线具有被涂覆的镍内核。根据本发明的涂层是由银或玻璃或陶瓷或这些材料的混合物制成的，涂层的外侧是由玻璃或陶瓷或这些材料的混合物制成的。

公开(公告)号：CN101499511B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200910037331.1

申请日：2009-02-18

Applicant: 旭丽电子(广州)有限公司 ,  光宝科技股份有限公司

Inventor： 陈桢钰

IPC: H01L33/00 ,  G01K7/16

CPC classification number: H01L27/15 ,  G01K7/183 ,  G01K13/10 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具温度感测组件的发光二极管芯片，包括：一基板；一温度感测组件，形成于所述基板上面，以及一半导体堆叠发光结构，形成于所述基板以及所述温度感测组件之上。其中所述半导体堆叠发光结构通过一n型半导体层、半导体活性层以及p型半导体层所构成者。所述温度感测组件是直接形成于发光二极管芯片的结构中，以提供更准确且实时的温度感测数据。本发明还提供了该发光二极管芯片的制造方法。

公开(公告)号：CN101499511A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910037331.1

申请日：2009-02-18

Applicant: 旭丽电子(广州)有限公司 ,  光宝科技股份有限公司

Inventor： 陈桢钰

IPC: H01L33/00 ,  G01K7/16

CPC classification number: H01L27/15 ,  G01K7/183 ,  G01K13/10 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具温度感测组件的发光二极管芯片，包括：一基板；一温度感测组件，形成于所述基板上面，以及一半导体堆叠发光结构，形成于所述基板以及所述温度感测组件之上。其中所述半导体堆叠发光结构通过一n型半导体层、半导体活性层以及p型半导体层所构成者。所述温度感测组件是直接形成于发光二极管芯片的结构中，以提供更准确且实时的温度感测数据。本发明还提供了该发光二极管芯片的制造方法。

公开(公告)号：CN101399102A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810148837.5

申请日：2008-09-27

Applicant: 贺利氏传感技术有限公司

Inventor： M·青克维奇

IPC: H01C7/00 ,  H01C1/14 ,  H01C1/144

CPC classification number: H01C7/00 ,  G01K7/183 ,  H01B1/02 ,  H01B3/004 ,  Y10T29/49098

Abstract: 本发明公开了一种涂覆线和薄膜电阻器。根据本发明，在保持内核和涂层的分离的相的同时，具有软焊料的涂覆线是可焊接的。根据本发明，用银电镀涂覆100μm－400μm厚的镍线。对于用涂覆线作为连接线的薄膜电阻器而言，包括电绝缘衬底上的铂测量电阻器和连接至测量电阻器的连接线，该连接线具有被涂覆的镍内核。根据本发明的涂层是由银或玻璃或陶瓷或这些材料的混合物制成的，涂层的外侧是由玻璃或陶瓷或这些材料的混合物制成的。

公开(公告)号：CN1337003A

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN00802774.9

申请日：2000-01-12

Applicant: 森萨姆温度传感器有限公司

Inventor： 亨利奇·泽曼

IPC: G01K7/18

CPC classification number: G01K7/183

Abstract: 铂温度传感器,具有一个陶瓷衬底及一个施加在陶瓷衬底(4)的主表面上的铂薄膜电阻(2)。一个保护中间层(14,16)由至少在陶瓷衬底(4)的主表面上的铂薄膜电阻(2)区域中整个面上蒸敷的陶瓷层(14)及施加在该被蒸敷的陶瓷层(14)上的烧结陶瓷胶层(16)组成。在保护中间层(14;16)上施加一个保护釉层(18)。

公开(公告)号：CN1240048A

公开(公告)日：1999-12-29

申请号：CN97180545.8

申请日：1997-11-24

Applicant: 赫罗伊斯电气夜间有限公司

Inventor： K·维南德 ,  S·迪特曼 ,  M·桑德

IPC: H01C17/28 ,  H01C1/142

CPC classification number: G01K7/183 ,  H01C1/142 ,  H01C17/281 ,  Y10T29/49085 ,  Y10T29/49099

Abstract: 本发明涉及一种制造用于测量温度的传感器装置的方法，该传感器装置有一个对温度敏感的测量电阻，该电阻在一个陶瓷基片上有一个薄的，金属的，向外电绝缘的电阻层和一些敞开的接触面，接触面是导电的并且与相互电绝缘的耐高温的导线线路直接机械地固定连接在一个陶瓷的支承件上，其中测量电阻通过安放和接着烧结在一个在配置之间准备好的支承件上而被接触和固定。用于固定和接触的东西是一种含有铂的厚膜导电膏。在支承件的与测量电阻相背离的端部上设置接触面，用于连接一个插头或者电缆。该温度传感器是一个平测量电阻形式的标准件，它被作为SMD部件安装在陶瓷的支承件上。用本方法制造的传感器装置也适合于400℃以上的温度测量。由于采用了几个标准化的单独部件并且容易实现自动化的工作步骤，使得本方法的费用很低。