公开(公告)号：CN103619752A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280028955.7

申请日：2012-12-06

Applicant: 韩国标准科学研究院

Inventor： 金达铉 ,  李确周 ,  安商丁

IPC: B82B3/00 ,  H01J17/48

CPC classification number: H01J37/317 ,  B82B3/0023 ,  B82B3/0076 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/901

Abstract: 本发明的目的是提供用离子束使一维或二维纳米结构无移动弯曲的方法，其中通过使用离子束使所述一维或二维纳米结构弯曲成不同形状，使得在不需要移动例如使纳米结构旋转的情况下可改变弯曲方向。本发明的使用离子束的用于一维或二维纳米结构的无移动弯曲方法是其中通过照射离子束(10)使具有一维或二维形状的纳米结构(20)弯曲的弯曲方法，其涉及根据所述离子束(10)的能量控制所述纳米结构(20)的弯曲方向，或者根据所述纳米结构(20)的粗细或厚度控制所述纳米结构(20)的弯曲方向。

公开(公告)号：CN106573770A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480079265.3

申请日：2014-06-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·A·穆诺茨 ,  D·E·尼科诺夫 ,  K·J·库恩 ,  P·泰奥法尼斯 ,  C·帕瓦申 ,  K·林 ,  S·金

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B82B1/005 ,  B81B3/0016 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B82B1/002 ,  B82B3/0023 ,  B82Y15/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01H1/0094 ,  H01H1/54 ,  H01H59/0009 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/938

Abstract: 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如，在实施例中，纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时，悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。

公开(公告)号：CN107651650A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710904778.9

申请日：2017-09-29

Applicant: 江西师范大学

Inventor： 徐铿 ,  俞挺 ,  李星仪 ,  方雨苏 ,  丁金龙 ,  曾凡焱 ,  黄姗

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B1/002 ,  B82B3/0023 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请提供一种耦合纳米机械振子及其形成方法，其中耦合纳米机械振子包括：衬底；依次悬空于衬底表面的第一纳米机械振子单元和第二纳米机械振子单元；其中，第一纳米机械振子单元为耦合单元，第二纳米机械振子单元为工作单元，所述工作单元具有光学模式和机械模式，耦合单元具有光学模式，且在泵浦光驱动下，第一纳米机械振子单元的光学模式和第二纳米机械振子单元的光学模式耦合。本申请的纳米机械振子灵敏度和分辨率高，本申请的纳米机械振子形成工艺步骤简单。

公开(公告)号：CN105800549A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610027870.7

申请日：2016-01-16

Applicant: 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司

Inventor： 威尔伯·卡托贝 ,  夏维仁 ,  艾伯特·布吕格曼 ,  姚杰森

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B1/00 ,  B82B1/002 ,  B82B3/00 ,  B82B3/0004 ,  B82B3/0014 ,  B82B3/0023 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米点阵列及相关联的构建方法，其中纳米点阵列包括布置在一基板上以进一步应用的多个纳米点。

公开(公告)号：CN106573770B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201480079265.3

申请日：2014-06-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·A·穆诺茨 ,  D·E·尼科诺夫 ,  K·J·库恩 ,  P·泰奥法尼斯 ,  C·帕瓦申 ,  K·林 ,  S·金

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B82B1/005 ,  B81B3/0016 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B82B1/002 ,  B82B3/0023 ,  B82Y15/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01H1/0094 ,  H01H1/54 ,  H01H59/0009 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/82 ,  H01L29/84 ,  Y10S977/732 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/938

Abstract: 描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如，在实施例中，纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时，悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。

公开(公告)号：CN103359703A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310099058.1

申请日：2013-03-26

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T.富克斯

IPC: C01B31/02 ,  B82Y30/00

CPC classification number: B82B3/0023 ,  C01B32/15

Abstract: 本发明涉及用于制造碳纳米线的方法，所述方法通过在两个电极之间淀积灰粒来进行，在这两个电极之间施加具有局部场线超高的场。