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公开(公告)号:CN102341344A
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:CN201080010466.X
申请日:2010-03-03
Applicant: 株式会社赛安
CPC classification number: B01J19/126 , A61K33/00 , B01J19/088 , B01J2219/0883 , B01J2219/0896 , B82Y30/00 , C01B21/36 , H05H1/46 , H05H2001/4622
Abstract: 一种高浓度NO2气体发生系统,其包括通过连接腔体、等离子体发生器和循环装置而设置的循环路径,其中,通过使包括氮气和氧气的气体混合物在循环路径中循环而产生NO2。该高浓度NO2气体发生系统提供高浓度NO2气体发生系统和使用该发生系统的高浓度NO2发生方法,通过该系统和方法可以简单地且选择性地得到例如医疗器械灭菌的高水平灭菌方法所需的高浓度NO2(约500ppm或以上)。此外,由于使用室内空气作为成分,成分管理是简单且高度安全的,而且可以根据需要简单地且选择性地制备高浓度NO2。
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公开(公告)号:CN1917932A
公开(公告)日:2007-02-21
申请号:CN200580005015.6
申请日:2005-02-18
Applicant: 英国氧气集团有限公司
CPC classification number: B01J19/088 , B01D53/68 , B01D53/70 , B01D2257/2047 , B01D2257/2066 , B01D2259/818 , B01J2219/0896 , G03F7/70925 , Y02C20/30
Abstract: 一种处理含全氟化合物气流的方法,例如从半导体制造加工设备排放的流体流的处理方法。在一个实施例中,等离子焰炬用于从可电离气体,如氮气或氩气,产生等离子体。等离子注入到反应腔,其容纳有水蒸气流和排放的流体流。可电离的流体与全氟化合物反应使水蒸气分解为加热的H+和OH-离子。处理含全氟化合物的气流的装置包括从源气体产生等离子的机构,注入等离子到反应腔的机构,传输气体流到反应腔的机构,和传输H+和OH-离子源到等离子流的机构。
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公开(公告)号:CN103039151A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201210523536.2
申请日:2012-12-07
Applicant: 常州中科常泰等离子体科技有限公司 , 中国科学院南京土壤研究所
IPC: A01C1/00
CPC classification number: A01C1/08 , A01C1/00 , B01J19/088 , B01J2219/0847 , B01J2219/0869 , B01J2219/0879 , B01J2219/0896 , H05H1/46 , H05H2001/466 , H05H2240/20
Abstract: 本发明公开了一种冷等离子体种子处理设备,包括真空装置以及设置在真空装置内的放电装置和传输装置,在真空装置上设置有筒体进料口和筒体出料口,还包括一进料装置和一出料装置,进料装置包括第一进料斗和第二进料斗,第一进料斗和第二进料斗分别设置有进料盖、进料斗放气阀、进料斗出料口以及进料斗抽真空蝶阀,第一进料斗和第二进料斗的进料斗出料口以及筒体进料口分别通过一进料斗蝶阀与一三通管连接;在所述的第一进料斗和第二进料斗的进料斗抽真空蝶阀上连接有第一抽真空泵机组,出料装置包括第一出料斗和第二出料斗。本发明适用于处理各种作物的种子,处理成本低、速度快、无污染,且作物抗旱、抗病虫害等抗逆能力得到提高,增产效果显著。
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公开(公告)号:CN101282906B
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN200680031388.5
申请日:2006-06-06
Applicant: 赢创德固赛有限责任公司
CPC classification number: C01B33/10778 , B01J19/0093 , B01J19/088 , B01J2219/0002 , B01J2219/00033 , B01J2219/00788 , B01J2219/00822 , B01J2219/00853 , B01J2219/00867 , B01J2219/00869 , B01J2219/00871 , B01J2219/00873 , B01J2219/0093 , B01J2219/0807 , B01J2219/0828 , B01J2219/083 , B01J2219/0841 , B01J2219/0871 , B01J2219/0875 , B01J2219/0896 , C01G17/04 , C01P2006/80
Abstract: 本发明涉及用于制备高纯度四氯化硅或高纯度四氯化锗的反应器、设备和在其中进行的连续工业方法,其中所述制备是通过以冷等离子体处理被至少一种含氢化合物污染的待精制四氯化硅或四氯化锗并通过分馏从得到的处理过的相中分离精制的高纯度四氯化硅或四氯化锗来实现的,其中所述处理在等离子体反应器(4)中进行,在此等离子体反应器(4)中电介质(4.4)、高压电极(4.3)和接地的金属热交换器(4.2)的纵轴彼此平行取向并同时平行于重力的方向矢量取向。
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公开(公告)号:CN1842491A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200580000929.3
申请日:2005-06-10
Applicant: 德古萨公司
IPC: C01B33/107 , C01G17/04 , B01J19/08
CPC classification number: C01B33/10778 , B01J19/088 , B01J2219/00853 , B01J2219/0093 , B01J2219/0809 , B01J2219/0815 , B01J2219/083 , B01J2219/0841 , B01J2219/0847 , B01J2219/0849 , B01J2219/0896 , C01G17/04
Abstract: 本发明涉及一种纯化被至少一种含氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的方法,其中所要纯化的四氯化硅或四氯化锗,以目标方式,通过冷的等离子体来处理,和,所纯化的四氯化硅或四氯化锗从这样被处理的相中分离。本发明还涉及一种进行本发明方法的装置,其包括四氯化硅或四氯化锗的存储和汽化设备(4.1或5.1),其通过连接管线与反应器(4.3或5.3)的入口连接,反应器具有控制设备(4.4或5.4),用于产生介电受阻放电,反应器的出口通过导管,直接或间接通过至少一个另外的反应器(5.5)与冷凝设备(4.5或5.11)连接,冷凝设备的下游是收集容器(4.6或5.12),其通过排出管线(4.6.2或5.12.1)与蒸馏设备(4.8或5.13)连接,如果适合,配有加料管线(4.6.1)至设备(4.1)。
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公开(公告)号:CN1579000A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN02821520.6
申请日:2002-11-04
Applicant: 等离子体溶胶公司
Inventor: 瑟杰·巴布科-玛尔伊
CPC classification number: H01J37/32532 , B01D53/32 , B01J19/088 , B01J2219/0813 , B01J2219/0835 , B01J2219/0875 , B01J2219/0896 , F01N3/028 , F01N3/0892 , F01N2240/28 , H01J37/32541 , H05H1/2406 , H05H1/48 , H05H2001/2412 , H05H2001/2443 , H05H2001/488
Abstract: 非热常压等离子体反应器包括其中具有至少一个狭缝的主电介质和包括许多电极段的分段电极。每个电极段都靠近相关狭缝放置并与之流体相通。电介质中的狭缝可以用多种方法形成,例如许多狭缝确定在基本平坦的电介质板中。其它结构包括许多组合在一起的电介质段(例如棒、片、环、环状部分)从而在相邻电介质段之间形成狭缝。工作时,在分段电极和靠近主电介质放置的接收电极之间施加电压差以产生等离子体放电。等离子体放电通过主电介质中的狭缝发射出去。本发明的等离子体放电器件结构产生相对较大体积的相对较高的非热等离子体放电,但是制造起来仍相对简单且便宜。
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公开(公告)号:CN1555340A
公开(公告)日:2004-12-15
申请号:CN02818102.6
申请日:2002-08-02
Applicant: 等离子体溶胶公司
CPC classification number: C10G35/16 , B01J19/088 , B01J2219/0809 , B01J2219/0828 , B01J2219/083 , B01J2219/0875 , B01J2219/0892 , B01J2219/0896 , C01B3/14 , C01B3/342 , C01B32/40 , C01B2203/0205 , C01B2203/0283 , C01B2203/0861
Abstract: 使用非热毛细管放电(NT-CDP)装置或非热槽放电(NT-SDP)装置(统称为“NT-CDP/SDP”)激励化学反应的方法。所述NT-CDP/SDP装置包括设置于两个绝缘层(8、9)之间的第一电极,其中第一电极和两个绝缘层有至少一个穿过它们的开口(例如,毛细管或槽)。插入所述开口的绝缘套(3)和至少一个第二电极(2)(例如,形状为销、环、金属线或锥形叶片)设置在与相关的开口流体连通。在第一与第二电极之间施加电压差时,从所述开口产生非热等离子体放电。随后把要处理的化学进料暴露于非热等离子体。这种处理适合于下面列举的化学反应:(i)对化学进料进行部分氧化,产生起功能作用的有机化合物;(ii)对聚合物纤维(例如,碳纤维生产中的聚丙烯腈纤维前驱物)进行化学稳定;(iii)对较长链长的石油烃预改造以产生适合于改造的进料;(iv)在化学还原气氢(例如氨或脲)中的天然气改造以生产一氧化碳和氢气;或者(v)等离子体加强的水煤气转变。
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公开(公告)号:CN1536270A
公开(公告)日:2004-10-13
申请号:CN200310120158.4
申请日:1999-11-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: F23K1/00
CPC classification number: H01M8/0643 , B01D53/02 , B01D53/22 , B01D53/32 , B01J8/0045 , B01J8/0055 , B01J8/12 , B01J8/1836 , B01J8/1854 , B01J8/34 , B01J8/36 , B01J8/44 , B01J19/088 , B01J2208/00141 , B01J2208/00274 , B01J2208/00504 , B01J2208/00752 , B01J2208/00769 , B01J2208/0084 , B01J2208/00884 , B01J2219/00006 , B01J2219/0896 , C01B3/32 , C10J3/00 , C10J3/005 , C10J3/482 , C10J3/54 , C10J3/721 , C10J2200/158 , C10J2300/0946 , C10J2300/0959 , C10J2300/0969 , C10J2300/0973 , C10J2300/1606 , C10J2300/1634 , C10J2300/1646 , C10J2300/165 , C10J2300/1687 , C10J2300/1807 , C10J2300/1815 , C10J2300/1823 , C10J2300/1846 , C10K1/002 , C10K1/004 , C10K1/026 , C10K3/006 , C10K3/023 , C10K3/04 , H01M8/0612 , H01M8/0662 , H01M2008/147 , H01M2300/0051 , Y02E20/16 , Y02E20/18 , Y02E60/526 , Y02P20/129
Abstract: 本发明提供了一种在预定温度如400~1000℃下气化可燃物,如可燃性废弃物或煤的低温气化炉(2),再将所生成的气体供给燃料电池(6)进行发电。低温气化炉优选包括流化床气化炉。
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公开(公告)号:CN107999005A
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201711174980.7
申请日:2017-11-22
Applicant: 浙江大学
IPC: B01J19/08
CPC classification number: B01J19/08 , B01J19/0053 , B01J2219/0809 , B01J2219/0824 , B01J2219/0849 , B01J2219/0896
Abstract: 本发明公开了一种可调偏心距的同轴圆柱式DBD反应器,包括框体,框体两端设有固定板,固定板中间设有固定盖,固定盖中间设有阶梯孔,两固定盖通过阶梯孔安装有阻挡介质;所述阶梯孔的小孔内设有横梁,横梁中间开设有直槽;一固定盖的直槽内设有调节底座,调节底座中间经螺纹连接有调节螺钉,调节螺钉设有沉孔,沉孔内设有调节弹簧,沉孔底部设有第一细丝通孔;另一固定盖的直槽内设有固定底座,固定底座中间设有第二细丝通孔,第二细丝通孔侧旁设有侧孔;所述阻挡介质内设有细丝内电极,细丝内电极两端分别设在调节底座和固定底座上。本发明可以调整内电极的偏心距,并且更换内电极和阻挡介质十分方便。
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公开(公告)号:CN106458611A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580011807.8
申请日:2015-02-03
Applicant: 赢创德固赛有限公司
IPC: C01B33/107 , B01J19/02 , B01J19/08 , C01G17/04
CPC classification number: C01B33/10778 , B01D3/10 , B01J19/02 , B01J19/088 , B01J2219/0254 , B01J2219/0847 , B01J2219/0849 , B01J2219/0888 , B01J2219/0894 , B01J2219/0896 , C01B33/107 , C01B33/10773 , C01G17/04
Abstract: 本发明涉及三-和/或四硅化合物或者三-和/或四锗化合物的制备方法,其中使硅化合物的混合物或锗化合物的混合物暴露于非热等离子体,和使所得的相经受至少一次真空精馏和过滤。
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