-
公开(公告)号:CN107021492A
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:CN201710069256.1
申请日:2010-11-04
Applicant: GTAT有限公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/1071 , Y02P20/132
Abstract: 本发明针对合成三氯硅烷的系统和方法。所公开的系统和方法可包括在三氯硅烷合成期间提高浆液中的固体浓度,从而回收或分离挥发的金属盐并减少由下游操作中的金属盐固化作用产生的阻塞。本发明可包括通过利用不可凝气体(如氢气)提高浆液流中的固体浓度而使氯硅烷组分挥发(而非加热来提高温度,从而使氯硅烷化合物发生汽化,并接着使挥发后的氯硅烷化合物冷凝),可因此对能够降低浆液温度的蒸发条件具有促进作用。较低的浆液温度使得金属盐的挥发性较低,降低了转移至下游单元操作的可能性。
-
公开(公告)号:CN107021492B
公开(公告)日:2019-06-11
申请号:CN201710069256.1
申请日:2010-11-04
Applicant: GTAT有限公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/1071 , Y02P20/132
Abstract: 本发明针对合成三氯硅烷的系统和方法。所公开的系统和方法可包括在三氯硅烷合成期间提高浆液中的固体浓度,从而回收或分离挥发的金属盐并减少由下游操作中的金属盐固化作用产生的阻塞。本发明可包括通过利用不可凝气体(如氢气)提高浆液流中的固体浓度而使氯硅烷组分挥发(而非加热来提高温度,从而使氯硅烷化合物发生汽化,并接着使挥发后的氯硅烷化合物冷凝),可因此对能够降低浆液温度的蒸发条件具有促进作用。较低的浆液温度使得金属盐的挥发性较低,降低了转移至下游单元操作的可能性。
-
-
-
公开(公告)号:CN102741167A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201080060883.5
申请日:2010-11-04
Applicant: GTAT有限公司
IPC: C01B33/107 , B01J12/00
CPC classification number: C01B33/1071 , Y02P20/132
Abstract: 本发明针对合成三氯硅烷的系统和方法。所公开的系统和方法可包括在三氯硅烷合成期间提高浆液中的固体浓度,从而回收或分离挥发的金属盐并减少由下游操作中的金属盐固化作用产生的阻塞。本发明可包括通过利用不可凝气体(如氢气)提高浆液流中的固体浓度而使氯硅烷组分挥发(而非加热来提高温度,从而使氯硅烷化合物发生汽化,并接着使挥发后的氯硅烷化合物冷凝),可因此对能够降低浆液温度的蒸发条件具有促进作用。较低的浆液温度使得金属盐的挥发性较低,降低了转移至下游单元操作的可能性。
-
-
-
-