公开(公告)号：CN103840035A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410106302.7

申请日：2014-03-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 尤立星 ,  李浩 ,  杨晓燕 ,  张伟君 ,  王镇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L39/16 ,  G01J1/0433 ,  G01J1/0488 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/442 ,  G01J2005/208 ,  G02B5/28 ,  H01L27/144 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/09 ,  H01L39/02 ,  H01L39/10

Abstract: 本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件，包括步骤：于所述超导纳米线单光子探测器件上集成多层薄膜滤波器；其中，所述多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有带通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射及外界杂散光触发的暗计数。所述超导纳米线单光子探测器件包括：衬底，其上下表面分别结合上抗反射层和下抗反射层；光学腔体结构；超导纳米线；以及反射镜。本发明操作简单，仅需在超导纳米线单光子探测器件（SNSPD）的衬底上集成多层薄膜滤波器，将非信号辐射过滤掉，该方法可以在保证信号辐射和器件的光耦合效率的同时，有效降低非本征暗计数，从而提高器件在特定暗计数条件下的探测效率。

公开(公告)号：CN106595878A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611129045.4

申请日：2016-12-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 姜寿禄 ,  陈健 ,  李先峰 ,  贾小氢 ,  康琳 ,  金飚兵 ,  许伟伟 ,  吴培亨

IPC: G01J5/20

CPC classification number: G01J5/20 ,  G01J2005/208

Abstract: 本发明公开了一种基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的检测器，包括低温杜瓦、超导氮化铌测辐射热计芯片、聚焦透镜、偏置器、直流电源、环形器、偏置信号发生器和信号放大器。低温杜瓦设有透明窗。超导氮化铌测辐射热计芯片设置于低温杜瓦内。聚焦透镜用于将进入低温杜瓦内的太赫兹波聚焦于超导氮化铌测辐射热计芯片上。偏置器为T型偏置器，其射频直流端口、直流偏置端口和射频输出端口分别连接超导氮化铌测辐射热计芯片、直流电源和环形器。环形器为三端口环形器。环形器的三个端口分别连接偏置信号发生器、偏置器和信号放大器的输入端口。信号放大器的输出端口连接信号检测接口。

公开(公告)号：CN108793057A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810733468.X

申请日：2018-07-06

Applicant: 江苏心磁超导体有限公司

Inventor： 胡海涛

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L39/12 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/208 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基石墨烯超导TES器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在碳化硅基衬底上采用热升华的方式，升华硅原子，得到近自由态的石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器件工艺兼容；采用碳化硅基升华硅原子生长得到的二维高散热率石墨烯材料作为声子耦合材料，热耦合系数更高。因此所述TES器件的有效恢复时间更短，响应速率更高。

公开(公告)号：CN106165136A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480065927.1

申请日：2014-11-04

Applicant: 华威大学 ,  芬兰VTT技术研究中心

Inventor： 大卫·贡纳松 ,  伊万·帕克 ,  马丁·普雷斯特 ,  米卡·普伦尼拉 ,  特伦斯·霍尔

IPC: H01L39/22 ,  G01J5/20

CPC classification number: G01J5/046 ,  G01J5/024 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/106 ,  G01J2005/208 ,  H01L31/09 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: 描述了一种测辐射热仪。测辐射热仪包括超导体‑绝缘体‑半导体‑超导体结构(91；图2)或超导体‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑超导体结构(92)。半导体包括硅层、锗层或硅锗合金层(11)中的电子气(10)，在硅层、锗层或硅锗合金层(11)中，谷简并度至少部分地被提升。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括介电材料层(131、132)。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括非简并掺杂半导体层。

公开(公告)号：CN103840035B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410106302.7

申请日：2014-03-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 尤立星 ,  李浩 ,  杨晓燕 ,  张伟君 ,  王镇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L39/16 ,  G01J1/0433 ,  G01J1/0488 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/442 ,  G01J2005/208 ,  G02B5/28 ,  H01L27/144 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/09 ,  H01L39/02 ,  H01L39/10

Abstract: 本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件，包括步骤：于所述超导纳米线单光子探测器件上集成多层薄膜滤波器；其中，所述多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有带通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射及外界杂散光触发的暗计数。所述超导纳米线单光子探测器件包括：衬底，其上下表面分别结合上抗反射层和下抗反射层；光学腔体结构；超导纳米线；以及反射镜。本发明操作简单，仅需在超导纳米线单光子探测器件（SNSPD）的衬底上集成多层薄膜滤波器，将非信号辐射过滤掉，该方法可以在保证信号辐射和器件的光耦合效率的同时，有效降低非本征暗计数，从而提高器件在特定暗计数条件下的探测效率。