一种基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的检测器

    公开(公告)号:CN106595878A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611129045.4

    申请日:2016-12-09

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: G01J5/20 G01J2005/208

    Abstract: 本发明公开了一种基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的检测器,包括低温杜瓦、超导氮化铌测辐射热计芯片、聚焦透镜、偏置器、直流电源、环形器、偏置信号发生器和信号放大器。低温杜瓦设有透明窗。超导氮化铌测辐射热计芯片设置于低温杜瓦内。聚焦透镜用于将进入低温杜瓦内的太赫兹波聚焦于超导氮化铌测辐射热计芯片上。偏置器为T型偏置器,其射频直流端口、直流偏置端口和射频输出端口分别连接超导氮化铌测辐射热计芯片、直流电源和环形器。环形器为三端口环形器。环形器的三个端口分别连接偏置信号发生器、偏置器和信号放大器的输入端口。信号放大器的输出端口连接信号检测接口。

    碳化硅基石墨烯超导TES器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN108793057A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810733468.X

    申请日:2018-07-06

    Inventor: 胡海涛

    CPC classification number: H01L39/12 G01J5/20 G01J2005/208 H01L39/24

    Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基石墨烯超导TES器件及其制作方法,涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在碳化硅基衬底上采用热升华的方式,升华硅原子,得到近自由态的石墨烯作为热沉基板,在石墨烯上制作超导薄膜,实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单,与现有TES器件工艺兼容;采用碳化硅基升华硅原子生长得到的二维高散热率石墨烯材料作为声子耦合材料,热耦合系数更高。因此所述TES器件的有效恢复时间更短,响应速率更高。

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