三氯硅烷制造装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101421188A

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200780012696.8

    申请日:2007-10-23

    Abstract: 一种三氯硅烷制造装置,具备:反应容器,在内部被供给包括四氯化硅和氢的供给气体,生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体;加热机构,将反应容器加热;气体供给部,将供给气体供给到反应容器内;气体排气部,将反应生成气体从反应容器排出到外部;在反应容器的内部形成有反应流路,所述反应流路是使被大致同心配置的内径不同的多个反应筒壁分隔的多个小空间通过交替形成在这些反应筒壁的下部与上部上的流通用贯通部从内侧开始依次成为连通状态而形成的;在该反应流路上连接着气体供给部及气体排气部。

    硅生产装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100347083C

    公开(公告)日:2007-11-07

    申请号:CN200480009343.9

    申请日:2004-08-17

    Abstract: 提供了一种多晶硅生产装置,使得当将反应管的内表面加热到等于或高于硅熔点的温度,使沉积的硅滴落到下面的硅收集部分中时,这种生产装置可以防止由于下端部分降温而造成的硅熔体在该处的凝固。当使用高频加热线圈(4)加热反应管(2)时,通过一种防止降温装置能避免所述反应管(2)下端部分(2a)降温,所述的防止降温装置可以是能够用红外线装置加热下端部分(2a)外表面的红外装置,或者是下端线圈,所述下端线圈由接近所述高频加热线圈(4)下端的线圈组成,其加热强度比上部线圈(4U)的加热强度大。

    三氯硅烷制造装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101421189A

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200780012705.3

    申请日:2007-10-24

    Abstract: 一种三氯硅烷制造装置,具备:反应容器,在内部的反应流路中被供给包括四氯化硅和氢的供给气体,生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体;加热机构,将反应容器的内部加热;气体供给部,将供给气体供给到反应容器内;气体排气部,将反应生成气体从反应容器排出到外部;反应流路具有:供给侧流路,在反应容器的中央部连接在气体供给部上,使供给气体一边在反应容器内折回一边朝向外侧流动;返回流路,连接在供给侧流路的下游端,到达反应容器的中央部;排出侧流路,连接在返回流路的下游端,相邻于反应容器的中央部的供给侧流路而配设,连接在气体排气部上。

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