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公开(公告)号：CN114318412A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210095493.6
申请日：2022-01-27
Applicant: 江西师范大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B1/27 , C25B1/30 , C25B3/26
Abstract: 本发明涉及纳米颗粒的制备和应用领域，提供了限域型N掺杂Fe纳米颗粒及其制备方法和应用。该限域型N掺杂Fe纳米颗粒的尺寸约为3~10 nm，其限域生长在非晶碳基体中，具有高度的分散性。纳米颗粒的制备方法简单快速，整个制备过程只需要数十分钟，即首先采用脉冲激光沉积技术结合快速退火处理获得限域型的Fe纳米颗粒，再采用N2射频等离子体技术实现纳米颗粒的可控N掺杂。电化学测量表明，这种N掺杂的Fe纳米颗粒表现出了增强的电催化分解水产氧（OER）活性和稳定性，在1M KOH溶液中只需要246 mV的低过电位即可驱动10mA cm‑2的电流密度。本发明不仅为限域结构金属纳米颗粒的制备及其可控N掺杂提供了一种简单快速的方法，而且将极大地促进OER电催化剂的发展。
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公开(公告)号：CN114774945A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210400382.1
申请日：2022-04-16
Applicant: 江西师范大学
Abstract: 本发明提供了一种埋嵌型二硫化钼纳米颗粒及其制备方法和作为析氢反应电催化剂的应用。所述埋嵌型二硫化钼纳米颗粒是采用脉冲激光沉积技术结合快速退火方法制备获得的，制备方法具体为：提供衬底和靶材，所述靶材为二硫化钼靶和碳靶的混合靶材；在真空环境中，使所述衬底和靶材沿相反方向旋转，并利用准分子激光轰击所述靶材，使得所述靶材中的二硫化钼和碳交替沉积到所述衬底上；在惰性气体氛围中，将沉积了二硫化钼和碳的所述衬底进行退火处理，得到所述埋嵌型二硫化钼纳米颗粒。这种新颖的埋嵌型二硫化钼纳米颗粒在充分暴露边缘催化活性位点的同时保证了较好的导电性，在电解水析氢反应中表现出优异的催化活性和良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN111362320B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010173667.7
申请日：2020-03-13
Applicant: 江西师范大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/075 , C01G53/11 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了负载的硫化镍纳米棒材料及其制备方法和应用。利用聚乙烯吡咯烷酮和氢氧化钠去控制NiS2纳米晶的成核、结晶和生长过程，通过一步水热反应实现一维纳米棒结构的形成，得到负载的硫化镍纳米棒材料。在负载的硫化镍纳米棒材料中，硫化镍纳米棒阵列原位负载在泡沫镍衬底上，得益于其特殊的一维结构，这种硫化镍纳米棒对电催化分解水的产氢和析氧半反应都具有优异的催化性能，有望大规模应用于电催化分解水领域。
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公开(公告)号：CN107941861B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201711127757.7
申请日：2017-11-15
Applicant: 江西师范大学
Abstract: 本申请提供一种纳米级气敏传感器的形成方法，包括：对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底；侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层，使得第一气敏层悬空；形成开口；在开口内填充第四介质层；侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层，露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层；形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层。本申请的形成方法与集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号：CN107697883A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710904853.1
申请日：2017-09-29
Applicant: 江西师范大学
CPC classification number: B82B1/003 , B82B3/0028 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请提供一种耦合纳米机械振子及其形成方法，其中耦合纳米机械振子包括：衬底；依次悬空于衬底表面的第一纳米机械振子单元和第二纳米机械振子单元；其中，第一纳米机械振子单元为耦合单元，第二纳米机械振子单元为工作单元，所述工作单元具有光学模式和机械模式，耦合单元具有光学模式，且在泵浦光驱动下，第一纳米机械振子单元的光学模式和第二纳米机械振子单元的光学模式耦合。本申请的纳米机械振子灵敏度和分辨率高，本申请的纳米机械振子形成工艺步骤简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114772560B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210400383.6
申请日：2022-04-16
Applicant: 江西师范大学
IPC: C01B19/00 , C25B1/04 , C25B11/065 , C25B11/075
Abstract: 本发明提供了一种室温铁磁二硒化钒纳米颗粒及其制备方法和作为析氧反应电催化剂的应用。所述制备方法具体为：提供衬底和靶材，所述靶材为二硒化钒靶和碳靶的混合靶材；在真空环境中，使所述衬底和靶材沿相反方向旋转，并利用准分子激光轰击所述靶材，使得所述靶材中的二硒化钒和碳交替沉积到所述衬底上；在惰性气体氛围中，将沉积了二硒化钒和碳的所述衬底进行退火处理，得到所述室温铁磁二硒化钒纳米颗粒。这种新颖的室温铁磁二硒化钒纳米颗粒在充分暴露边缘催化活性位点的同时保证了较好的导电性，且在外磁场作用下析氧反应性能可以得到大幅提升；其在电解水析氧反应中表现出优异的催化活性、良好的稳定性以及显著的磁场增强析氧反应。
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公开(公告)号：CN114380334B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210096298.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 江西师范大学
IPC: C01G39/06 , C25B11/075 , C25B1/04 , C23C16/30
Abstract: 本发明公开了螺旋金字塔结构的二硫化钼的制备方法和应用。所述螺旋金字塔结构二硫化钼是采用改进了的化学气相沉积法制备获得的，制备方法具体为：将装有硫粉末的石英舟放置在双温区管式炉的低温区，并将装有MoO3粉末的石英舟放置在所述双温区管式炉的高温区；将具有SiO2层的硅衬底面朝下倾斜插入所述装有MoO3粉末的石英舟中；设置所述双温区管式炉的低温区温度为290~310℃，高温区温度为690~710℃，使惰性气体从所述双温区管式炉的低温区流向高温区，一段时间后冷却至室温，即得到螺旋金字塔结构的二硫化钼。所述螺旋金字塔结构二硫化钼在电解水析氢反应中表现出优异的催化活性、良好的稳定性以及高效的磁热促进析氢反应性能。
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公开(公告)号：CN114318412B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210095493.6
申请日：2022-01-27
Applicant: 江西师范大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B1/27 , C25B1/30 , C25B3/26
Abstract: 本发明涉及纳米颗粒的制备和应用领域，提供了限域型N掺杂Fe纳米颗粒及其制备方法和应用。该限域型N掺杂Fe纳米颗粒的尺寸约为3~10 nm，其限域生长在非晶碳基体中，具有高度的分散性。纳米颗粒的制备方法简单快速，整个制备过程只需要数十分钟，即首先采用脉冲激光沉积技术结合快速退火处理获得限域型的Fe纳米颗粒，再采用N2射频等离子体技术实现纳米颗粒的可控N掺杂。电化学测量表明，这种N掺杂的Fe纳米颗粒表现出了增强的电催化分解水产氧（OER）活性和稳定性，在1M KOH溶液中只需要246 mV的低过电位即可驱动10mA cm‑2的电流密度。本发明不仅为限域结构金属纳米颗粒的制备及其可控N掺杂提供了一种简单快速的方法，而且将极大地促进OER电催化剂的发展。
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公开(公告)号：CN114380334A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210096298.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 江西师范大学
IPC: C01G39/06 , C25B11/075 , C25B1/04 , C23C16/30
Abstract: 本发明公开了螺旋金字塔结构的二硫化钼的制备方法和应用。所述螺旋金字塔结构二硫化钼是采用改进了的化学气相沉积法制备获得的，制备方法具体为：将装有硫粉末的石英舟放置在双温区管式炉的低温区，并将装有MoO3粉末的石英舟放置在所述双温区管式炉的高温区；将具有SiO2层的硅衬底面朝下倾斜插入所述装有MoO3粉末的石英舟中；设置所述双温区管式炉的低温区温度为290~310℃，高温区温度为690~710℃，使惰性气体从所述双温区管式炉的低温区流向高温区，一段时间后冷却至室温，即得到螺旋金字塔结构的二硫化钼。所述螺旋金字塔结构二硫化钼在电解水析氢反应中表现出优异的催化活性、良好的稳定性以及高效的磁热促进析氢反应性能。
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公开(公告)号：CN107941861A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711127757.7
申请日：2017-11-15
Applicant: 江西师范大学
Abstract: 本申请提供一种纳米级气敏传感器的形成方法，包括：对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底；侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层，使得第一气敏层悬空；形成开口；在开口内填充第四介质层；侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层，露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层；形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层。本申请的形成方法与集成电路工艺兼容。
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